【正文】 題8解圖九、解：（1）應(yīng)引入電壓串聯(lián)負(fù)反饋，如題9解圖所示。圖(b)的分析方法與圖（a）類似，在輸出端（uo）與T2基極之間串接電阻RF后，可構(gòu)成電壓串聯(lián)負(fù)反饋。所以，在輸出端（uo）與T1發(fā)射極之間串聯(lián)電阻RF后，可構(gòu)成電壓串聯(lián)負(fù)反饋。反饋系數(shù)和深度負(fù)反饋條件下的電壓放大倍數(shù)分別為 圖（d）所示電路中引入了正反饋。 圖（b）所示電路中引入了電壓并聯(lián)負(fù)反饋。六、解：各電路在深度負(fù)反饋條件下的電壓放大倍數(shù)如下： 七、解：圖（a）所示電路中引入了電流串聯(lián)負(fù)反饋。 圖（d）、（e）、（f）所示各電路中均引入了交、直流負(fù)反饋。圖（c）所示電路中引入了直流負(fù)反饋 圖（d）、（e）、（f）、（g）、（h）所示各電路中均引入了交、直流負(fù)反饋。四、解：圖（a）所示電路中引入了直流負(fù)反饋。211。1電流串聯(lián)。1電流，電壓，增大，增大。1相位補(bǔ)償法。1,，AF=1。1輸入信號(hào)。串聯(lián)負(fù)反饋。負(fù)反饋，反饋，正反饋。遠(yuǎn)大于1。 輸出電壓，輸出電阻。根據(jù)電流鏡的電流關(guān)系可得T2集電極電流：開(kāi)關(guān)S打開(kāi)后，電容C被恒流充電，充電電流近似等于IR，當(dāng)t＝1s時(shí)，第五章 參考答案一、判斷題 √ √ √ √二、 單項(xiàng)選擇題(b) (c) (a) (c) (c) (a) (b) (b) (b) (c) 1(c) 1(b) 1(b) 1(a) 1(a) 1(b) 1 (c) 1(a) 1 (b) 2(a) 2(c) 2(b) 2(a) 2(b) 2(a) 2(b) 2(c) 2(c) (a) 3(c) 3(b) 3(c) 3(c) 3(b) 3(c) 3(a) 3(1) (a) (2) (c) (3) (c) (4) (a) 3(c) (c)三、填空題正反饋和負(fù)反饋。 (a) (b) (c) (d) (e)題7解圖復(fù)合管的等效β和rbe求解如下：圖（a） 圖（b） 圖（c）不能實(shí)現(xiàn)復(fù)合管作用圖（d） 圖（e） 八、解 圖中晶體管T1和T2組成電流鏡電路。T3管射極電流輸入電阻為第一級(jí)電路的輸入電阻：輸出電阻為第二級(jí)電路的輸出電阻 電壓放大倍數(shù)為兩級(jí)電路放大倍數(shù)之積第一級(jí)電路差模輸入電壓放大倍數(shù)其中則 六、解 本題圖所示電路為帶恒流源的差分放大電路，靜態(tài)工作點(diǎn)從恒流源電流計(jì)算著手。為了計(jì)算動(dòng)態(tài)指標(biāo)，應(yīng)先求出靜態(tài)工作點(diǎn)和晶體管的rbe。由于負(fù)載電阻RLRC，所以集電極靜態(tài)電流與雙端輸出時(shí)近似相等，即單端輸出差模電壓放大倍數(shù)單端輸出共模電壓放大倍數(shù)單端輸出共模抑制比差模輸入電阻和共模輸入電阻與（b）中的答案相同。 ，2000。1NPN型，NPN型，PNP型，PNP型； ； 。1能。1開(kāi)環(huán)增益；最大變化率；與成正比。1恒流。0。四，輸出，輸入。差分放大，互補(bǔ)推挽。輸入級(jí)，輸出級(jí)。同相輸入端和反相輸入端，反相，同相。g + rds（1+ gmR39。由圖可知即 故 Ro=RD//R39。再將由gmugs和rds組成的電流源用電壓源等效，如題11解圖(b)所示，其中R39。管子的IDQ=－ mA、 UGSQ=、UDQ=－ V。題7解圖八、解： 設(shè)T工作于放大區(qū)，則可建立下面兩個(gè)方程： UGSQ=－IDQ RS =－IDQ 聯(lián)解上面兩個(gè)方程可得兩組解：IDQ1=－ mA 、UGSQ1= V及IDQ2=－ mA、 UGSQ2= 。 3. 輸入端加耦合電容。 題6解圖七、解：1. 源極加電阻RS。解表4管 號(hào)UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14－513恒流區(qū)T2－43310截止區(qū)T3－4605可變電阻區(qū)五、解：管子可能是增強(qiáng)型管、耗盡型管和結(jié)型管，三個(gè)極①、②、③與G、S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系如題5解圖所示。四、解：因?yàn)槿还茏泳虚_(kāi)啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。13. N溝道耗盡型 14. 恒流源。 UGS(th) 。因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管少數(shù)載流子不參與導(dǎo)電，所以熱穩(wěn)定性好。②晶體管是電流控制型器件；場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件。9. 自給，分壓式。源（S），源（S）,漏(D)。 。3. 共源、共漏，共柵。與的變化量之比?？梢苑謩e考慮輸入回路電容（、）和輸出回路電容（）的影響，再綜合考慮它們共同作用時(shí)對(duì)電路下限截止頻率的影響。在高頻區(qū)，根據(jù)題意，晶體管的結(jié)電容可以忽略，影響電路上限截止頻率的電容只有負(fù)載等效電容。串聯(lián)后總的等效電容為： 故 十九、解 采用估算法。十七、解 先求各級(jí)的IEQ 及rbe 求各級(jí)的等效負(fù)載電阻 R’L2= R8// Ri3= R8// R9// R10//[rbe3+(1+β3)( R11// RL)] = [+(1+50)()]= kΩ R’L3= R11// RL= 求各級(jí)的電壓放大倍數(shù)及整個(gè)電路的電壓放大倍數(shù) =(－) =－ Ri= Ri1= R1// R2// rbe1= 10//第二級(jí)的輸出電阻Ro2（= R8）是第三級(jí)的信號(hào)源內(nèi)阻，故十八、解 由于負(fù)載開(kāi)路，C2不影響整個(gè)電路的fL。其中 題14解圖 Ri= RB//[ rbe+(1+β)(RE// RL )= 43//[+(1+80)()]= kΩ 十五、解 本題電路中，基極電流較大，應(yīng)利用戴維南定理等效，并考慮偏置電阻的影響后，計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)。十一、解 2 |ICQ RC|=22= V 2|UCEQ|=2| VCC－ICQ RC|=2|－10+2|= V故 Uopp =2 |ICQ RC|= V Ri= RB// rbe=560//= kΩ十二、 解 Ri= RB1// RB2//[ rbe+(1+β) RE]= 50//10//[+(1+99)] kΩ Ri= kΩ Ro= RC = 十三、解 微變等效電路如題13解圖所示。圖(d)電路能實(shí)現(xiàn)小信號(hào)正常放大。圖(c) 電路也不能實(shí)現(xiàn)正常放大。圖(b)電路不能實(shí)現(xiàn)正常放大。（e）可能十、解 圖(a)電路不能實(shí)現(xiàn)正常放大。 （3）當(dāng)VBB＝3V時(shí)，因?yàn)? μA 所以T處于飽和狀態(tài)。管號(hào)T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee