【正文】 信號(hào)的頻域分析與處理。（3）電子測(cè)量的基本對(duì)象，測(cè)量系統(tǒng)的靜態(tài)特性與動(dòng)態(tài)特性。（2）電子測(cè)量的實(shí)現(xiàn)原理：變換、比較、處理、顯示技術(shù)。（2）測(cè)量結(jié)果的處理步驟，等精度測(cè)量和不等精度測(cè)量；（3）測(cè)量不確定度概念和分類，標(biāo)準(zhǔn)不確定度的A類評(píng)定方法和B類評(píng)定方法；測(cè)量不確定度的評(píng)定步驟；（4）測(cè)量數(shù)據(jù)的表示方法：一元線性回歸法、端點(diǎn)法、平均選點(diǎn)法、最小二乘法。三、題型及分值問答題40%計(jì)算題20%論述題40%考試科目3006電子測(cè)試技術(shù)及儀器考試形式筆試（閉卷）考試時(shí)間180分鐘考試總分100分一、總體要求 全面掌握各種電參量的測(cè)量方法、電子測(cè)量?jī)x器的組成原理、自動(dòng)測(cè)試技術(shù)，以及測(cè)試信號(hào)處理與分析方法，具備在測(cè)試領(lǐng)域進(jìn)行科學(xué)研究所必須的專業(yè)知識(shí)。16．掌握濾波器的定義及其種類。 14．掌握壓電效應(yīng)的定義，壓電效應(yīng)的特點(diǎn)，產(chǎn)生壓電效應(yīng)的條件及壓電效應(yīng)的機(jī)理。明確電阻器的交、直流等效電路。11．明確電容器損耗的組成，在高頻和低頻不同情況下電容器的損耗各以什么為主。9．掌握不同種類電容器在具體電路的典型應(yīng)用。能進(jìn)行基本類型抗EMI器件(如π型,T型,τ型或吸收型)的插損計(jì)算。6．明確插入損耗,反射損耗的定義并能根據(jù)定義進(jìn)行相應(yīng)的計(jì)算。4．掌握低功率線性變壓器（寬帶變壓器）的等效電路，明確各等效參數(shù)的物理意義。2．明確磁芯開氣隙后對(duì)磁芯性能影響的影響，并能進(jìn)行開隙磁芯有效磁導(dǎo)率的推算。26. 制備電子薄膜有哪些主要工藝。 24. 電子陶瓷工藝基本流程。22. 敏感材料及其分類。 20. 軟磁材料的基本特性和應(yīng)用。18. 壓電效應(yīng)與熱釋電效應(yīng)。16. 陶瓷電容器介質(zhì)材料的類型。14. 電容器電介質(zhì)的要求。直接禁帶與間接禁帶和它們的發(fā)光效率。11. 半導(dǎo)體的光吸收的類型，光電導(dǎo)的形成。 9. 本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體和補(bǔ)償半導(dǎo)體。7. 超導(dǎo)體及其基本特性。5. 復(fù)合材料與梯度功能材料與一般材料的異同。3. 電子材料常用的微觀分析法。二、內(nèi)容及比例電子材料部分（50%）：1. 電子材料的分類的方法。8. 帶電粒子和電磁場(chǎng)的相互作用掌握用矢勢(shì)和標(biāo)勢(shì)描述任意運(yùn)動(dòng)帶電粒子的電磁場(chǎng)；理解切倫柯夫輻射的物理機(jī)理；理解自場(chǎng)對(duì)帶電粒子的反作用及電磁質(zhì)量、輻射阻尼的概念；掌握電磁波的散射和吸收；了解經(jīng)典電動(dòng)力學(xué)的局限性。6. 電磁波的輻射 掌握用矢勢(shì)和標(biāo)勢(shì)描述電磁場(chǎng)；理解規(guī)范變換與規(guī)范不變性、Lorentz規(guī)范、推遲勢(shì)（重點(diǎn)理解）和電磁動(dòng)量的概念；重點(diǎn)掌握偶極子的輻射場(chǎng)。4. 靜磁問題理解靜磁場(chǎng)的磁矢勢(shì)、磁標(biāo)勢(shì)；理解穩(wěn)恒電流磁場(chǎng)的能量；了解磁多極矩；重點(diǎn)掌握描述靜磁場(chǎng)的兩種方法：（1）引入磁矢勢(shì)結(jié)合磁矢勢(shì)微分方程，用類似于靜電場(chǎng)的方法求解靜磁場(chǎng)；（2）引入磁標(biāo)勢(shì)并利用假想磁荷的概念建立磁標(biāo)勢(shì)所滿足的方程，用類似求解靜電場(chǎng)的方法求解靜磁場(chǎng)。考試科目3004電動(dòng)力學(xué)考試形式筆試（開卷）考試時(shí)間180分鐘考試總分100分一、總體要求二、內(nèi)容及比例1. 數(shù)學(xué)準(zhǔn)備知識(shí)（矢量分析和場(chǎng)論） 2. 電磁現(xiàn)象的普遍規(guī)律 掌握麥克斯韋方程組的導(dǎo)出；理解介質(zhì)中的電磁性質(zhì)方程，電磁場(chǎng)與電荷體系的能量守恒與能量轉(zhuǎn)換，電磁能量密度、能流密度和電磁動(dòng)量密度的概念；理解并掌握麥克斯韋方程組（包括介質(zhì)中的麥克斯韋微分方程組），邊值關(guān)系以及洛侖茲力公式。二、內(nèi)容及比例全面掌握以下內(nèi)容：（1） 張克潛，《微波與光電子學(xué)中的電磁理論》，前五章；（2） R. F. Harrington，TimeHarmonic Electromagnetics，前三章。二、內(nèi)容及比例1． 掌握熱力學(xué)第一定律、卡諾循環(huán)、化學(xué)反應(yīng)熱的計(jì)算、基爾霍夫定律；2． 掌握熱力學(xué)第二、三定律、各熱力學(xué)函數(shù)的計(jì)算、各熱力學(xué)函數(shù)的關(guān)系、克拉貝龍方程及其應(yīng)用、多組分體系的偏摩爾量及化學(xué)勢(shì)；3． 掌握理想、非理想氣體、溶液化學(xué)勢(shì)的計(jì)算、稀溶液化學(xué)勢(shì)的應(yīng)用；4． 掌握相律及相平衡的基本原理、二、三組分體系相圖的識(shí)別；5． 掌握不同化學(xué)平衡常數(shù)表示法之間的關(guān)系、不同條件對(duì)化學(xué)平衡的影響關(guān)系；6． 掌握摩爾電導(dǎo)率與溶液濃度的關(guān)系、離子獨(dú)立移動(dòng)定律、電導(dǎo)測(cè)定的應(yīng)用；電解質(zhì)平均活度及活度系數(shù)的計(jì)算；7． 掌握可逆電池的熱力學(xué)、可逆電池電動(dòng)勢(shì)計(jì)算及其應(yīng)用；8． 掌握超電勢(shì)的原理及計(jì)算、溶液中不同成分的分離原理；9． 掌握簡(jiǎn)單級(jí)數(shù)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)方程及應(yīng)用、三種復(fù)雜反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)方程、阿侖尼烏斯公式及其應(yīng)用、直鏈反應(yīng)歷程的驗(yàn)證、光化學(xué)及催化化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)；10． 掌握彎曲表面的附加壓力及蒸氣壓的計(jì)算、固體表面的吸附、氣－固表面催化反應(yīng)動(dòng)力學(xué)；11． 膠體化學(xué)的基本知識(shí)。8. 分析CV特性曲線中固定電荷的影響。6. 定義閾值電壓。4. 分析金屬半導(dǎo)體功函數(shù)差的意義。2. 描述MOS結(jié)構(gòu)中反型層電荷的產(chǎn)生過程。5. 解釋歐姆接觸。3. 解釋肖特基勢(shì)壘降低現(xiàn)象以及這種現(xiàn)象對(duì)肖特基勢(shì)壘二極管反向飽和電流的影響。l 理解鏡像力降低效應(yīng)l 理解歐姆接觸和隧道效應(yīng)重要術(shù)語：1. 功函數(shù)2. 肖特基勢(shì)壘3. 金屬和半導(dǎo)體接觸4. 少數(shù)載流子的注人5. 歐姆接觸6. 鏡像力7. 隧道效應(yīng)知識(shí)點(diǎn)： 學(xué)完本章后，學(xué)生應(yīng)具備如下能力：1. 能大致畫出肖特基勢(shì)壘二極管在零偏、反偏以及正偏時(shí)的能帶圖。7. 了解過剩載流子濃度的表面效應(yīng)。5. 描述電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。3. 論述電子和空穴與時(shí)間無關(guān)的擴(kuò)散方程的推導(dǎo)過程。重要術(shù)語：1. 非平衡載流子的產(chǎn)生2. 非平衡載流子的復(fù)合3. 非平衡載流子4. 非平衡少子壽命產(chǎn)生率5. 小注入6. 少子擴(kuò)散長(zhǎng)度7. 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)8. 復(fù)合率9. 表面態(tài)知識(shí)點(diǎn)： 學(xué)完本章后，學(xué)生應(yīng)具備如下能力：1. 論述非平衡產(chǎn)生和復(fù)合的概念。4. 定義遷移率，并論述遷移率對(duì)溫度和電離雜質(zhì)濃度的依賴關(guān)系。2. 解釋為什么在外加電場(chǎng)作用下載流子達(dá)到平均漂移速度。l 理解強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)、多能谷散射。11. 描述費(fèi)米能級(jí)隨溫度與摻雜濃度的變化情況。與p。9. 討論電中性的概念。的推導(dǎo)過程。7. 掌握公式ni2＝n。5. 說出 T＝300 K下Si的本征載流于濃度值。3. 推導(dǎo)出熱平衡電子濃度與空穴濃度關(guān)于費(fèi)米能級(jí)的表達(dá)式。重要術(shù)語1. 完全電離2. 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體3. 有效狀態(tài)密度4. 費(fèi)米概率分布函數(shù)5. 玻爾茲曼近似6. 本征載流子濃度ni7. 本征費(fèi)米能級(jí)EFi8. 非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體知識(shí)點(diǎn)：學(xué)完本章后，學(xué)生應(yīng)具備如下能力：1. 討論有效狀態(tài)密度函數(shù)。2. 理解完全電離的概念。l 了解鍺、硅晶體中深能級(jí)雜質(zhì)的特點(diǎn)和作用；l 理解IIIV族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)的形成及特點(diǎn)；l 了解等電子陷阱、等電子絡(luò)合物以及兩性雜質(zhì)的概念；l 了解缺陷（主要是兩類點(diǎn)缺陷弗侖克耳缺陷和肖脫基缺陷）、位錯(cuò)（一種線缺陷）施主或受主能級(jí)的形成。6. 定性地討論金屬、絕緣體和半導(dǎo)體在能帶方面的差異。4. 本征半導(dǎo)體與本征激發(fā)的概念。2. 討論硅中能帶的分裂。l 理解典型半導(dǎo)體材料鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結(jié)構(gòu)。l 理解半導(dǎo)體中電子的平均速度和加速度；l 掌握半導(dǎo)體有效質(zhì)量的概念、意義和計(jì)算。二、內(nèi)容及比例第一章、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)l 了解半導(dǎo)體的三種常見晶體結(jié)構(gòu)即金剛石型、閃鋅礦和纖鋅礦型結(jié)構(gòu)；以及兩種化合鍵形式即共價(jià)鍵和離子鍵在不同結(jié)構(gòu)中的特點(diǎn)。作為計(jì)算機(jī)專業(yè)的一門基礎(chǔ)課程，學(xué)生要了解什么是隨機(jī)過程與排隊(duì)論以及它們的應(yīng)用實(shí)例，然后當(dāng)然最重要的是如何運(yùn)用隨機(jī)過程。 環(huán)論： 環(huán)、子環(huán)、理想與商環(huán)的定義及性質(zhì)；環(huán)的同態(tài)基本定理；整環(huán)中的因子分解、既約元與素元、最大公因子的定義及其性質(zhì)；惟一分解整環(huán)的定義及其性質(zhì)；主理想整環(huán)； 歐氏環(huán)；域上一元多項(xiàng)式環(huán)的基本性質(zhì)；本原多項(xiàng)式；有理數(shù)域上多項(xiàng)式環(huán)中不可約多項(xiàng)式的Eisenstein判定法； 域論： 域的定義及其基本性質(zhì)； 代數(shù)元、超越元；代數(shù)擴(kuò)張與有限擴(kuò)張； 有限域的基本性質(zhì)與構(gòu)作。二、內(nèi)容及比例 距離線性空間：線性空間、距離空間、距離線性空間；距離空間中的拓?fù)?、可分空間；完備的距離空間；賦范線性空間；列緊性；壓縮映象原理； Hilbert空間：內(nèi)積空間；正規(guī)正交基；射影定理、FrechetRiesz表現(xiàn)定理；Hilbert共軛算子、LaxMilgram定理； Banach空間上的有界線性算子：有界線性算子；HahnBanach定理；Baire綱定理；對(duì)偶空間、二次對(duì)偶、自反空間；Banach共軛算子；算子的值域與零空間； 有界線性算子譜論：有界線性算子的譜；射影算子；緊算子；有界自伴算子；酉算子.三、題型及分值比例簡(jiǎn)答題：100%考試科目2011近世代數(shù)考試形式筆試(閉卷)考試時(shí)間180分鐘考試總分100分一、總體要求主要考察學(xué)生掌握《近世代數(shù)》的基本知識(shí)，基本理論和基本技能的情況及其用分析的理論與方法分析問題和解決問題的能力。（7）、多目標(biāo)決策1. 掌握多目標(biāo)決策非劣解的概念、經(jīng)濟(jì)意義與求解方法；2. 了解多目標(biāo)決策化多為少的方法、多目標(biāo)線性規(guī)劃解法、層次分析法。（5）、對(duì)策論1. 熟悉矩陣對(duì)策的基本定理；2. 熟悉矩陣對(duì)策的解法。（3）、動(dòng)態(tài)規(guī)劃1. 掌握動(dòng)態(tài)規(guī)劃的原理；2. 掌握動(dòng)態(tài)規(guī)劃在資源分配、生產(chǎn)與存儲(chǔ)、復(fù)合系統(tǒng)工作可靠性、設(shè)備更新問題、排序問題中的應(yīng)用。二、內(nèi)容及比例（1）、線性規(guī)劃與目標(biāo)規(guī)劃1. 掌握線性規(guī)劃的建模與單純形解法；2. 掌握對(duì)偶理論、靈敏度分析與經(jīng)濟(jì)解釋；3. 掌握目標(biāo)規(guī)劃的建模，熟悉目標(biāo)規(guī)劃的解法。（4）正交拉丁方的概念與構(gòu)造。（2）線性規(guī)劃問題的數(shù)學(xué)模型，圖解法，單純形法（含表格法與二階段法）。5. Polya定理（10%）Burnside引理、Polya定理及母函數(shù)型的Polya定理的應(yīng)用，即用上述引理和定理求解排列組合問題。4．遞推關(guān)系及其應(yīng)用（20%）（1）遞推關(guān)系的建立與解法（解法中重點(diǎn)為母函數(shù)法及求解常系數(shù)線性遞推關(guān)系的特征根法）。3. 母函數(shù)及其應(yīng)用（15%）母函數(shù)及其應(yīng)用。2. 鴿籠原理與與容斥原理（15%）（1）鴿籠原理的應(yīng)用，Ramsey數(shù)的概念，涉及Ramsey定理的有關(guān)證明。二、內(nèi)容及比例1．排列與組合（15%）（1）排列與組合（普通排列，可重排列，圓排列，普通組合，可重組合等）的計(jì)算。三、題型及分值名詞解釋：30%問答題：70%考試科目2007組合數(shù)學(xué)考試形式筆試（閉卷）考試時(shí)間180分鐘考試總分100一、總體要求筆試，閉卷，不帶計(jì)算器。運(yùn)用有關(guān)知識(shí)，解釋和設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)論證某種生化與分子生物學(xué)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。二、內(nèi)容及比例分子生物學(xué)基本理論：生物大分子（蛋白質(zhì)、核酸）的化學(xué)組成、結(jié)構(gòu)與功能；遺傳信息的復(fù)制、轉(zhuǎn)錄與翻譯；基因表達(dá)調(diào)控；DNA損傷、修復(fù)和重組；瘤相關(guān)基因；結(jié)構(gòu)基因組學(xué)和功能基因組學(xué)。二、內(nèi)容及比例一、定解問題與偏微分方程理論(25%)三類物理問題的定解問題的建立、 二階線性偏微分方程的化簡(jiǎn)與分類、二階線性偏微分方程基本理論 二、分離變量法 (15%)一維齊次混合問題分離變量解法、二維Laplace定解問題分離變量法、非齊次方程的解、非齊次邊界條件的解 三、行波法 (15%)一維波動(dòng)方程的d162。三、題型及分值比例計(jì)算題、證明題：大約各50％，但不受此比例限制。隨機(jī)變量的數(shù)字特征隨機(jī)變量的數(shù)學(xué)期望和方差的概念以及性質(zhì)和有關(guān)計(jì)算，隨機(jī)變量函數(shù)的數(shù)學(xué)期望；二項(xiàng)分布、泊松分布、均勻分布、指數(shù)分布、和正態(tài)分布的數(shù)學(xué)期望和方差；矩、協(xié)方差和相關(guān)系數(shù)的概念、性質(zhì)及有關(guān)運(yùn)算。實(shí)對(duì)稱矩陣的相似對(duì)角化. 二次型實(shí)二次型, , 正定矩陣及其判別方法.第二部分 概率論50％概率論的基本概念事件之間的關(guān)系及其基本運(yùn)算；概率定義及其基本性質(zhì)；條件概率的概念；概率的三個(gè)重要公式——概率乘法公式、全概率公式和貝葉斯公式；事件獨(dú)立性。 相似矩陣, 矩陣的相似對(duì)角化。線性相關(guān)、線性無關(guān)、向量組的秩與最大無關(guān)組, Rn的基, 維數(shù)和坐標(biāo)。 Laplace定理；伴隨矩陣、Cramer法則。逆矩陣。二、內(nèi)容及比例第一部分 線性代數(shù)50％矩陣及初等變換矩陣及其運(yùn)算。14. 保形變換 解析變換的特征，導(dǎo)數(shù)的幾何意義，單葉解析變換的共形性，分式線性變換，唯一決定分式線性變換的條件。12. 解析函數(shù)的洛朗展開式與孤立奇點(diǎn) 解析函數(shù)的洛朗展開式，解析函數(shù)的孤立奇點(diǎn)，皮卡定理，解析函數(shù)在無窮遠(yuǎn)點(diǎn)的性態(tài)，整函數(shù)與亞純函數(shù)的概念。10. 復(fù)變函數(shù)的積分 復(fù)積分的概念及基本性質(zhì)，柯西－古薩基本定理（單連通與復(fù)連通域），定積分與原函數(shù)，柯西積分公式，高階導(dǎo)數(shù)公式，解析函數(shù)的無窮可微性，劉維爾定理，摩勒拉定理，調(diào)和函數(shù)與共軛調(diào)和函數(shù)，平均值定理與極值原理。8. 復(fù)數(shù)與復(fù)變函數(shù) 復(fù)數(shù)、復(fù)平面上的點(diǎn)集，復(fù)數(shù)的代數(shù)運(yùn)算、乘冪與方根，復(fù)數(shù)的三角表示，復(fù)變函數(shù)，極限，連續(xù)性，區(qū)域與若爾當(dāng)曲線，復(fù)球面與無窮遠(yuǎn)點(diǎn)。5. 格林函數(shù)法 拉普拉斯方程第一、第二類邊值問題的提法，格林公式和應(yīng)用，格林函數(shù)的性質(zhì)，一些特殊