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正文內(nèi)容

電子電工綜合實(shí)驗(yàn)-文庫(kù)吧資料

2025-06-23 14:21本頁(yè)面
  

【正文】 凹電阻(Us=6V,R=2kΩ;Us=12V,R=2kΩ)并聯(lián),然后再與一個(gè)凸電阻(Is=6mA,R=2/3kΩ)串聯(lián)而得。 圖5C 并聯(lián)分解法設(shè)計(jì)電路圖2并聯(lián)分解法在伏安特性圖中以電壓U軸為界來(lái)分解曲線。化簡(jiǎn)后的電路如圖5所示。= 圖4a + 圖4c圖4b由觀察可知,原圖線中第三象限部分是第一象限部分旋轉(zhuǎn)180176。在電流不變的基礎(chǔ)上將電壓相加,第一象限內(nèi)可得到以下分段函數(shù)表達(dá)式:。圖4中,iu曲線的斜率仍然為電阻R1的倒數(shù),則iu函數(shù)表達(dá)式為.B 串聯(lián)分解法設(shè)計(jì)電路圖1串聯(lián)分解法在伏安特性圖中以電流I軸為界來(lái)分解曲線?!菊摹繉?shí)驗(yàn)材料與設(shè)備裝置電路圖1:直流電流表 AMMETER_H 內(nèi)阻1e009Ω二極管D1,D2 值〔模型〕:SS32 封裝:DO214AB 制造廠商:generic電路圖2: 直流電流表 AMMETER_H 內(nèi)阻1e009Ω二極管D1,D2,D3,D4,D5,D6 值(模型):DIODE_VIRTUAL實(shí)驗(yàn)過(guò)程A 了解凹、凸電阻的概念如右圖,當(dāng)直流電壓源、理想二極管與一個(gè)電阻串聯(lián)時(shí),電路對(duì)外等效為一個(gè)凹電阻(伏安特性曲線如附錄圖3),它是由VDR1三個(gè)元件的伏安關(guān)系特性在i相等的情況下相加而得。⑥混沌。⑤頻率捕捉。非線性電路中,參數(shù)(電阻、電感、振幅等)改變到分岔值
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