電磁爐工作原理及電磁爐電路圖分析-文庫吧資料
2025-06-22 15:11本頁面
【正文】 產(chǎn)生 V3,R1+R17 、 R28 分壓產(chǎn)生 V4, 在高頻電流的一個周期里 , 在 t2~t4 時間 ( 圖 1), 由于 C14 兩端電壓為上負下正 , 所以 V3V5,V7 OFF(V7=0V), 振蕩沒有輸出 , 也就沒有開關(guān)脈沖加至 Q1 的 G 極 , 保證了 Q1 在 t2~t4 時間 不會導(dǎo)通 , 在 t4~t6 時間 ,C3 電容兩端電壓消失 , V3V4, V5 上升 , 振蕩有輸出 , 有開關(guān)脈沖加至 Q1 的 G 極。 PWM 脈寬調(diào)控電路CPU 輸出 PWM 脈沖到由 R30 、 C27 、 R31 組成的積分電路 , PWM 脈沖寬度越寬 ,C28 的電壓越高 ,C29 的電壓也跟著升高 , 送到振蕩電路 (G 點 ) 的控制電壓隨著 C29 的升高而升高 , 而 G 點輸入的電壓越高 , V7 處于 ON 的時間越長 , 電磁爐的加熱功率越大 , 反之越小?！?G 點輸入的電壓越高 , V7 處于 ON 的時間越長 , 電磁爐的加熱功率越大 , 反之越小”。(1) 當(dāng) PWM 點有 Vi 輸入時、 V7 OFF 時 (V7=0V), V5 等于 D6 的順向壓降 , 而當(dāng) V5(2) 當(dāng) V5V6 時 ,V7 轉(zhuǎn)態(tài)為 OFF,V6 亦降至 D6 的順向壓降 , 而 V5 則由 C16 、 D6 放電。以上分析證實兩個問題 : 一是在高頻電流的一個周期里 , 只有 i1 是電源供給 L 的能量 , 所以 i1 的大小就決定加熱功率的大小 , 同時脈沖寬度越大 ,t1~t2 的時間就越長 ,i1 就越大 , 反之亦然 , 所以要調(diào)節(jié)加熱功率 , 只需要調(diào)節(jié)脈沖的寬度 。 t4~t5 的 i4 是 IGBT 內(nèi)部阻尼管的導(dǎo)通電流 , 在高頻電流一個電流周期里 ,t2~t3 的 i2 是線盤磁能對電容 C3 的充電電流 ,t3~t4 的 i3 是逆程脈沖峰壓通過 L1 放電的電流 ,t4~t5 的 i4 是 L1 兩端電動勢反向時 , 因的存在令 C3 不能繼續(xù)反向充電 , 而經(jīng)過 C2 、 IGBT 阻尼管回流所形成的阻尼電流 ,IGBTQ1 的導(dǎo)通電流實際上是 i1 。(8) FGA25N120 美國仙童公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 ℃ 時 42A,100 ℃ 時 23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。(6) GT60M303 東芝公司出品 , 耐壓 900V, 電流容量 25 ℃ 時 120A,100 ℃ 時 60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。(4) GT40T101 東芝公司出品 , 耐壓 1500V, 電流容量 25 ℃ 時 80A,100 ℃ 時 40A, 內(nèi)部不帶阻尼二極管 , 所以應(yīng)用時須配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 使用 , 該 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 GT40T301 。(2) SKW25N120 西門子公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 ℃ 時 46A,100 ℃ 時 25A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用時將原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 IGBT將場控型器件的優(yōu)點與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。 , 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時不會受損壞。IGBT的特點:, 是MOSFET的數(shù)十倍。 IGBT有三個電極(見上圖), 分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發(fā)射極E(也稱源極) 。 IGBT絕緣雙柵極晶體管 (Iusulated Gat
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