電磁爐工作原理及電磁爐電路圖分析(已修改)
2025-06-28 15:11 本頁(yè)面
【正文】 電磁爐工作原理及電磁爐電路圖分析電磁爐工作原理及電磁爐電路圖分析(一)電磁爐是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的廚房電器。在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將 50/60Hz 的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過(guò)控制電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為 2040KHz 的高頻電壓，高速變化的電流流過(guò)線(xiàn)圈會(huì)產(chǎn)生高速變化的磁場(chǎng)，當(dāng)磁場(chǎng)內(nèi)的磁力線(xiàn)通過(guò)金屬器皿 ( 導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料 ) 底部金屬體內(nèi)產(chǎn)生無(wú)數(shù)的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。二、電磁爐電路工作原理分析 常用元器件簡(jiǎn)介 LM339 集成電路LM339 內(nèi)置四個(gè)翻轉(zhuǎn)電壓為 6mV 的電壓比較器 , 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時(shí) (+ 輸入端電壓高于 入輸端電壓 ), 置于 LM339 內(nèi)部控制輸出端的三極管截止 , 此時(shí)輸出端相當(dāng)于開(kāi)路 。 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí) ( 輸入端電壓高于 + 輸入端電壓 ), 置于 LM339 內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通 , 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低 , 此時(shí)輸出端為 0V 。 IGBT絕緣雙柵極晶體管 (Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵(lì)場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工藝制作的 IGBT, 但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。 IGBT有三個(gè)電極(見(jiàn)上圖), 分別稱(chēng)為柵極G(也叫控制極或門(mén)極) 、集電極C(亦稱(chēng)漏極) 及發(fā)射極E(也稱(chēng)源極) 。 從IGBT的下述特點(diǎn)中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個(gè)致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時(shí), 導(dǎo)通電阻大, 器件發(fā)熱嚴(yán)重, 輸出效率下降。IGBT的特點(diǎn):, 是MOSFET的數(shù)十倍。, 柵驅(qū)動(dòng)功率極小, 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。在給定芯片尺寸和BVceo下, 其導(dǎo)通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。 , 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì)受損壞。 , 關(guān)斷時(shí)間短,耐壓1kV~、, 約為GTR的10%,接近于功率MOSFET, 開(kāi)關(guān)頻率直達(dá)100KHz, 開(kāi)關(guān)損耗僅為GTR的30%。 IGBT將場(chǎng)控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。目前 458 系列因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的 IGBT, 它們的參數(shù)如下 :(1) SGW25N120 西門(mén)子公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 ℃ 時(shí) 46A,100 ℃ 時(shí) 25A, 內(nèi)部不帶阻尼二極管 , 所以應(yīng)用時(shí)須配套 6A/1200V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 使用 , 該 IGBT 配套 10A/1200/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 SKW25N120 。(2) SKW25N120 西門(mén)子公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 ℃ 時(shí) 46A,100 ℃ 時(shí) 25A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用時(shí)將原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。(3) GT40Q321 東芝公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 ℃ 時(shí) 42A,100 ℃ 時(shí) 23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時(shí)請(qǐng)將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。(4) GT40T101 東芝公司出品 , 耐壓 1500V, 電流容量 25 ℃ 時(shí) 80A,100 ℃ 時(shí) 40A, 內(nèi)部不帶阻尼二極管 , 所以應(yīng)用時(shí)須配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 使用 , 該 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管
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