(doc)-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識(shí)點(diǎn)總結(jié)-文庫(kù)吧資料
2024-11-12 01:07本頁(yè)面
【正文】 型場(chǎng)效應(yīng)管一致。 結(jié)構(gòu)示 意圖和電路符號(hào) 2. 特性曲線 *NEMOS的輸出特性曲線 * NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線 式中， IDO是 UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的 iD值。 * 輸入電阻高，輸出電阻低。六 . 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析 （ 1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算 （ 2） Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件 欲使 Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足 RB＞ βRc 。 *當(dāng)（ UCEQ－ UCES）＜（ VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （ UCEQ－ UCES）。 4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍 （ 1） Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 （ 2） 飽和失真 *產(chǎn)生原因 Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高 *失真現(xiàn)象 NPN管削底， PNP管削頂。 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真 （ 1）截止失真 *產(chǎn)生原因 Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低 *失真現(xiàn)象 NPN管削頂， PNP管削底。 *作用 分析信號(hào)被放大的過(guò)程。 3）改變VCC：直流負(fù)載線平移， Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。 *電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 1）改變 Rb ： Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。 *畫(huà)法 電容視為開(kāi)路。 能放大、不失真、能傳輸。 溫度升高 ICBO、 ICEO 、 IC以及 β 均增加。 截止區(qū) 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 3. 共 射電路的特性曲線 *輸入特性曲線 同二極管。 基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 *三種模型 微變等效電路法 三 .穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路 *穩(wěn)壓二極管的特性 正常工作時(shí)處在 PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。2) 等效電路法 直流等效電路法 *總的解題手段 將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V陽(yáng) V陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 )。 若 V陽(yáng) V陰 ( 反偏 )，二極管截止 (開(kāi)路 )。 *死區(qū)電壓 硅管 ，鍺管 。 *二極管伏安特性 同ＰＮ結(jié)。 * PN結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通，反偏截止。 *轉(zhuǎn)型 通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。 6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *P型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià) 元素（多子是空穴，少子是電子）。 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。_知識(shí)點(diǎn)總結(jié) 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié) 第一章 半導(dǎo)體二極管 一 .半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) (如硅 Si、鍺 Ge)。 光敏、熱敏和摻雜特性。 4. 兩種載流子 帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。 *N型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。 *體電阻 通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。 7. PN結(jié) * PN結(jié)的接觸電位差 硅材料約為 ~，鍺材料約為
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