預(yù)防性試驗ppt課件-文庫吧資料
2025-06-01 00:35本頁面
【正文】 12 絕緣內(nèi)部氣隙局部放電的等值電路 在固體或液體介質(zhì)內(nèi)部 g處存在一個氣隙或氣泡， Cg代表該氣隙的電容， Cb代表與該氣隙串聯(lián)的那部分介質(zhì)的電容， Ca則代表其余完好部分的介質(zhì)電容 。 目前得到廣泛應(yīng)用而且比較成功的方法是電的方法，即測量絕緣中的氣隙發(fā)生放電時的 電脈沖 。有些屬于電的，例如電脈沖、介質(zhì)損耗的增大和電磁波輻射，有些屬于非電的，如光 、 熱 、 噪音 、 氣體壓力 的變化和 化學 變化。試驗中應(yīng)盡可能采用屏蔽，除污等方法消除這些影響。 ? 值的測量，最常用的是西林電橋。但對電容量較大的試品 (例如大中型發(fā)電機、變壓器、電力電纜、電力電容器等 )測量 tanδ只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷 4. 試品表面泄漏的影響 試品表面泄漏電阻總是與試品等值電阻 Rx并聯(lián)，顯然會影響所測得的 tanδ值，這在試品的 Cx較小時尤需注意。現(xiàn)場試驗時的絕緣溫度是不一定的，所以為了便于比較，應(yīng)將在各種溫度下測得的tanδ值換算到 20℃ 時的值。 （ 2） 采用移相電源 （ 3） 倒相法 圖 410移相電源消除干擾的接線圖 返回 西林電橋測量法的其他影響因素 溫度對 tanδ值的影響很大，具體的影響程度隨絕緣材料和結(jié)構(gòu)的不同而異。這時等值干擾電源電壓就會通過對試品高壓電極的雜散電容產(chǎn)生 干擾電流 ，影響測量。這時就不能用上述正接線來測量它們的 tanδ，而應(yīng)改用圖 48所示的 反接線 法進行測量。在實際操作中，由于 R3和 Z4相互之間也有影響，故需反復調(diào)節(jié) R3和C4，才能達到電橋的平衡。為了確保人身和設(shè)備安全，在低壓臂上并聯(lián)有放電管（ A、 B兩點對地），以防止在 R C4等需要調(diào)節(jié)的元件上出現(xiàn)高壓。 西林電橋測量法的基本原理 43xnZ Z Z Z?根據(jù)電容平衡原理，當 : 式中 Zx、 Zn、 Z Z4分別是電橋的試樣阻抗，標準電容器阻抗以及橋臂 Z3和 Z4的阻抗 11xxxjCZRw=+ 1NNZ jCw=33ZR= 44411 jCZR w=+42311 t a nxN xRCCR ??? ?44ta n x CR???解所得方程式，得 (46) （ 47） （ 48） （ 49） 當 時，試樣電容可近似地按下式計算： ta n 0 .1x? ?43xNRCCR?（ 410） 因此，當橋臂電阻 R3， R4和電容 CN， C4已知時就可以求得試樣電容和損耗角正切，計算出 Cx后，根據(jù)試樣與電極的尺寸在計算其相對介電常數(shù)。 但是，測量 tanδ不能靈敏地反映大容量發(fā)電機、變壓器和電力電纜 (它們的電容量都很大 )絕緣中的局部性缺陷，這時應(yīng)盡可能將這些設(shè)備分解成幾個部分，然后分別測量它們的 tanδ。 返回 介質(zhì)損耗角正切的測量 tanδ能反映絕緣的 整體性缺陷 (例如 全面老化 )和 小電容 試品中的 嚴重局部性缺陷 。 目前常用的絕緣電阻測試 BY2671數(shù)字兆歐表 (本節(jié)完 ) 小 結(jié) ?絕緣電阻 是一切電介質(zhì)和絕緣結(jié)構(gòu)的絕緣狀態(tài)最基本的 綜合特性參數(shù) 。 工作原理 為：經(jīng)電子線路構(gòu)成的高壓發(fā)生器將低壓轉(zhuǎn)
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