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2025-05-07 13:17本頁面
【正文】 穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ui 8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二極管截止，可看作開路 uo = ui 已知： 二極管是理想的，試畫出 uo 波形。 V1陽 =－ 6 V， V2陽 =0 V， V1陰 = V2陰 = － 12 V UD1 = 6V， UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 優(yōu)先導(dǎo)通， D1截止。 在這里，二極管起鉗位作用。 若 V陽 V陰 或 UD為正 ( 正向偏置 )，二極管導(dǎo)通 若 V陽 V陰 或 UD為負(fù) ( 反向偏置 )，二極管截止 若二極管是理想的， 正向?qū)〞r正向管壓降為零，反向截止時二極管相當(dāng)于斷開。 4. 二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。 2. 二極管加反向電壓（反向偏置，陽極接負(fù)、陰極接正 ）時， 二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。硅管的反向電流較小 ，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。 3. 反向峰值電流 IRM 指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。 2. 反向工作峰值電壓 URWM 是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓 UBR的一半或三分之二。 正向特性 反向特性 特點：非線性 硅 ~鍺 ~ U I 死區(qū)電壓 P N + – P N – + 反向電流 在一定電壓 范圍內(nèi)保持 常數(shù)。 反向擊穿 電壓 U(BR) 導(dǎo)通壓降 外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。 PN結(jié)結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。 結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。 內(nèi)電場 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 半導(dǎo)體二極管 基本結(jié)構(gòu) (a) 點接觸型 (b)面接觸型 結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。 IR P接負(fù)、 N接正 溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增加。 PN 結(jié)加正向電壓時， PN結(jié)變窄，正向電流較大，正向電阻較小， PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。 空間電荷區(qū)也稱 PN 結(jié) 擴(kuò)散和漂移這一對相反的運動最終達(dá)到動態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 （ a. 電子電流、 ） b a 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 PN結(jié) PN結(jié)的形成 多子的擴(kuò)散運動 內(nèi)電場 少子的漂移運動 濃度差 P 型半導(dǎo)體 N 型半導(dǎo)體 內(nèi)電場越強(qiáng)，漂移運動越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。 3. 當(dāng)溫度升高時，少子的數(shù)量 （ a. 減少、 b. 不變、 c. 增多）。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 1. 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子的數(shù)量與 （ a. 摻雜濃度、 ）有關(guān)。 摻入三價元素 Si Si Si Si 在 P 型半導(dǎo)體中 空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。 在 N 型半導(dǎo)體中 自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 N型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體 摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為電子半導(dǎo)體或 N型半導(dǎo)體。 自由電子和 空穴成對地產(chǎn)生的同時，又不斷復(fù)合。 所以，溫度對半導(dǎo)體器件性能影響很大。 自由電子 在外電場的作用下，空穴吸引相鄰原子的價電子來填補(bǔ)，而在該原子中出現(xiàn)一個空穴，其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運動（相當(dāng)于正電荷的移動）。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。 晶體中原子的排列方式 硅單晶中的共價健結(jié)構(gòu) 共價健 共價鍵中的兩個電子，稱為 價電子 。 光敏性： 當(dāng)受到光照時，導(dǎo)電能力明顯變化 (可做 成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極 管、光敏三極管等 )。 下一頁 總目錄 章目錄 返回
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