模擬電子技術(shù)ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-01-20 23:03本頁(yè)面
【正文】 )時(shí)， UT =26mV。 2 摻雜后 N 型半導(dǎo)體中的 自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 典型數(shù)據(jù)如下 : 半導(dǎo)體中的電流 (Currents in Semiconductor) 空穴 自由電子 N型半導(dǎo)體 電場(chǎng)方向 漂移電流 自由電子濃度分布 空穴濃度分布 擴(kuò)散電流 PN結(jié) (The PN Junction) 形成 實(shí)質(zhì) 電容效應(yīng) 單向?qū)щ娦? 形成 兩種載流子的 兩種運(yùn)動(dòng) 動(dòng)態(tài)平衡時(shí) 形成 PN結(jié) 兩種運(yùn)動(dòng)： 擴(kuò)散 Diffusion 漂移 Drift （濃度差） （電場(chǎng)力） 濃度差 ? 多子擴(kuò)散 ? 空間電荷區(qū) (雜質(zhì)離子 ) ? 內(nèi)電場(chǎng) ? ? 促少子 阻多子 漂移 擴(kuò)散 ? ? 動(dòng)態(tài)平衡時(shí) PN結(jié)形成過(guò)程 ： 實(shí)質(zhì) PN結(jié) =空間電荷區(qū) (Space charge region ) =耗盡層 (Depletion layer) =內(nèi)電場(chǎng) (builtin potential barrier) (barrier:勢(shì)壘） =非線性電阻 不對(duì)稱(chēng) PN結(jié) 單向?qū)щ娦? 單向?qū)щ娦?： PN結(jié) 正偏 時(shí)導(dǎo)通（大電流）， PN結(jié) 反偏 時(shí)截止（小電流）。 多 數(shù)載流 子 ：電子 （ 主要由 雜質(zhì)原子提供） 少 數(shù)載流 子 ：空穴 （ 由熱激發(fā)形成） 通過(guò) 少量 摻 入 三 價(jià) 雜 質(zhì)元素（如：硼、鎵和銦等），極大增加 空穴 的數(shù)目。 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到%， 常稱(chēng)為 “ 九個(gè) 9”。 半導(dǎo)體器件的種類(lèi)及發(fā)展 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí) PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 基本要求 Diode and Diode Circuits 半導(dǎo)體器件的種類(lèi)及發(fā)展 １ 、 種類(lèi) ： 二極管 、 三極管 、 場(chǎng)效應(yīng)管 、 集成電路 （ IC） [Integrated Circuit] ２、 發(fā)展 ： 電子器件 的更新?lián)Q代推動(dòng)電子技術(shù)的發(fā)展，其中 電子學(xué)發(fā)展史上 三個(gè)重要里程碑 ： 1)1906年 電子管 發(fā)明（進(jìn)入電子時(shí)代） 2)1948年 晶體管 問(wèn)世（ 半導(dǎo)體器件 ） 3)60年代 集成電路 出現(xiàn) (進(jìn)入信息時(shí)代 ) 目前，貝爾實(shí)驗(yàn)室正研制超小體積和超低功耗的第四代半導(dǎo)體器件 ，它的問(wèn)世將掀起電子技術(shù)新革命 : 微機(jī)電系統(tǒng) (Micro Electro Mechanical Systems， MEMS) 外形尺寸在 毫米量級(jí) ， 組成元器件尺寸在納米 、 微米量級(jí) 將信號(hào)探測(cè) 、 處理 、 控制和執(zhí)行各子系統(tǒng)集成于一體的 可運(yùn)作微型機(jī)電裝置 。 例：德國(guó)工程師制成 黃蜂大小 的能升空的直升飛機(jī) 應(yīng)用：軍事 （ 小型間諜飛機(jī) ） 單芯片系統(tǒng) (system on chip) 一片單芯片系統(tǒng) ＝ 一顆衛(wèi)星 微型計(jì)算機(jī) （ 嵌入衣服
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