【正文】 / D 7116P 3. 2 2/ A 2241P 1. 2 2/ P I P E S T A T 186U1L P C 22 00D7D6D5D4D3D2D1D0A1nW EnO EnC EW A I TV D D 3. 3A0C1104C2104V D D 3. 3NC1NC2DNU3NC4NC5NC6R / B7RE8CE9DNU10NC11V c c12V s s13NC14DNU15C L E16A L E17WE18WP19NC20NC21DNU22NC23NC24NC25NC26DNU27NC28I / O 029I / O 130I / O 231I / O 332NC33DNU34NC35V s s36V c c37NC38DNU39NC40I / O 441I / O 542I / O 643I / O 744NC45DNU46NC47NC48U2K 9F 28 08 U 0C? 命令輸入： 0x83000001 （ CLE=1， ALE=0） ? 地址輸入： 0x83000002 （ CLE=0， ALE=1） ? 數(shù)據(jù)操作： 0x83000000 （ CLE=0， ALE=0） 74 通信類(lèi)芯片 1. 網(wǎng)絡(luò)芯片 應(yīng)用條件 ? 有嵌入式的網(wǎng)絡(luò)協(xié)議棧； ? 有網(wǎng)絡(luò)接口芯片。應(yīng)用 NAND型的困 難在于 FLASH的管理和需要特殊的系統(tǒng)接 口。 SST39VF160 NAND型 內(nèi)部數(shù)據(jù)以塊為單位進(jìn)行存儲(chǔ)，地址線和 數(shù)據(jù)線共用，使用控制信號(hào)選擇。 FLASH存儲(chǔ)器主要分為兩種： ? NOR型 FLASH ? NAND型 FLASH 69 類(lèi)型 特點(diǎn) 芯片舉例 NOR型 可以直接讀取芯片內(nèi)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)，速度 比較快，但價(jià)格較高。 數(shù)據(jù)線 字選擇 68 FLASH接口 FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存，是一種可在線多次擦除的非易失性存儲(chǔ)器，即，掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。 SDRAM價(jià)格便宜，外圍接口電路復(fù)雜。 65 ? 容量： 512K字節(jié)； ? 數(shù)據(jù)寬度： 16位； ? 工作電壓： ； SRAM接口電路 —— IS61LV25616 IS61LV25616 1. SRAM接口電路 66 A01A12A23A34A45CE6I / O 07I / O 18I / O 29I / O 310V c c11V s s12I / O 413I / O 514I / O 615I / O 716WE17A518A619A720A821A922A 1023A 1124A 1225A 1326A 1427NC28I / O 829I / O 930I / O 1 031I / O 1 132V c c33V s s34I / O 1 235I / O 1 336I / O 1 437I / O 1 538B L E39B H E40OE41A 1542A 1643A 1744U2I S 61 L V 2561 6A LD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9D 10D 11D 12D 13D 14D 15A1A2A3A4A5A6A7A8A9A 10A 11A 12A 13A 14A 15A 16A 17V D D C 30104A d d r e s s : 0 x 8 0 0 0 0 0 0 0 0 x 8 0 0 7 F F F F ( B a n k0 時(shí) )A 18A1A2A3A4A5A6A7A8A9A 10A 11A 12A 13A 14A 15A 16A 17A 18D0D1D2D3D4D5D6D7D8D9D10D11D12D13D14D15P 7/ W E29P 1/ A 2144P 0/ A 2045P 9/ A 1946P 8/ A 1847P 7/ A 1748P 6/ A 1653P 5/ A 1555P 4/ A 1456P 3/ A 1362P 2/ A 1263P 1/ A 1164P 0/ A 1065P / A 966P / A 871P / A 772P / A 673P / A 574P / A 480P / A 381P / A 287P / A 188P / A 089P / O E90P2.0/D098P2.1/D1105P2.2/D2106P2.3/D3108P2.4/D4109P2.5/D5114P2.6/D6115P2.7/D7116P2.8/D8117P2.9/D9118P2.10/D10120P2.11/D11124P2.12/D12125P2.13/D13127P2.14/D14129P2.15/D15130P 3/ A 23/ X C L K40P 2/ A 2241P / C S 091P 1/ B L S 096P 0/ B L S 197U1L P C 220067 2. SDRAM接口電路 DRAM概述 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（ DRAM）的內(nèi)存單元是由晶體管和電容搭配組成的，需要定時(shí)刷新電容上的電荷。 （ JTAG） 60 （ JTAG） 61 提綱 ? 嵌入式系統(tǒng)組成原理 ? 嵌入式最小系統(tǒng) ? 嵌入式系統(tǒng)擴(kuò)展 62 嵌入式系統(tǒng)擴(kuò)展 ? 內(nèi)存類(lèi)芯片 （ SRAM、 SDRAM、 NOR FLASH、 NAND FLASH… ） ? 通信類(lèi)芯片 （網(wǎng)絡(luò)、 USB、 UART接口、 CAN總線、 I2C接口 …… ） ? 其他類(lèi)芯片 （ A/D、 D/A、傳感器、 LCD…… ） 63 內(nèi)存類(lèi)芯片 芯片種類(lèi) 讀寫(xiě)方式 擴(kuò)展方式 功能和特點(diǎn) 價(jià)格 SRAM 線性讀、寫(xiě) 地址數(shù)據(jù)總線 運(yùn)行代碼 可讀寫(xiě)數(shù)據(jù) 速度很快 貴 NOR FLASH 線性讀 寫(xiě)需要根據(jù)時(shí)序 地址數(shù)據(jù)總線 固化代碼和數(shù)據(jù) 運(yùn)行代碼 只讀數(shù)據(jù) 較貴 SDRAM 線性讀、寫(xiě) 特殊內(nèi)存控制器的支持 運(yùn)行代碼 可讀寫(xiě)數(shù)據(jù) 便宜 NAND FLASH 根據(jù)時(shí)序讀寫(xiě) GPIO或者普通總線方式 可大規(guī)模讀寫(xiě)數(shù)據(jù) 不能線性訪問(wèn) 便宜 64 1. SRAM接口電路 SRAM為靜態(tài) RAM存儲(chǔ)器，具有極高的讀寫(xiě)速度，在嵌入式系統(tǒng)中常用來(lái)作變量 /數(shù)據(jù)緩沖，或者將程序復(fù)制到SRAM上運(yùn)行，以提高系統(tǒng)的性能。正式產(chǎn)品中可以不需要這部分電路。 （ JTAG） 58 因?yàn)檫@種電路 JTAG（ ETM）仿真器對(duì) LPC2022有完全的控制，其仿真性能最好。使用三態(tài)門(mén)主要是為了復(fù)位芯片和 JTAG（ ETM）仿真器都可以復(fù)位芯片。 調(diào)試測(cè)試接口（ JTAG） 57 調(diào)試接口電路一 T R A C E P K T 3T R A C E P K T 2T R A C E P K T 0T R S TR T C KE X T I N 0T R A C E C L KP I P E S T A T 2P I P E S T A T 1P I P E S T A T 0T R A C E S Y N CT C KR E S E TT D IT D OT R A C E P K T 1T M SU1123U 2A74 H C 12 5456U 2B74 H C 12 5V D D 3. 3V D D 3. 3T R S T R S TR110KR210KnR S T1 23 45 67 89 1011 1213 1415 1617 1819 20J2T R S TT D IT M ST C KR T C KT D OR S TR4J T A GV D D 3. 31 23 45 67 89 1011 1213 1415 1617 1819 2021 2223 2425 2627 2829 3031 3233 3435 3637 38J 18ETMT R S TT D IT M ST C KR T C KT D OR S TT R A C E C L KE X T I N 0P I P E S T A T 0P I P E S T A T 1P I P E S T A T 2T R A C E S Y N CT R A C E P K T 0T R A C E P K T 1T R A C E P K T 2T R A C E P K T 3R3T R A C E P K T 0T R A C E P K T 1T R A C E P K T 2T R A C E P K T 3T R A C E S Y N CP I P E S T A T 0P I P E S T A T 1P I P E S T A T 2T R A C E C L KE X T I N 0E T MLPC2200 在該電路中，復(fù)位電路與前面介紹電路有所不同。 53 54 （ JTAG） 55 （ JTAG） 56 嵌入式控制器 時(shí)鐘系統(tǒng) 調(diào)試測(cè)試接口 復(fù)位及其 配置系統(tǒng) 存儲(chǔ)器系統(tǒng) 供電系統(tǒng) (電源 ) 調(diào)試與測(cè)試接口不是系統(tǒng)運(yùn)行必須的，但現(xiàn)代系統(tǒng)越來(lái)越強(qiáng)調(diào)可測(cè)性，調(diào)試、測(cè)試接口的設(shè)計(jì)也要重視了。簡(jiǎn)單的方法是利用微控制器內(nèi)部的晶體振蕩器，但有些場(chǎng)合（如減少功耗、需要嚴(yán)格同步等情況）需要使用外部振蕩源提供時(shí)鐘信號(hào)。簡(jiǎn)單的方法是利用微控制器內(nèi)部的晶體振蕩器，但有些場(chǎng)合（如減少功耗、需要嚴(yán)格同步等情況）需要使用外部振蕩源提供時(shí)鐘信號(hào)。 它們的特別如下： ?開(kāi)關(guān)電源 ：效率較高，可以減少發(fā)熱量，因而在功率較大時(shí)可以減小電源模塊的體積； ?模擬電源 ：電路簡(jiǎn)單，輸出電壓紋波較小，并且干擾較開(kāi)關(guān)電源小得多。選擇 5V作為前級(jí)的輸出有兩個(gè)原因： ?這個(gè)電壓滿(mǎn)足 SPX1117的要求； ?目前很多器件還是需要 5V供電的，這個(gè) 5V可以兼做前級(jí)和末級(jí)了。如果系統(tǒng)可能使用多種電源（如交流電和電池），各種電源的電壓輸出不一樣，就更需要前級(jí)調(diào)整以適應(yīng)末級(jí)的輸入。 V i n1GND2V o u t3U 1 2S P X 1 1 1 7 M 3 3 . 3C 3 3104C61 0 u F / 1 6 V+ 5 V V D D 3 . 3V i n1GND2V o u t3U 1 1S P X 1 1 1 7 M 3 1 . 8C 4 4104C71 0 u F / 1 6 V+ 5 V V D D 1 . 8 46 盡管 SPX1117允許的輸入電壓可達(dá) 20V（參考芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)），但太高的電壓使芯片的發(fā)熱量上升，散熱系統(tǒng)不好設(shè)計(jì)，同時(shí)影響芯片的性能。合乎技術(shù)參數(shù)的 LDO芯片很多， Sipex 半導(dǎo)體 SPX1117是一個(gè)較好的