【正文】
NMOS管的導(dǎo)通時(shí)間滿足要求 33 輸出端 ESD保護(hù)電路 ? 芯片的脫片輸出級(jí)都是尺寸很大的 MOS管構(gòu)成的反相器,其漏區(qū)和襯底形成的 pn結(jié)就相當(dāng)于一個(gè)大面積的二極管 , 可以起到 ESD保護(hù)作用。1 第六章 CMOS I/O設(shè)計(jì) 2 CMOS集成電路的 I/O設(shè)計(jì) ? 輸入緩沖器 ? 輸出緩沖器 ? ESD保護(hù)電路 ? 三態(tài)輸出的雙向 I/O緩沖器 3 輸入緩沖器 ? 兩方面作用 ?電平轉(zhuǎn)換接口 ?過濾外部信號(hào)噪聲 4 輸入緩沖器 :電平轉(zhuǎn)換 ? 電平兼容 ? TTL電路邏輯擺幅小 ?最壞情況 CMOS電路輸入電平( VDD=5V) IH m in = 2 .0VV I L m a x 0 .8VV?輸入緩沖器 ? 邏輯閾值設(shè)計(jì) ? 求算導(dǎo)電因子比例 I H m i n I L m a xit 1 . 4V2VVV ???D D TN TP5 V, 0 . 8 VV V V? ? ? ?Nrp2 1 . 7KKK??NMOS管占用大量芯片面積; 輸入為 VIHmin時(shí)有靜態(tài)功耗 ? ?? ?T N r D D T PinrT N r D D T P r T N D D T Pit rr1111= 1 1 1V V VVV V V V V VV??? ????????? ?????IH m in = 2 .0VV I L m a x 0 .8VV?V DDV Vinoutt6 輸入緩沖器 ? 改進(jìn)電路 ?增加二極管,使 反相器上的有效電源電壓降低 ?PMOS加襯底偏壓,增大其閾值電壓的絕對值 ?增加反饋管 MP2 ,改善輸出高電平 ? ?? ?T N r D D T PinrT N r D D T P r T N D D T Pit rr1111= 1 1 1V K V VVKV K V V K V V VVKK?????? ?????7 輸入緩沖器:抑制輸入噪聲 ? 用 CMOS史密特觸發(fā)器做輸