輸入輸出緩沖器ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-26 03:10 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 10 10 2 100 100 5 1000 1000 7 10000 10000 9 L in/CCp p0/ttp p0/ttinLl n ( / )N C C?1/inL( / ) e C C? ? ?17 輸出緩沖器 ? 負(fù)載 10PF，最終輸出級(jí)的上升、下降時(shí)間是 1ns 的驅(qū)動(dòng)電路的三種設(shè)計(jì)方案 18 輸出緩沖器 ? 性能比較 實(shí)際緩沖器的設(shè)計(jì)應(yīng)從速度、功耗和面積綜合考慮 19 輸出緩沖器 ? 采用梳狀 (叉指狀 )結(jié)構(gòu)的大寬長(zhǎng)比 MOS管 相當(dāng)于把寬度很大的MOS管變成多個(gè)并聯(lián)的小管子 ，減小了多晶硅線的 RC延遲 20 輸出緩沖器 ?不同結(jié)構(gòu)輸出級(jí) MOS管對(duì)電路速度的影響 21 CMOS集成電路的 I/O設(shè)計(jì) ? 輸入緩沖器 ? 輸出緩沖器 ? ESD保護(hù)電路 ? 輸入端 ESD保護(hù)電路 ? 輸出端 ESD保護(hù)電路 ? 電源的 ESD保護(hù)電路 ? 三態(tài)輸出的雙向 I/O緩沖器 22 ESD保護(hù)電路 ? 如果 MOS晶體管的柵氧化層上有很大的電壓，會(huì)造成氧化層擊穿，使器件永久破壞 ? 隨著器件尺寸減小，柵氧化層不斷減薄，氧化層能承受的電壓也不斷下降 ? tox＝ 5nm時(shí)， VGm=5V ? 由于 MOS晶體管的柵電容很小，積累在柵極上的雜散電荷就能形成很大的等效柵壓，引起器件和電路失效，這就是 ESD問題（ Electrostatic Discharge, ）靜電釋放 23 ESD保護(hù)電路 ? ESD應(yīng)力的四種模式 ? 某一個(gè)輸入（或輸出）端對(duì)地的正脈沖電壓（ PS） ? 某一個(gè)輸入（或輸出）端對(duì)地的負(fù)脈沖電壓（ NS） ? 某一個(gè)輸入或輸出端對(duì) VDD端的正脈沖電壓（ PD） ? 某一個(gè)輸入或輸出端對(duì) VDD端的負(fù)脈沖電壓（ ND） 在芯片的輸入和輸出端增加 ESD保護(hù)電路 24 輸入端 ESD保護(hù)電路 ? 雙二極管保護(hù)電路 ? PS： D2擊穿 ? NS： D2導(dǎo)通 ? PD： D1導(dǎo)通 ? ND： D1擊穿 柵極電位鉗制在 G D D0 . 7 V 0 .
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