【正文】 ? ? ? ? ? ?121 5 6 2 3 3 2 4 1，晶體管的 ,200,50 39。 （ 3）出輸出電壓 ou 的波形圖如 題 圖 (b)中的細(xì)線 所示，輸出電壓 幅值 omVV?3 。 (a) (b) 題圖 CBI I . m A m A?? ? ? ?1 0 0 0 0 4 4 ? ? ? ?C E C C C C e eV V I R R R . . V? ? ? ? ? ? ? ? ?12 2 4 4 3 0 3 0 2 1 0。 （ 1）計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)； （ 2）分別作出交直流負(fù)載線，并標(biāo)出靜態(tài)工作點(diǎn) Q； （ 3）若基極電流分量 ),(sin20 Atib ??? 畫出輸出電壓 ou 的波形圖，并求其幅值 omV 。 (3) 增大 Rb 的值，由 CC BE CCB bbV V VI RR??? CCbBVRkI. ?? ? ?12 6670 0 1 8（最大取值）。 由 CE CC C CV V I R??， ?????? k23 612I VVR C CEccc； 由 CC BE CCB bbV V VI RR??? ， ???? k4 0 0 Bccb。 （ 2）若接入 ?? kRL 6 ，畫出交流負(fù)載線。 一個(gè)如題圖 （ a）所示的共發(fā)射極放大電路中的晶體管具有如題圖 （ b）的輸出特性，靜態(tài)工作點(diǎn) Q 和直流負(fù)載線已在圖上標(biāo)出 （不包含加粗線） 。 圖（ d）不能放大，直流通路不滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏； 圖（ e）不能放大，直流通路滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流 通路信號(hào)不能順暢的輸入。 圖（ b）不能放大，直流通路滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號(hào)不能順暢的輸入。 . 題圖 電路中，分別畫出其直流 通路和交流通路，試說明哪些能實(shí)現(xiàn)正常放大？哪些不能？為什么？（圖中電容的容抗可忽略不計(jì)）。 當(dāng)開關(guān)置于 B 位置時(shí)，晶體管工作在截止區(qū)， Ic=0。 共發(fā)射極電路如題圖 所示，晶體管 AI CB O ?? 4,50 ?? ，導(dǎo)通時(shí) 20?? ，問當(dāng)開關(guān)分別接在 A、 B、 C 三處時(shí)，晶體管處于何種工作狀態(tài)？集電極電流 CI 為多少？設(shè)二極管 D 具有理想特性。 在某放大電路中，晶體管三個(gè)電極的電流如題圖 所示，已測出 211 ?? ， 0302 ? ， 2313 ? ， 試判斷 e、 b、 c 三個(gè)電極，該晶體管的類型（ NPN 型還是PNP 型）以及該晶體管的電流放大系數(shù) ? 。 題圖 (b) 所示的晶體管為硅 PNP 管，三個(gè)引腳分別為 ① c 極、 ② b 極、 ③ e 極。 題圖 解： CBI mAI . m A? ? ? ?4 2020 ， .?? ???? 0 951 CBI mAI . m A?? ?? ? ?2 2020 .?? ???? 0 951 硅三極管的 CBO，I50?? 可以忽略，若接為題圖 （ a），要求 mAIC 2? ，問 ER 應(yīng)為多大？現(xiàn)改接為圖 (b)，仍要求 BC RmAI 問,2? 應(yīng)為多大？ 解： （ a） ? ?CB I mAIA??? ? ?2 4050 ? ?? ?EBBEEEBEEEI I . m AVIRV .R . kI.??? ? ???? ?? ? ?1 2 0466 6 0 7 262 04 （ b） ? ?CB I mAIA??? ? ?2 4050 C C B EB BVV .RkI. ?? ?? ? ?6 0 7 1320 0 4 在晶體管放大電路中，測得三個(gè)晶體管的各個(gè)電極的電位如題圖 所示，試判斷各晶體管的類型（ PNP 管還是 NPN 管，硅管還是 鍺管），并區(qū)分 e、 b、 c 三個(gè)電極。)( ??????? ubeEQCQe ArIIR ???? ibebibe RrRRr ,//,? 丙的說法是錯(cuò)誤的，原因：正如解題分析中所說，盡管 eR 不產(chǎn)生負(fù)反饋，但 eR 增大使EQEQ ，II 減小 的減小必然引起 uA 減小和 iR 的增加。 乙的說法是正確的。但我們還必須進(jìn)一步考慮，盡管 eR 不產(chǎn)生交流負(fù)反饋，但它對(duì)放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)的影響是很大的，既然影響到 CQI ，就影響到 ber 進(jìn)而影響 uA和 iR 。（ ） 丙：因電容 eC ，對(duì)交流有旁路作用，所以 eR 的變化對(duì)交流量不會(huì)有絲毫影響，因此，當(dāng) eR 增大時(shí)， vA 和 iR 均無變化。 12. 放大電路如題 圖 所示，對(duì)于射極電阻 eR 的變化是否會(huì)影響電壓放大倍數(shù) vA 和輸入電阻 iR 的問題，有三種不同看法，指出哪一種是正確的？ 甲：當(dāng) eR 增大時(shí)，負(fù)反饋增強(qiáng)，因此 ?vA 、 ?iR 。 答：題圖 所示的各個(gè)三極管的工作狀態(tài)，圖（ a）為放大， 圖（ b）為放大 ，圖（ c）為飽和， 圖（ d）為 C、 E 極間 擊穿。 A Rb 開路 B Rc 短路 C Rb 過小 D ? 過大 10. 測得電路中幾個(gè)三極管的各極對(duì)地電壓如題圖 所示。 ④ V（ BR） CES＞ V（ BR） CEO＞ V（ BR） CER。 ② V（ BR） CES＞ V（ BR） CER ＞ V（ BR） CEO。 8. 共發(fā)射極接法的晶體管，當(dāng)基極與發(fā)射極間為開路、短路、接電阻 R 時(shí)的 c， e 間的擊穿電壓分別用 V（ BR） CEO ， V（ BR） CES和 V（ BR） CER表示，則它們之間的大小關(guān)系是 ② 。 ③ 輸入和輸出均具有近似的恒壓特性。 題圖 題圖 6V 3V A 6V C 3V D 5V 0V B ① 輸入具有近似的恒壓特性，而輸出具有恒流特性。 6. 只用萬用表判別晶體管 3 個(gè)電極，最先判別出的應(yīng)是 ② b 極 。 ③ 。 ① 為 60。 4. 放大電路故障時(shí)，用萬用表測得各點(diǎn)電位如題圖 ，三極管可能發(fā)生的故障是什么？ 答：題圖 所示的三極管， B、 E 極之間短路，發(fā)射結(jié)可能燒穿。VV,VV CEB 7301 ????? 答： NPN 管，工作在截止?fàn)顟B(tài)。,6 VVVVVV CEB ??? 答： NPN 管，工作在飽和狀 態(tài)。4,2 VVVVVV CEB ????? 答： NPN 管，工作在放大狀態(tài)。 （ 1） ， 5V， 3V； 解：鍺 NPN 型 BJT 管 VBE= V 所以為鍺管； 5V 為集電極， 為基極， 3V 為發(fā)射極， （ 2）－ 9V，－ 5V，－ 解：硅 PNP 型 BJT 管；－ 9V 為集電極，－ 為基極，－ 5V 為發(fā)射極 （ 3） 2V， ， 6V； 解： 硅 NPN 型 BJT 管 ； 6V 為集電極， 為基極， 2V 為發(fā)射極 （ 4） 5V， ， ； 解：硅 NPN 型 BJT 管； 5V 為集電極， 為基極， 為發(fā)射極 題圖 （ 5） 9V， ， 4V 解：硅 PNP 型 BJT 管 9V 為發(fā)射極， 為基極， 4V 為集電極 （ 6） 10V， ， 0V 解：硅 PNP 型 BJT 管， 10V 為發(fā)射極， 為基極， 0V 為集電極 （ 7） ， ， 12V； 解：硅 NPN 型 BJT 管， 12V 為集電極， 為基極， 為發(fā)射極， （ 8） 13V， ， 17V； 解：鍺 NPN 型 BJT 管， 17V 為集電極， 13V 為基極， 為發(fā)射極， （ 9） ， 6V， 9V； 解：硅 NPN 型 BJT 管， 9V 為集電極， 為基極， 6V 為發(fā)射極， 2. 判斷三極管的工作狀態(tài)和三極管的類型。 52. 多級(jí)放大電路與組成它的各個(gè)單級(jí)放大電路相比，其通頻帶變 窄 ，電壓增益 增大 ，高頻區(qū)附加相移 增大 。/十倍頻 。 50. 在單級(jí)阻容耦合放大電路的波特圖中，幅頻響應(yīng)高頻區(qū)的斜率為 20dB/十倍頻 ，幅頻響應(yīng)低頻區(qū)的斜率為 20dB/十倍頻 ；附加相移高頻區(qū)的斜率為 45186。 和 +45186。 48. 阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號(hào)時(shí)，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 耦合電容和旁路電容的影響 ；高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 放大器件內(nèi)部的極間電容的影響 。 46. 放大器 有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 線性 失真和 非線性 失真。 44. 放大器的頻率特性包括 幅頻響應(yīng) 和 相頻響應(yīng) 兩個(gè)方面，產(chǎn)生頻率失真的原因是 放大器對(duì)不同頻率的信號(hào)放大倍數(shù)不同 。 43. 放大器的頻率特性表明放大器對(duì) 不同頻率信號(hào) 適應(yīng)程度。 題圖 （ 2）若換一個(gè) ? 值較小的晶體管，則靜態(tài)的 BI 將 不變 ， CEV 將 增大 ，電壓放大倍數(shù) vA將 減小 。（在相應(yīng)的空格內(nèi)填 “增大 ”、 “減小 ”或 “基本不變 ”。 （ 6）環(huán)境溫度升高時(shí)， CEQV 將 減小 。 （ 4） sR 增加時(shí)， CEQV 將 不變 。 （ 2） cR 減小時(shí)， CEQV 將 增大 。 41. 在題圖 電路中，某一參數(shù)變化時(shí)， CEQV 的變化情況（ a. 增加， b，減小， c. 不變，將答案填入相應(yīng)的空格內(nèi)）。 39. 當(dāng)溫度升高時(shí)，共發(fā)射極輸入特性曲線將 左移 ，輸出特性曲線將 上移 ，而且輸出特性曲線之間的間隔將 增大 。 37. 電壓跟隨器指共 集電 極電路，其 電壓 的放大倍數(shù)為 1； 電流跟隨器指共 基 極電路，指 電流 的放大倍數(shù)為 1。 36. 某三極管處于放大狀態(tài)，三個(gè)電極 A、 B、 C 的電位分別為 9V、 6V 和 ，則三極管的集電極是 A ，基極是 C ，發(fā)射極是 B 。 35. 不論何種組態(tài)的放大電路，作放大用的三極管都工作于其輸出特性曲線的放大區(qū)。 33. 多級(jí)放大器各級(jí)之間的耦合連接方式一般情況下有 RC 耦合 ， 直接耦合 ， 變壓器耦合 。 31. NPN 三極管輸出電壓的底部失真都是 飽和 失真。 29. 在由 NPN 管組成的單管共射放大電路中，當(dāng) Q 點(diǎn) 太高 （太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生飽和失真，其輸出電壓的波形被削掉 波谷 ；當(dāng) Q 點(diǎn) 太低 （太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生截止失真，其輸出電壓的波形被削掉 波峰 。 27. 對(duì)放大器的分析存在 靜態(tài) 和 動(dòng)態(tài) 兩種狀態(tài)，靜態(tài)值在特性曲線上所對(duì)應(yīng)的點(diǎn)稱為 Q 點(diǎn) 。 25. 圖解法適合于 求靜態(tài)工作 Q 點(diǎn)；小、大信號(hào)工作情況分析 ，而小信號(hào)模型電路分析法則適合于 求交變小信號(hào)的工作情況分析 。 23.“小信號(hào)等效電路 ”中的 “小信號(hào) ”是指 “小信號(hào)等效電路 ”適合于微小的變化信號(hào)的分析，不適合靜態(tài)工作點(diǎn)和電流電壓的總值的求解 ，不適合大信號(hào)的工作情況分析 。 18. 共射極、共基極、共集電極 放大電路有功率放大作用； 19. 共射極、共基極 放大電路有電壓放大作用； 20. 共射極 、共集電極 放大電路有電流放大作用； 21. 射極輸出器的輸入電阻較 大 ，輸出電阻較 小 。 16. 共集電極放大電路的輸入電阻很 大 ，輸出電阻很 小 。在負(fù)載開路的條件下，測得 A 放大器的輸出電壓小，這說明 A的輸入電阻 小 。 13. 穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的常用方法有 射極偏置電路 和 集電極－基極偏置電路 。由此 可以得出： （ 1）電源電壓 CCV = 6V ； （ 2）靜態(tài)集電極電流 CQI = 1mA ；集電極電壓 CEQU = 3V ； （ 3）集電極電阻 CR = 3kΩ ；負(fù)載電阻 LR = 3kΩ ； （ 4）晶體管的電流放大系數(shù) ? = 50 ，進(jìn)一步計(jì)算 可得電壓放大倍數(shù) vA = － 50 ；（ 39。 11. 為了使高內(nèi)阻信號(hào)源與低電阻負(fù)載能很好的配合，可以在信號(hào)源與低電阻負(fù)載間接入 共集電極 組態(tài)的放大電路。 9. 三極管工作在放大區(qū)時(shí)，它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置，集電結(jié)保持 反向 偏置。 7. 三極管的三個(gè)工作區(qū)域分別是 飽和區(qū) 、 放大區(qū) 和 截止區(qū) 。 5. 處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是 少數(shù)載流 子漂移運(yùn)動(dòng)形成