【正文】 ? 生長過程緩慢（數(shù) um/h），且位錯、堆垛層錯等缺陷密度較大，影響實用穩(wěn)定性，目前主要用于制造二極管； ? 目前價格昂貴。 與 Si相比， SiC具有寬禁帶 (Si的 2~3倍， Si的禁帶寬度為 )、高熱導率 (Si的 )、高擊穿場強 (Si的 10倍 )、高飽和電子漂移速率 (Si的 )、化學性能穩(wěn)定、高硬度、抗磨損以及高鍵合能等優(yōu)點。 42/75 （ 3）均勻涂抹滿足厚度要求的導熱硅脂 硅脂厚度通常要求： 有銅底板模塊 ＝ 100um； 無銅底板模塊 ＝ 50um； Heatsink 20 25 30 181。m ? 6,3 181。 33/75 34/75 采用電流互感器和霍爾元件進行過流檢測及過流保護： 35/75 短路（過流）保護 （ 1）短路模式 單臂短路 接地短路 輸出短路 橋臂直通短路 36/75 （ 2）電流檢測法保護 37/75 （ 3） Vce（ sat）檢測法保護 38/75 降額應用 39/75 散熱考慮 功率模塊內(nèi)部熱阻分布 1200V (Al2O3） IGBT模塊內(nèi)部熱阻分布比例 40/75 安裝加工 （ 1） 預防 ESD損傷 IGBT的柵氧 厚度比功率 MOSFET要厚，這使 得它對靜電不如后者敏感。 3．保護時緩關(guān)斷： 由于 IGBT過電流時電流幅值很大，加之 IGBT關(guān)斷速度快。進而切斷門極控制信號。 (3)利用溫度傳感器檢測 IGBT的殼溫，當超過允許溫度時主電路跳問，實現(xiàn)過熱保護。 IGBT器件的保護 29/75 IGBT的保護要從以下 4個方面著手： 集電極發(fā)射極間過電壓保護； 柵極過電壓保護； 過流保護； 過熱保護。 27/75 UC37系列驅(qū)動器 該系列驅(qū)動器一般由UC3726和 UC3727兩片芯片配對使用，其工作頻率較高，但在兩芯片之間需增加脈沖變壓器，給電路的使用和設(shè)計帶來 不便，因此該系列驅(qū)動器并未得到推廣。因此， GH039驅(qū)動模塊也是有缺陷的。所以M57962AL較 EXB841更安全、可靠。 22/75 M57962L型 IGBT驅(qū)動器的原理和接線圖 三菱驅(qū)動模塊 M57962L 23/75 與 EXB841相比， M57962AL需要雙電源(+15V，一 1OV)供電，外周電路復雜。 如果 IGBT的集電極產(chǎn)生過大的電壓脈沖，增加 IGBT門極的串聯(lián)電阻。 具有過流緩關(guān)斷功能。這些專用驅(qū)動電路抗干擾能力強，集成化程度高，速度快，保護功能完善，可實現(xiàn)IGBT的最優(yōu)驅(qū)動。 16/75 17/75 18/75 三、常用 PWM控制芯片： TL494， SG3524， SG1525， MC3520， MC34060， VC1840， SL64等。 3．門極和發(fā)射極引線盡量短，采用雙絞線。 注意： 1． IGBT驅(qū)動電路采用正負電壓雙電源工作方式。 (6)若為大電感負載， IGBT的關(guān)斷時間不宜過短，以限制 di/dt所形成的尖峰電壓，保證 IGBT的安全。 (4)IGBT多用于高壓場合，故驅(qū)動電路應與整個控制電路在電位上嚴格隔離。另外 IGBT開通后，門極驅(qū)動源應提供足夠的功率使 IGBT不致退出飽和而損壞。 14/75 4． IGBT驅(qū)動電路設(shè)計要求： (1)由于是容性輸入阻抗，因此 IGBT對門極電荷集聚很敏感，驅(qū)動電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路。 但 RG減小時， IGBT的電流上升率 di/dt增大，會引起IGBT的誤導通，同時 RG電阻的損耗也增加。（ 12V~15V） 12/75 2．負偏壓－ VGS的影響： 門極負偏壓可以減小漏極浪涌電流，避免發(fā)生鎖定效應，但對關(guān)斷特性影響不大。 10/75 一、驅(qū)動條件： 門極驅(qū)動電路的正偏壓 VGS，負偏壓－ VGS，門極電阻 RG的大小，決定 IGBT的靜態(tài)和動態(tài)特性，如：通態(tài)電壓、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、短路能力、電流 di/dt及 dv/dt。 ◆ 電力 MOSFET ? 包括 電氣隔離 和 晶體管放大電路 兩部分；當無輸入信號時 高速放大器 A輸出負電平， V3導通輸出負驅(qū)動電壓，當有輸入信號時 A輸出正電平， V2導通輸出正驅(qū)動電壓。 ◆ 關(guān)斷時施加一定幅值的負驅(qū)動電壓（一般取 5 ~ 15V）有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗。 ◆ 為快速建立驅(qū)動電壓，要求驅(qū)動電路具有較小的輸出電阻。 ? 驅(qū)動 GTR的集成驅(qū)動電路中， THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的 M57215BL較為常見。 ? GTR的一種驅(qū)動電路 √包括 電氣隔離 和 晶體管放大電路 兩部分。 8/75 典型全控型器件的驅(qū)動電路 t O i b ◆ GTR ? 開通的基極驅(qū)動電流應使其處于 準飽和導通狀態(tài) ，使之不進入放大區(qū)和深飽和區(qū)。 √電路的電源由高頻電源經(jīng)二極管整流后提供， VD1和 C1提供+5V電壓， VD VD C C3構(gòu)成 倍壓整流電路 提供 +15V電壓， VD4和 C4提供 15V電壓。 幅值需達陽極電流的 1/3左右，陡度需達 50A/?s，強負脈沖寬度約 30?s，負脈沖總寬約 100?s 施加約 5V的負偏壓，以提高抗干擾能力。 ◆ GTO ? 開通控制與普通晶閘管相似，但對觸發(fā)脈沖前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整個導通期間施加