[工學]浙江大學模電課件-文庫吧資料
2025-01-25 11:37本頁面
【正文】 I交流共射電流放大系數(shù)： ECII??直流共基電流放大系數(shù)： ~, ???? ??ECII交流共基電流放大系數(shù)： 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?極間反向電流 ?集電結(jié)反向飽和電流 ICBO ?穿透電流 ICEO ?取決于溫度和少子濃度。 ?三極管 飽和狀態(tài)時的特征 ?三極管的 飽和壓降 ?三極管 臨界飽和狀態(tài) ?三極管 深度飽和狀態(tài) ?三極管 深度飽和狀態(tài) 時的電路模型 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ? 放大區(qū)（恒流區(qū) ） ?三極管處于放大狀態(tài)的條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?四、三極管的伏安特性曲線 通過晶體管特性圖示儀直接顯示三極管的伏安特性曲線 ?VCE = 0V 時 ?VCE 增長時 CvBEB CE)(vfi ???共射極輸入特性 ?VCE 1V 后 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?截止區(qū) ?飽和區(qū) ?放大區(qū) CiCEC B)(vfi ??輸出特性的三個區(qū)域 ?共射極輸出特性 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?截止區(qū) ?三極管處于截止狀態(tài)的條件： 外加電壓使發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反向偏置， 即： VBE≤0, VBC＜ 0, IB≈0, IC≈0； 三極管失去了放大能力。 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?共射組態(tài) ?共射極直流電流放大倍數(shù) ?到達集電極的電流 與基區(qū)復合電流的比值 BNCN /IIβ ??輸入： B極 ?輸出： C極 ?公共端： E極 一定條件下 ， 輸入 /輸出電流成線性關(guān)系 ， 三極管是一種電流控制器件 。集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 第一篇 電子器件基礎(chǔ) 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) 雙極型三極管 雙極型三極管的伏安特性及其模型 ?一、雙極型三極管的基本結(jié)構(gòu) ?簡稱：晶體管、三極管 ?內(nèi)部參與導電有自由電子、空穴兩種極性載流子： 雙極型晶體管（ Bipolar Junction Transistor— BJT） ?分類： ?材料：硅三極管、鍺三極管 ?摻雜： NPN型、 PNP型 ?頻率：高、低 ?功率：大、中、小 ?基本結(jié)構(gòu)： 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) N+ N P ?NPN型三極管 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射極（ e） 集電極（ c） 基極 （ b） 發(fā)射結(jié) （ Je） 集電結(jié) （ Jc） 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?PNP型三極管 P+ P N 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射極（ e） 集電極（ c） 基極 （ b） 發(fā)射結(jié) （ Je） 集電結(jié) （ Jc） 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?二、三極管放大電路的電流分配 0U BE ? 0U BC ?N+ N P
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1