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正文內(nèi)容

電容式傳感器ppt課件(2)-文庫吧資料

2025-01-21 04:48本頁面
  

【正文】 A點變?yōu)榈碗娢唬?C1通過 D1迅速 放電使UM接近零電位,此時 B點為高電位,通過 R2對 C2充電,UN上升,直到高于 Ur時比較器 A2產(chǎn)生脈沖使雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器重新翻轉(zhuǎn),37第 4章 電容式傳感器 252。?R1= R2?組成: 比較器 A A2,雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,差動電容傳感器 C C2以及 R R D D236第 4章 電容式傳感器 四、差動脈沖寬度調(diào)制電路 無關(guān),適當(dāng)選擇電阻 值,則輸出電流可用毫安表或微安表直接測量;l 負(fù)載電阻 RL 將影響電容放電速度,作動態(tài)測量時應(yīng)取值小一些,如 RL =1k同數(shù)量級,而與電容 C1盡量為理想二極管,要求特性完全相 同,均工作在伏-安特性的線性區(qū);l 電路靈敏度高,但與電源的幅值和頻率有關(guān),因此電源需穩(wěn)壓穩(wěn)頻;l 線路十分簡單,不需附加相敏解調(diào)器,即能獲得高電平的直流輸出;l 輸出阻抗與 R1q 令35第 4章 電容式傳感器 二極管 T形網(wǎng)絡(luò)特點l 電源、傳感器電容以及輸出電路一端需要共地;l 工作電平很高,二極管 D C2的函數(shù)。當(dāng)電源電壓確定后,輸出電壓只是電容 C1和 C2RL 的平均電流不為零,因而有信號輸出。C2C1C2C1 則流過 RL 的電流 若 D D2?為 I1?和 I2?之和。此時電容 C2很快被充電至電壓 E,電源 E 經(jīng) R2以電流 I2?在隨后電源為負(fù)半周時, D2此時電容 C1很快被充電至電壓 E, 電源 E經(jīng) R1以電流 I1向負(fù)載 RL供電,與此同時電容 C2經(jīng) R2和RL放電電流為 I2,流過 RL的電流 IL 為 I1和 I2之和;電路工作原理 :33第 4章 電容式傳感器 u二極管 D1導(dǎo)通、 D2截止 , 高頻電源可以是對稱方波或正弦波。32第 4章 電容式傳感器 三、二極管 T 形網(wǎng)絡(luò) 電橋平衡條件為: 可以是耦合的電感,這種電橋的靈敏度和穩(wěn)定度較高,且寄生電容影響小,簡化了電路屏蔽和接地,適合于高頻工作。用穩(wěn)頻、穩(wěn)幅和固定波形的低阻信號源去激勵,最后經(jīng)電流放大及相敏整流得到直流輸出信號。與 C231第 4章 電容式傳感器 二、電橋電路 這些附加電路將使 整個測量電路較為復(fù)雜 。缺點: 此電路要求電源電壓穩(wěn)定,固定電容電容量穩(wěn)定,并要求運放放大倍數(shù)與輸入阻抗足夠大。 當(dāng)在結(jié)構(gòu)上 不易采用差動電容 時(例如在進(jìn)行振動測量時,測量頭為電容式傳感器的定極板,而振動機(jī)械的任何一部分導(dǎo)電平面則作為動極板,兩者組成單極板電容器傳感器),那么這種方案較使用單極板的其它電路能獲得更高的線性輸出。 注意: 上式是在 K→∞ 、 Zi→∞ 的前提下得到的。如果傳感器是一只平板電容,則 Zi Cx 為 電容傳感器。電容式傳感器除采用電橋作為信號調(diào)理電路外,還可借助多種信號調(diào)理電路把微小的電容變化轉(zhuǎn)換成與之成正比的電壓、電流或頻率輸出。電容式傳感器的測量電路 28第 4章 電容式傳感器 在尺寸較小時,比圓形膜片位移量大,壓力靈敏度高 。定義壓力靈敏系數(shù)為 式中, bb , 其余尺寸與圓形膜片相同。膜片尺寸為 27第 4章 電容式傳感器 2. 方形膜片:若把信號調(diào)理電路與敏感器件近距離做在同一芯片上,可減少干擾,使寄生電容小而穩(wěn)定。硅電容式壓力傳感器的集成元件尺寸很小,在壓力作用下的電容量變化(絕對值)也很小。從上述實際尺寸和數(shù)值看出:= ?m, 電容由 C0Pa 則有 硅片彈性模量 E = h = b = a = = 如 W( 0) 即 ?d , 此時電容也變化為 硅電容式壓力傳感器的膜片形狀有圓形硅膜片和方形硅膜片兩種。h , 當(dāng)膜片兩側(cè)無壓差時,極板間距為 d0。:a =b (一般 膜片半徑為 25第 4章 電容式傳感器 1. 圓形膜片與膜片式比較,工藝簡單,可避免各向異性腐蝕加工和陽極焊接鍵合等復(fù)雜工藝。( 或多晶硅)厚度決定。島和 極板間距由 Si3N4SiO2Si3N4用光刻方法形成 首先在硅襯底上先制作下電極 Al;然后淀積一層 振蕩電路把壓力變化引起的電容變化轉(zhuǎn)換為脈沖信號輸出。 用集成電路技術(shù)在做出硅膜片微型電容器的同時,還做出校正用電容器 CR 。為避免上下鋁極板短路, 提高耐壓, 在中間淀積一層 SiO2。兩極板間距由從硅襯底正面腐蝕深度決定。壓力感知電容為 CP。 一、硅電容式壓力傳感器的結(jié)構(gòu) 二、膜片形狀與靈敏系數(shù)23第 4章 電容式傳感器 一、硅電容式壓力傳感器的結(jié)構(gòu) 這種傳感器溫度穩(wěn)定性好、耗電少、易于集成。第 2章中的 壓阻式傳感器 是當(dāng)前半導(dǎo)體壓力敏感器件的主流,它利用的是半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)。它與電容器的結(jié)構(gòu)和引線的長度有關(guān)。因此只有在很高的工作頻率時,才加以考慮。 RS代表串聯(lián)損耗,即引線電阻、電容器支架和極板的電阻。 由等效電路可知,等效電路有一個諧振頻率,通常為幾十兆赫,當(dāng)工作頻率等于或接近諧振頻率時,諧振頻率破壞了電容的正常作用。 RP為并聯(lián)損耗電阻,它代表極板間的泄漏電阻和介質(zhì)損耗。 為提高初始電容、分辨率和靈敏度,有些電容式傳感器可制成一極多板的形式。差動式傳感器不但靈敏度高而且線性范圍大,并具有較高的穩(wěn)定性,抗干擾能力強(qiáng)。216。變間隙式電容傳感器變面積式電容傳感器變介電常數(shù)式電容傳感器216?!?極板寬度。以( b) 為例,其電容量為 表明電容量 C與位移 x成 線性 關(guān)系。介質(zhì)時的電容量為 C019第 4章 電容式傳感器 圓筒形極板18第 4章 電容式傳感器 四、變介電常數(shù)式電容傳感器 是單極板的 n倍。線位移角位移17第 4章 電容式傳感器 齒形極板當(dāng)極板的齒數(shù)為 n時,靈敏度為 對于同樣位移 Δx,單片電容器電容變化 ?C,而多極板電容器電容變化為( n- 1) ?C 。16第 4章 電容式傳感器 n層重疊極板組成的多片型電容傳感器具有類似的單片電容器的( n- 1)倍電容量。 252。252。x 基本上成 線性 關(guān)系。即 當(dāng)動極板發(fā)生位移 圓筒線
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