次級(jí)側(cè)部分下ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-01-20 22:58本頁(yè)面
【正文】 而不會(huì)犧牲待機(jī)能耗。選 43V是因?yàn)?TL431最大的可調(diào)節(jié)電壓是 36V，為了能使用這個(gè)精密可調(diào)器件，我們必須把電壓降低到 TL431可正常工作的范圍內(nèi)。 ? 外圍元件由 ZD R R1 R1 R R16組成。 吸收回路 ? 軟件仿真不同阻值時(shí)的波形曲線圖 次級(jí)濾波電容的計(jì)算 次級(jí)輸出電容損耗的計(jì)算 Tan(243。換言之，哪個(gè)電阻發(fā)熱最厲害就最合適。 ? 當(dāng)吸收電容確定后，一個(gè)適中的吸收電阻才能達(dá)到最好的吸收效果。 吸收回路 ? 二、吸收電阻 R的影響 ? 吸收電阻的阻值對(duì)吸收 效果 干系重大，影響明顯。 ? 吸收電容 C的大小與吸收功率（ R的損耗）呈正比關(guān)系。這時(shí)再適當(dāng)調(diào)整 C值的大小 ,直到震蕩基本被抑制。 吸收回路 ? 測(cè)出原始震蕩頻率后 , 可以試著在二極管上面加電容 ,直到震蕩頻率變?yōu)樵瓉?lái)的 1/2.則原來(lái)震蕩的 C值為所加電容的 1/3,知道了C就可以算 R值了 , R=2∏fL=1/(2∏fC)。 吸收回路 ? 吸收的計(jì)算 ? 書(shū)上網(wǎng)絡(luò)上都有關(guān)于吸收回路的計(jì)算方法的介紹 ,但由于寄生參數(shù)的影響 ,這些公式幾乎沒(méi)有實(shí)際意義 ,實(shí)際上大部分的 RC參數(shù)是靠實(shí)驗(yàn)來(lái)調(diào)整的 ,但 RC的組合理論上有無(wú)窮多 ,怎么來(lái)初選這個(gè)值是很關(guān)鍵的 ,下面來(lái)介紹一些實(shí)用的理論和方法 。如果是漏感尖峰，或許吸收能夠解決問(wèn)題。 ? 反激 MOS反壓超標(biāo)，就在 MOS上拼命吸收。 ? 副邊二極管反壓尖峰超標(biāo)，就在這個(gè)二極管上拼命吸收。為什么？因?yàn)檫@個(gè)反壓尖峰并不是二極管引起的，盡管表現(xiàn)是在這里。 吸收回路 ? 吸收的誤區(qū) ? Buck續(xù)流二極管反壓尖峰超標(biāo)，就拼命的在二極管兩端加RC吸收。盡管如此，這并不能說(shuō)損耗增加了，在很多情況下，吸收電阻的發(fā)熱增加了，與電路中另外某個(gè)器件的發(fā)熱減少是相對(duì)應(yīng)的，總效率不一定下降。因此 RC吸收最好給定一個(gè)合適的吸收指標(biāo)，不要指望它能夠把尖峰完全吸收掉。 ? 不能完全吸收。通常情況下我們只希望對(duì)上升沿過(guò)沖實(shí)施吸收。 吸收回路 ? RC吸收的特點(diǎn)
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