材料的結(jié)構(gòu)復(fù)習(xí)版ppt課件-文庫吧資料
2025-01-20 21:30本頁面
【正文】 hapter2 Structure of Materials 例： 已知 K+和 Cl的半徑分別為 nm 和 nm，試分析 KCl的晶體結(jié)構(gòu)，并計(jì)算堆積系數(shù)。螺位錯(cuò)沒有多余半原子面，故無攀移運(yùn)動(dòng)。 位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng) 位錯(cuò)的攀移位錯(cuò)的滑移 ? 位錯(cuò)的攀移指在熱缺陷或外力作用下，位錯(cuò)線在垂直其滑移面方向上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致晶體中空位或間隙質(zhì)點(diǎn)的增殖或減少。 ? 混合位錯(cuò)可分解為 刃型位錯(cuò)分量和螺型位錯(cuò)分量 ，它們分別具有刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的特征。 ? 混合位錯(cuò)可分解為 刃型位錯(cuò)分量和螺型位錯(cuò)分量 ，它們分別具有刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的特征。 28 Chapter2 Structure of Materials 29 Comparison 相同點(diǎn)：二者都是線缺陷。 ? 通常將柏氏矢量稱為位錯(cuò)強(qiáng)度，它也表示出晶體滑移時(shí)原子移動(dòng)的 大小 和 方向 。 —— 用于表示由位錯(cuò)引起的晶格中的相對(duì)原子位移 27 Chapter2 Structure of Materials 線缺陷和位錯(cuò) 柏格斯矢量的物理意義 ? 柏格斯矢量是描述位錯(cuò)實(shí)質(zhì)的重要物理量。 從一個(gè)原子出發(fā)，移動(dòng) n個(gè)晶格矢量，然后順時(shí)針轉(zhuǎn)向再移動(dòng) m個(gè)晶格矢量，再順時(shí)針轉(zhuǎn)向移動(dòng) n個(gè)晶格矢量，最后順時(shí)針轉(zhuǎn)向移動(dòng) m個(gè)晶格矢量，到達(dá)終點(diǎn)原子。 ? 非計(jì)量缺陷的形成，關(guān)鍵是其中的離子能夠通過自身的變價(jià)來保持電中性。 Chapter2 Structure of Materials ? 形成原因：原子的熱運(yùn)動(dòng) ? 引起的結(jié)果：點(diǎn)陣畸變 ? 特點(diǎn)：是熱力學(xué)穩(wěn)定缺陷（ 與面缺陷，線缺陷的區(qū)別 ） Chapter2 Structure of Materials 25 雜質(zhì)缺陷 晶體的雜質(zhì)缺陷濃度僅取決于加入到晶體中的雜質(zhì)含量，而與溫度無關(guān)，這是 雜質(zhì)缺陷形成與熱缺陷形成的重要區(qū)別 。 ? 離開平衡位置的原子有三個(gè)去處： （ 1）遷移到 晶體表面或內(nèi)表面的正常結(jié)點(diǎn) 位置上，使晶體內(nèi)部留下空位，稱為肖特基（ Schottky）缺陷或肖特基空位； （ 2）擠入點(diǎn)陣的 間隙位置 ，在晶體中同時(shí)形成 數(shù)目相等的空位和間隙原子，則稱為弗蘭克爾（ Frenkel）缺陷； （ 3）跑到其他空位中，使空位消失或使空位移位。 ? 置換式雜質(zhì)原子 （ substitutional impurity atom） —— 外來原子進(jìn)入晶格，取代原來晶格中的原子而進(jìn)入正常結(jié)點(diǎn)的位置 ? 間隙式雜質(zhì)原子 （ interstitial impurity atom） —— 外來原子進(jìn)入點(diǎn)陣中的間隙位置，成為雜質(zhì)原子。 點(diǎn)缺陷 Point Defect Chapter2 Structure of Materials 點(diǎn)缺陷種類 ? 空位 （ vacancy） —— 正常結(jié)點(diǎn)沒有被原子或離子所占據(jù)，成為空結(jié)點(diǎn)。 晶面指數(shù)（ crystallographic plane indices ）的確定： Chapter2 Structure of Materials ? 晶面 A： r、 s、 t = 1，其倒數(shù)為 1，則晶面指數(shù)記為（ 111） ? 晶面 B， r、 s、 t= ?，其倒數(shù)為 1/2和 0，化為互質(zhì)的整數(shù)比為 2:1:0，則晶面指數(shù)記為（ 210） ? 晶面 C：晶面過原點(diǎn)（ 0， 0， 0），沿 y軸平移一個(gè)晶格參數(shù)（平移后代表同一晶面）使其在 y軸截距為 1，則 r、 s和 t分別為 ?、 1和 ?，其倒數(shù)為 0、 1和 0，則晶面指數(shù)記為 ，其中的負(fù)號(hào)寫在數(shù)字上面。 Chapter2 Structure of Materials 14 A: [110] B: [111] C: 2] 2 1[晶向指數(shù)實(shí)例 Chapter2 Structure of Materials 15 Solution Chapter2 Structure of Materials 16 用（ hkl）來表示一組平行晶面，稱為晶面指數(shù)。 Chapter2 Structure of Materials 13 將坐標(biāo)原點(diǎn)選在 OP的任一結(jié)點(diǎn) O點(diǎn)，把 OP的另一結(jié)點(diǎn) P的坐標(biāo)經(jīng)等比例化簡(jiǎn)后按 X、 Y、 Z坐標(biāo)軸的順序?qū)懺诜嚼ㄌ?hào) [ ]內(nèi)，則 [uvw]即為 OP的晶向指數(shù)。 actual crystal strcture 空間點(diǎn)陣和實(shí)際晶體結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系 （ a）、（ c）為空間點(diǎn)陣 （ b）、（ d）為實(shí)際晶體 Chapter2 Structure of Materials 12 晶向指數(shù)和晶面指數(shù) 晶面（ crystallographic planes） ： —— 晶體點(diǎn)陣在任何方向上分解為相互平行的結(jié)點(diǎn)平面稱為晶面，即結(jié)晶多面體上的平面。 晶格、晶胞和晶格參數(shù)
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