freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

極管及其基本電路ppt課件-文庫(kù)吧資料

2025-01-20 21:16本頁(yè)面
  

【正文】 號(hào)模型,即以 Q點(diǎn)為切點(diǎn)的一條直線。 解:由電路的 KVL方程,可得 RVi DDDDv??DDDD11 VRRi ??? v即 是一條斜率為 1/R的直線,稱(chēng)為 負(fù)載線 Q的坐標(biāo)值( VD, ID)即為所求。 ( 334) 二極管的基本電路及其分析方法 簡(jiǎn)單二極管電路的圖解分析方法 二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法 ( 335) 簡(jiǎn)單二極管電路的圖解分析方法 二極管是一種非線性器件,因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法,相對(duì)來(lái)說(shuō)比較復(fù)雜,而圖解分析法則較簡(jiǎn)單,但前提條件是已知二極管的 V I 特性曲線。 二極管的特性對(duì)溫度很敏感, 具有負(fù)溫度系數(shù)。 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大,用于工頻大電流整流電路。 ( 330) 平面型二極管 往往用于集成電路制造工藝中。 ( 328) 半導(dǎo)體二極管 在 PN結(jié)上加上引線和封裝,就成為一個(gè)二極管。 當(dāng)反向偏置時(shí),勢(shì)壘電容起主要作用,可以認(rèn)為 Cj ? Cb。 P N PN 結(jié) ( 327) 綜上所述: PN 結(jié)總的結(jié)電容 Cj 包括勢(shì)壘電容 Cb 和擴(kuò)散電容 Cd 兩部分 。 O x nP Q 1 2 ? 當(dāng)加反向電壓時(shí) , 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)被削弱 ,擴(kuò)散電容的作用可忽略 。 在某個(gè)正向電壓下 , P 區(qū)中的電子濃度 np(或 N 區(qū)的空穴濃度 pn)分布曲線如圖中曲線 1 所示 。 ? :半導(dǎo)體材料的介電比系數(shù); S :結(jié)面積; l :耗盡層寬度 。 勢(shì)壘電容的大小可用下式表示: lSUQC ???ddb 由于 PN 結(jié) 寬度 l 隨外加電壓 u 而變化 , 因此 勢(shì)壘電容 Cb不是一個(gè)常數(shù) 。 電容效應(yīng)包括兩部分 勢(shì)壘電容 擴(kuò)散電容 1. 勢(shì)壘電容 Cb 是由 PN 結(jié)的空間電荷區(qū)變化形成的。 60 40 20 – – 0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 死區(qū)電壓 擊穿電壓 U(BR) 反向特性 當(dāng) PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí),反向電流突然快速增加,此現(xiàn)象稱(chēng)為 PN結(jié)的 反向擊穿。 綜上所述: 可見(jiàn), PN 結(jié)具有 單向?qū)щ娦?。 對(duì)溫度十分敏感 , 隨著溫度升高 , IS 將急劇增大 。 PN 結(jié) 外加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài) (反偏 ) 反向接法時(shí) , 外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)的方向一致 , 增強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)的作用; 外電場(chǎng)使空間電荷區(qū)變寬; 不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) , 有利于漂移運(yùn)動(dòng) , 漂移電流大于擴(kuò)散電流 , 電路中產(chǎn)生反向電流 I ; 由于少數(shù)載流子濃度很低 , 反向電流數(shù)值非常小 。 外電場(chǎng)方向 內(nèi)電場(chǎng)方向 耗盡層 V R I 空間電荷區(qū)變窄,有利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),電路中有較大的正向電流。 對(duì)稱(chēng)結(jié) 即 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡 。 4. 漂移運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng)有利于少子運(yùn)動(dòng) —漂移 。 —— PN 結(jié) , 耗盡層 。 ( 314) 在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為 P 型半導(dǎo)體 , 另一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體 , 兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層 , 稱(chēng)為 PN 結(jié) 。 2 摻雜后 N 型半導(dǎo)體中的自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 1022/cm3 ( 312) PN結(jié)的形成及特性 PN結(jié)的形成 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)的反向擊穿 PN結(jié)的電容效應(yīng) 載流子的漂移與擴(kuò)散 ( 313) 載流子的漂移與擴(kuò)散 漂移運(yùn)動(dòng): 由電場(chǎng)作用引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為 漂移運(yùn)動(dòng) 。 2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體 載流子的數(shù)目 要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體 , 因而其導(dǎo)電能力大大改善 。 3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
教學(xué)課件相關(guān)推薦
文庫(kù)吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號(hào)-1