氮化硅薄膜制備技術(shù)及其在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用-文庫(kù)吧資料
2025-01-18 14:37本頁(yè)面
【正文】 受污染物質(zhì)的影響，半導(dǎo)體表面鈍化可降低半導(dǎo)體表面態(tài)密度。 b、鈍化作用 ? 由于太陽(yáng)電池級(jí)硅材料中不可避免的含有大量的雜質(zhì)和缺陷，導(dǎo)致硅中少子壽命及擴(kuò)散長(zhǎng)度降低從而影響電池的轉(zhuǎn)換效率。 a、減反射作用 ? 太陽(yáng)電池的減反射膜（ ARC，antireflection coating）的作用是，光照射在硅片表面時(shí)，因?yàn)榉瓷鋾?huì)使光損失約三分之一。由于此法把離子轟擊、離子注入和真空鍍膜三者結(jié)合起來(lái)，為材料表面改性和優(yōu)化提供了一條新途徑，對(duì)它的研究也越來(lái)越多。 e、離子束增強(qiáng)沉積（ IBED）法 ? BED法是在同一真空系統(tǒng)中以電子束蒸發(fā)或離子束濺射薄膜材料（ Si靶）的同時(shí)，用一定能量的離子束（如氮離子束）進(jìn)行轟擊，在常溫下合成薄膜的方法。 d、低壓化學(xué)氣相沉積 (LPCVD) ? 人們?cè)?APCVD 的基礎(chǔ)上研制出了LPCVD。 c、常壓化學(xué)氣相沉積 (APCVD) ? 常壓化學(xué)氣相沉積就是在常壓環(huán)境下，反應(yīng)氣體受熱后被 N2或 Ar等惰性氣體輸運(yùn)到加熱的高溫基片上，經(jīng)化合反應(yīng)或熱分解生成固態(tài)薄膜。低壓沉積過(guò)程一般不需要運(yùn)載氣體，可同時(shí)在大批基板上沉積，工作效率高，比較經(jīng)濟(jì)，制得的薄膜有較好的重復(fù)性，厚度方向上分散性好。 b、高溫?zé)峄瘜W(xué)氣相沉積 (HTCVD)法 ? 這種方法通過(guò)給反應(yīng)氣體加熱，利用熱分解或化合反應(yīng)在基板表面形成固態(tài)膜層。除了 Si和 N，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即SixNyHz或 SiNx:H ? Si/N比對(duì) SiNx薄膜性質(zhì)的影響 x增加而降低 n隨 x增加而增加 ? PECVD法由于其靈活性、沉積溫度低和重復(fù)性好而擴(kuò)大了 CVD法的應(yīng)用范圍，特別是提供了在不同基體上制備各種薄膜的可能性。 ? 對(duì)電池的正表面進(jìn)行 H鈍化 ? 對(duì)電池正表面進(jìn)行保護(hù)，防止氧化 i n v e r t
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