【摘要】名姓線(xiàn)號(hào)學(xué)封級(jí)班卷試密院學(xué)工理川四四川理工學(xué)院2006年至2007學(xué)年第1學(xué)期《電子技術(shù)》課程考試試卷(A卷)出題教師
2024-07-27 01:31
【摘要】1南京信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院試卷答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)2022/2022學(xué)年第__一_學(xué)期期末考試A卷課程名稱(chēng):電子技術(shù)基礎(chǔ)考試時(shí)間:100分鐘制定人王晶2022年
2025-01-15 03:45
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀(guān)檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-18 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-30 23:33
【摘要】....第1章檢測(cè)題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組
2025-06-29 15:22
【摘要】第1章檢測(cè)題()一、填空題:()1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2024-08-18 09:36
【摘要】....第一組:計(jì)算題一、(本題20分)試寫(xiě)出圖示邏輯電路的邏輯表達(dá)式,并化為最簡(jiǎn)與或式。解:二、(本題25分)時(shí)序邏輯電路如圖所示,已知初始狀態(tài)Q1Q0=00。(1)試寫(xiě)出各觸發(fā)器的驅(qū)動(dòng)方程
2025-06-26 00:35
【摘要】《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》期末考試試卷(試卷編號(hào)A)10機(jī)電(閉卷100分鐘)題號(hào)一二三四五總分復(fù)核人實(shí)得分閱卷人一.選擇題:(3分×10=30分)1.燈A(220v,100w)和燈B(220v,60w)并聯(lián)接于220v的電源上,較亮的是()A
2025-06-06 12:20
【摘要】一、填空題(每空1分,共15分)1、晶閘管導(dǎo)通的條件是正向陽(yáng)極電壓、正向門(mén)極觸發(fā)電流。2、電子器件據(jù)其能被控制信號(hào)所控制的程度,可分為三大類(lèi):不控型、半控型、全控型。3、擎住電流是指晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài),移除觸發(fā)信號(hào)使元件保持導(dǎo)通所需最小陽(yáng)極電流。4、絕緣柵晶體管(IGBT)是GTR(或電力晶體管)和MOSFET(或功率場(chǎng)效應(yīng)管或電力場(chǎng)效應(yīng)管)
2025-06-24 13:41
【摘要】第1章習(xí)題及答案,試寫(xiě)出該波形所表示的二進(jìn)制數(shù)。解:該波形表示的二進(jìn)制數(shù)為:0111010。、十六進(jìn)制數(shù)、8421BCD碼來(lái)表示。(1)26(2)87(3)255(4)解:(1)(26)D=(11010)B=(1A)H=(00100110)8421BCD(2)(87)D=(1010111)B=(57)H=(10000111)
2025-06-06 00:02
【摘要】........第1章電路的基本知識(shí)電路的概念(1)略(2)電路通常由電源、負(fù)載和中間環(huán)節(jié)(導(dǎo)線(xiàn)和開(kāi)關(guān))等部分組成。A.電源的作用:將其他形式的能轉(zhuǎn)換成電能。B.負(fù)載的作用:將電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。C.中間環(huán)節(jié)的
2025-06-29 18:14
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)考試試題及答案一.填空題:(每題3分,共30分)1、N型半導(dǎo)體又稱(chēng)電子型半導(dǎo)體,它主要靠自由電子導(dǎo)電。2、NPN型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí),三個(gè)極中電位最高的是c極。PNP型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí),三個(gè)極中電位最高的是e極3、單級(jí)共射放大器對(duì)信號(hào)有放大和反相兩個(gè)作用
2025-06-29 15:16
【摘要】第1章習(xí)題及答案.=5V,V,二極管的正向壓降可忽略不計(jì),試分別畫(huà)出輸出電壓的波形。解:(a)圖:當(dāng)E時(shí),=E,當(dāng)E時(shí),。(c)圖:當(dāng)E時(shí),。(d)圖:當(dāng)E時(shí),;當(dāng)E時(shí),。畫(huà)出波形如圖所示。.有兩個(gè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2,,。,3V
2025-07-04 21:55
【摘要】11章自測(cè)題填空題1.2.43.n24.邏輯代數(shù)卡諾圖5.)(DCBAF??)(DCBAF???6.))((CBDCBAF????7.代數(shù)法卡諾圖8.1判斷題1.√2.√3.215。選擇題AF
2024-11-04 08:42
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一、填空題(20分)1、______電路和_______電路是兩種最基本的線(xiàn)性應(yīng)用電路。2、晶體二極管具有_______特性。3、放大電路的分析方法有______和小信號(hào)模型分析法。4、BJT的主要參數(shù)是__________。5、帶寬和________是放大電路的重要指標(biāo)之一。6、處理模擬信號(hào)的電子電路稱(chēng)為_(kāi)______。7、把整個(gè)電路中的元器件制
2024-08-18 10:19