晶體管單級(jí)放大器設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧資料
2025-01-14 15:08本頁(yè)面
【正文】 得 ???? ?rAR因 RL’=RC//RL 則 ?????? LLLLC RRRRR綜合考慮，取標(biāo)稱(chēng)值 ? 解 (2) 設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)并計(jì)算元件參數(shù) 解 (2) 設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)并計(jì)算元件參數(shù) 計(jì)算 電容 為： )(π21)10~3(CbesLB ???rRf取標(biāo)稱(chēng)值 10mF 取 CC = CB = 10mF。 )?1kΩ， 有 3 0 01 0 0 026CQ ????I取 ICQ = 26mV ｛ ICQ ｝ mA mA 依據(jù) 指標(biāo)要求 、 靜態(tài)工作點(diǎn)范圍 、 經(jīng)驗(yàn)值 進(jìn)行計(jì)算 解 (2) 設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)并計(jì)算元件參數(shù) 若取 VBQ = 3V，得 ???? CQBEBQE IVVR取標(biāo)稱(chēng)值 ? 因 IBQ＝ ICQ/ 223。 ? 因放大器的上限頻率要求較高，故選用高頻 小功率管 3DG100，其特性參數(shù)ICM=20mA， V(BR)CEO≥20V， fT ≥ 150MHz ? 通常要求 ?的值大于 AV的值，故 選 ? = 60。 性能指標(biāo)要求 AV? 40， Ri ? 1k ? ， Ro ? 3k ? ， fL ? 100Hz， fH ? 100kHz。 Vi=10mV(Vipp=28mV) 三、設(shè)計(jì)舉例 例 設(shè)計(jì)一阻容耦合單級(jí)晶體管放大器。 ( a) ( b) ( c)CBRsrbeCCRCRL? IBRCRE CE???1besrR＋－＋ ＋＋－＋Vs? 頻率特性和通頻帶 如果放大器的下限頻率 fL已知，則可按下列表達(dá)式估算： )(π21)10~3(CbesLBrRf ??)(π21)10~3(CLCLCRRf ??)1//(π21)3~1(besEL ????rRRfC EBW的測(cè)試方法 : 采用 “ 逐點(diǎn)法 ” 測(cè)量放大器的幅頻特性曲線。 0－ 3中頻區(qū)低頻區(qū) 高頻區(qū)BWfLfHf / H zf / H z－ 90－ 180－ 27 0? / 度20 l g AV / d B0( a)( b )fHfL通頻帶 BW = fH – fL 式中， fH為放大器的上限頻率，主要受晶體管的結(jié)電容及電路的分布電容的限制； fL為放大器的下限頻率，主要受耦合電容 CB、CC及射極旁路電容 CE的影響。 A(?)表示增益的幅度與頻率的關(guān)系； ?(?)表示增益的相位與頻率的關(guān)系； ?是放大器輸出信號(hào)與輸入信號(hào)間的相位差 。當(dāng) RoRL時(shí)，放大器可等效成一個(gè)恒壓源。 輸出電阻 ro為晶體管的輸出電阻 。 beB2B1bei //// rRRrR ??即 在信號(hào)源輸出與放大器輸入端之間，串聯(lián)一個(gè)已知電阻 R(一般以選擇 R的值接近 Ri的值為宜 )，如上圖所示。在波形不失真的條件下，如果測(cè)出 Vi (有效值 )或Vim(峰值 )及 Vipp（峰 峰）與 Vo(有效值 )或 Vom(峰值 ) Vopp（峰 峰），則 imomioVVVVVA ??Av的測(cè)試方法 ＝ Vipp Vopp 輸入電阻 放大器的輸入電阻反映了放大器本身消耗輸入信號(hào)源功率的大小。 C B＋＋I(xiàn)1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoVi2. 基本關(guān)系式 工作點(diǎn)穩(wěn)定的必要條件： I1IBQ ， 一般取 )(20)~(1 0 )(10)~(5 BQ1 BQ1鍺管硅管IIII?? 直流負(fù)反饋愈強(qiáng)，電路的穩(wěn)定性愈好。 CB＋＋I(xiàn)1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoVi 該電路利用電阻 RB RB2的分壓固定基極電位 VBQ。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路。晶體管單級(jí)放大器設(shè)計(jì) 學(xué)習(xí)目的 ? 掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置 與調(diào)整方法 ? 放大器基本性能指標(biāo)的測(cè)試方法 ? 負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響 ? 放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。 一、電路工作原理及基本關(guān)系式 圖 阻容耦合共射極放大器 CB＋＋I(xiàn)1－R
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