ch02mos器件物理基礎(chǔ)-文庫吧資料
2025-01-12 14:16本頁面
【正文】 44 3) VGS VTH VDS VGS – VTH飽和區(qū) j j s wj s wSB mmS B B S B BC( 1 V / ) ( 1 V / )??? ? ? ?j源 極 源 極 周 長W E CC=j j s wj s wDB mmD B B D B BC( 1 V / ) ( 1 V / )??? ? ? ?j漏 極 漏 極 周 長W E CC=GBC 可 以 忽 略 不 計(jì)OXG S O v2 L C C3WCW??G D O vCCW?45 柵源、柵漏電容隨 VGS的變化曲線 46 NMOS器件的電容 電壓特性 積累區(qū) 強(qiáng)反型 47 減小 MOS器件電容的版圖結(jié)構(gòu) 對于圖 a:CDB=CSB = WECj + 2(W+E)Cjsw 對于圖 b: CDB=(W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw CSB=2((W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw = WECj +2(W+2E)Cjsw 48 柵極電阻 49 MOS 低頻小信號模型 ?? ? ?DSon o xD D DS D2GS THV 1 1 1r = = = =μC WI I / V λI( V V ) λ2L50 完整的 MOS小信號模型 51 作業(yè)： , 52 實(shí)驗(yàn) 熟悉 HSPICE環(huán)境及 MOS晶體管特性 在 Windows下 Tanner環(huán)境下 SPICE的使用 任務(wù)： 1)完成 NMOS和 PMOS晶體管 IV特性的仿真 ,包括 A W,L不變 ， 在不同的 Vgs下 ， Ids與 Vds關(guān)系 B W,L不變 ， 在不同的 Vds下 ， Ids與 Vgs關(guān)系 C Vgs不變 ， 在不同的 W/L下 ， Ids與 Vds關(guān)系 2) 習(xí)題 3) 襯底調(diào)制效應(yīng)的仿真：習(xí)題 時(shí)間 4小時(shí) 實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求畫出各個(gè)曲線，上交電子版。/2181。 Ｌ =4181。 ?ID/?VDS∝ λ/L∝ 1/L2 Ｌ =2181。 ?可通過柵源電源（ Vgs）方便控制 MOS管的導(dǎo)通與關(guān)斷。 DS ? V GS ? V TH ( P i nc h ? of f )Q d ( x ) ? WC ox ( V GS ? V ( x ) ? V TH )當(dāng) V(x)接近 VGSVT，Qd(x)接近于 0，即反型層將在 X≤L處終止，溝道被夾斷。第二章 MOS器件物理基礎(chǔ) 1 G ( G a t e )柵 極D ( D r a i n )漏 極S ( S o u r c e )源 極MOSFET開關(guān) N型 MOSFET 導(dǎo)通時(shí) VG的值 (閾值電壓 )？ 源漏之間的電阻？ 源漏電阻與各端電壓的關(guān)系？ … 2 MOSFET的結(jié)構(gòu) 3 襯底 Ldrawn：溝道總長度 Leff：溝道有效長度， Leff＝ Ldrawn－ 2 LD MOSFET的結(jié)構(gòu) LD：橫向擴(kuò)散長度 （ bulk、 body） tox : 氧化層厚度 源極：提供載流子 漏極：收集 載流子 4 MOSFET ： MetalOxide Semiconductor FieldEffect Transistor CMOS : 互補(bǔ) MOS n型 MOSFET ：載流子為電子 p型 MOSFET ：載流子為空穴 阱：
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