ccd圖像傳感器ppt課件(2)-文庫(kù)吧資料
2025-01-12 13:26本頁(yè)面
【正文】 互 耦合 。有光線入射到硅片上時(shí)，光子作用下產(chǎn)生電子 — 空穴對(duì)，空穴被電場(chǎng)作用排斥出耗盡區(qū)，而電子被附近勢(shì)阱（俘獲），此時(shí)勢(shì)阱內(nèi)吸的光子數(shù)與光強(qiáng)度成正比。 ? 當(dāng)金屬電極上加正電壓時(shí)，由于電場(chǎng)作用，電極下 P型硅區(qū)里空穴被排斥入地成耗盡區(qū)。 P型半導(dǎo)體里空穴濃度高 ，為多數(shù)載流子，電子濃度少，為少數(shù)載流子， N型半導(dǎo)體則相反。 （ 2）讀出移位寄存器 。落后先進(jìn)國(guó)家 10年以上。Smith） ?1973年仙童公司制造出第一只商用 CCD成像器件，索尼 CCD技術(shù)起步也較早于 1980年制造出了第一部 CCD彩色攝像機(jī)， 1999年富士公司研制出了第一代超級(jí) CCD（ Super CCD），采用八角形的光電二極管和蜂窩狀的像素排列，使得在單位像素面積不減小的基礎(chǔ)上增大了 CCD的總面積 ,它有更高的靈敏度、更高的信號(hào)噪聲比并有更廣泛的動(dòng)態(tài)范圍。Boyle）和喬治 Smith ）發(fā)明了 CCD 維拉 Boyle ）和喬治 CCD發(fā)
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