教授：陳文山學(xué)生：林晏羽班級(jí)：碩研電子一甲學(xué)號(hào)：9930228-文庫(kù)吧資料
2024-10-06 21:56本頁(yè)面
【正文】 atch lnter Stage Match Lnput Match Power Stage Bias Vcc1 GND GND Vcc1 VCONT VREF RFln RFOut Module MMIC DA DA 圖 手機(jī)框圖。電壓控制，可變?cè)鲆骐娐?。調(diào)整後的增益是通過改變偏壓的感應(yīng)電流在輸出。在可變?cè)鲆婕軜?gòu)， [功率放大器有固定的輸入功率，通常由一個(gè)壓控振盪器（ VCO），輸出功率為通過改變?cè)鲆婀β史糯笃魍ㄟ^偏置控制。這樣的設(shè)計(jì)集成了控制階段和擴(kuò)增階段在一個(gè)芯片上。第一階段提供線性增益，第二階段提供足夠的功率來(lái)驅(qū)動(dòng)第三階段為飽和模式操作。阻抗匹配電路用於輸入和輸出的放大器。 3 THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE : .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):6069 .INSPEC ACCESSION NUMBER:11148040 .DIGITAL OBJECT IDENTIFIER ::29 一月 2020 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY Requirements for Power Amplifiers 4 PA 設(shè)計(jì) 使用 功率 尺寸 THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE : .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):6069 .INSPEC ACCESSION NUMBER:11148040 .DIGITAL OBJECT IDENTIFIER ::29 一月 2020 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY Semiconductor Technologies for RF Integrated Circuit Handset PAs 5 ? V族化合物為基礎(chǔ)的技術(shù)和矽為基礎(chǔ) ? 2. MESFET ? 3. PHEMT ? 4. HBT 半導(dǎo)體技術(shù)可用於 PA的應(yīng)用： 砷化鎵（ GAAS）優(yōu)點(diǎn) ： ? ? ? ? PAE的高產(chǎn)量 Vcc THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE : .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):6069 .INSPEC ACCESSION NUMBER:11148040 .DIGITAL OBJECT IDENTIFIER ::29 一月 2020 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY Semiconductor Technologies for RF Integrated Circuit Handset Pas 6 THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE : .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):6069 .INSPEC ACCESSION NUMBER:11148040 .DIGITAL OBJECT IDENTIFIER ::29 一月 2020 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY Handset Power Amplifier Design Methodologies and Architectures Saturated Power Amplifi er Design Methodologies and Architectures Power Amplifier Design Methodology 7 Match Match Match Match COMS Conroller HBT PA HBT PA 圖 ，四組頻帶 GSM / GPRS功率放大器。教授：陳文山 學(xué)生：林晏羽 班級(jí)：碩研電子一甲 學(xué)號(hào)： 9930228 THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE : .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):6069 .INSPEC ACCESSION NUMBER:11148040 .DIGITAL OBJECT IDENTIFIER ::29 一月 2020 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY 1973 1983 1988 2020 2020 EVOLUTION OF RFIC HANDSET PAS 2 手機(jī)業(yè)務(wù)增長(zhǎng) /預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 2020年至 2020 圖 1。手機(jī)手機(jī)部門的增長(zhǎng)，較去年同期預(yù)測(cè)全球（百萬(wàn)）。 CMOS控制器提供直流偏置，邏輯控制，功率控制的兩條平行異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。 Automatic Bas Controller Vcc RFout RFin Vapc 圖 。 8 THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE : .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):6069 .INSPEC ACCESSION NUMBER:11148040 .DIGITAL OBJECT IDENTIFIER ::29 一月 2020 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY 圖 SiGe HBT功率放大器。 9 THIS PAPER APPEARS IN:
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