碳納米管制備方法綜述-文庫吧資料
2025-05-22 22:55本頁面
【正文】 發(fā)現(xiàn)以來受到極大關(guān)注，成為納米碳管的主要合成方法之一。沉積生成納米碳管。簡稱 CVD)。金屬氧化物、硫化物、碳化物及有機(jī)金屬化合物也被使用過。改變其化學(xué)吸附與分解含碳?xì)怏w的能力。附著在催化劑微粒表面上形成為碳納管。此方法在較高溫度下使含碳化合物裂解為碳原子。附著在催化劑微粒表面上形成為碳納管。 此方法在較高溫度下使含碳化合物裂解為碳原子。難以推廣應(yīng)用。這是促使多壁納米碳管生長的一個(gè)重要的內(nèi)在因素。端部層與層的邊緣碳原子可以成鍵。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，多壁納米碳管是激光蒸發(fā)環(huán)境中純碳蒸氣的固有產(chǎn)物。 一般來說，納米碳管要比相應(yīng)的球狀富勒碳穩(wěn)定性差一些。激光蒸發(fā)設(shè)備同簡單單壁納米碳管合成設(shè)備類似，在 1 200℃ 的電阻爐中，由激光束蒸發(fā)石墨靶。他們采用類似的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。究其原因是電弧溫度高達(dá) 3 000— 3 700℃ ，形成的納米碳管被燒結(jié)于一體，造成較多的缺陷但在化學(xué)氣相沉積法被發(fā)現(xiàn)之前，石墨電弧法仍是合成納米碳管的主要方法。但該法所生產(chǎn)的納米碳管缺陷較多。液氮和水溶液都曾被用來替換氦氣和氫氣制備納米碳管。改變在陽極組成或直徑、或在石墨極中添加Y2O3等也有很好的效果。工藝參數(shù)的改變?nèi)绺鼡Q陰極材料或改變惰性氣體都將大大影響納米碳管的產(chǎn)率。同時(shí)在石墨陰極上沉積出含有納米碳管的
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