微電子技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)-文庫吧資料
2025-05-21 02:13本頁面
【正文】 成電路柵長(zhǎng)度的減小和集成度的增大，因此必須發(fā)展相應(yīng)的制造技術(shù)，即光刻技術(shù)、氧化和擴(kuò)散技術(shù)、多層布線技術(shù)和電容器材料 技術(shù)。在集成度一代代提高的同時(shí)，芯片的性能、功能不斷增強(qiáng)，而價(jià)格卻不斷下跌。 ? 與 IC加工精度提高的同時(shí)，加工的硅圓片的尺寸卻在不斷增大，生產(chǎn)硅片的批量也不斷提高。根據(jù)按比例縮小原理，特征線條越窄， IC的工作速度越快，單元功能消耗的功率越低。著名的穆爾定則指出， IC的集成度 ( 每個(gè) 微電子芯片上集成的器件數(shù)），每 3年左右為一代， 每代翻兩番。每一代大約需 要經(jīng)過 3年左右。即：如果把，那么幾年后又一代新產(chǎn)品將達(dá)到 （ )，再過幾年則會(huì)達(dá)到。 ? 至于物理限制，人們普遍認(rèn)為，電路線寬達(dá)到 時(shí)，制作器件就會(huì)碰到嚴(yán)重問題。目 前建設(shè)一條月產(chǎn) 5000萬塊 16MDRAM的生產(chǎn)線， 至少需要 10億美元。 ? 其次是物理限制 , 當(dāng)芯片設(shè)計(jì)及工藝進(jìn)入到 原子級(jí)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)問題。 ? 首先是企業(yè)資金的限制。 ? 1965年， Inter公司董事長(zhǎng) Gorden Moore在研究存儲(chǔ)器芯片上晶體管增長(zhǎng)數(shù)的時(shí)間關(guān)系時(shí)發(fā)現(xiàn)，每過 18~24個(gè)月，芯片集成度提高一倍。集成電路已發(fā)展到超大規(guī)模和甚大規(guī)模、深亞微米（ )精度和可集成數(shù)百萬
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