晶體管的頻率特性與功率特性-文庫吧資料
2025-05-17 00:30本頁面
【正文】 均勻所導致 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理梳狀電極平面晶體管的結構示意圖 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理 橫向壓降隨著基區(qū)薄層電阻的增大而增大，隨著 y的增加而上升。 以下定性分析大電流密度時產(chǎn)生的三個效應。 增大結面積的方法并不可取，（結面積的增大會導致成品率的降低，并會增大結電容而使晶體管的高頻性能變差）。要提高晶體管的輸出功率就必須提高 IcM。 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理ccocM V/4PI ? 以共發(fā)射極運用為例，如何根據(jù)電源電壓 Vcc和輸出功率 PO的要求來確定 IcM。而在大電流區(qū)域，晶體管的直流和交流特性都會發(fā)生明顯變化，電流增益和特征頻率等參數(shù)都會隨著集電極電流增大而迅速下降，從而使集電極最大工作電流受到了限制。 最高振蕩頻率 最高振蕩頻率表達式 ? ?218????????eTbcTmLfrCff??半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理? ?ceTbTPmCLfrffG?? ??2282f頻帶寬度 高頻優(yōu)值（增益 帶寬乘積）表達式 高頻優(yōu)值全面地反映了晶體管的功率和頻率性能，而且只與晶體管本身的參數(shù)有關，因此高頻優(yōu)值是設計和制造高頻功率晶體管的重要依據(jù)之一。 GPm 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理共射等效電路 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理共射晶體管的最佳功率增益表達式 TcbTPmCrffG28 ??半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理 實際晶體管中，集電極的輸出阻抗除集電結勢壘電容外，還存在延伸電極電容和管殼寄生電容等，用 Cc表示集電極的總輸出電容。 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理功率增益 輸出功率和輸入功率的比值。 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理 高頻功率增益和最高振蕩頻率 功率增益表示晶體管對功率的放大能力。 00 ??CEVbcii?半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理共發(fā)射極短路電流放大系數(shù) ???????/1/0je bjm???共射交流放大系數(shù) β也是復數(shù) 幅值隨著頻率升高而下降 相位滯后隨著頻率升高而增大 （與 α 類似） 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理 與 的關系 ?f ?f0)1( ???mff???? ff ??說明 共射短路電流放大系數(shù) β比共基短路電流 放大系數(shù) α下降更快。 *nenceneeci)0(iiiii??????半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理 交流放大系數(shù) α是 復數(shù) ，其 幅值 隨著頻率的升高而下降， 相位差 隨著頻率的升高而增大。 )0(i)x(incmncd ??半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理集電結勢壘電容分流電流 iCTc 到達集電區(qū)的交變電子電流，在通過集電區(qū)時 ，還需要用一部分電子電流對集電結勢壘電容充放電，形成勢壘電容的分流電流 iCTc ，真正到達集電極的電子電流只有 incc inc(xm)=incc+iCTc 半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理集電區(qū)衰減因子 αc 集電極輸出電流 ic應該等于從發(fā)射極傳輸過來的電子電流 incc和集電結反向電流 ipc之和。 neC D eVRnenc*iii1i)0(i ?????半導體器件物理 第四章 晶體管的頻率特性和功率特性 半導體器件物理集電結空間電荷區(qū)輸運系數(shù) 到達集電結邊界的電子電流 inc(0)，
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