【正文】 } } 21 將電路圖放在 protues仿真，結(jié)果線性度良好，取其中一點(diǎn)，如圖： 圖 仿真結(jié)果 總結(jié) 通過做完這次設(shè)計(jì)，我學(xué)到了做事要事先準(zhǔn)備充分，只有在查閱資料書之后做設(shè)計(jì)才會(huì)得心應(yīng)手，這次在知識(shí)體系上，把模擬電路、數(shù)字電路、傳感器、單片機(jī)等課程知識(shí)綜合應(yīng)用，對(duì)這些知識(shí)有了更深入的認(rèn)識(shí)，以前只知道 protues軟件的功能強(qiáng)大，但一直都沒有用過，但這次要仿真，逼著要 去學(xué)，讓我感受到它功能的強(qiáng)大和應(yīng)用的靈活，這些都是在我們教材上是學(xué)不到的，所以在以后的學(xué)習(xí)、生活、工作中，一定要開闊自己的視野，努力學(xué)習(xí)更多更全面的知識(shí)。i255。 } } void delay882us(void) //延時(shí) 882us { unsigned char i。 P1=0xff。 P1=0x7f。 P21=0。//小數(shù)點(diǎn) P1=0X10。 P20=0。 delay882us()。 P20=1。 delay882us()。 P21=1。 if(r==5)r=0。) //循環(huán)掃描 { q++。 for(q=0。 xx[3]=ddd/1000%10。 xx[1]=ddd/10%10。 unsigned char y[8]={0x80,0x40,0x20,0x10,0x8,0x4,0x2,0x1}。 //不帶小數(shù)點(diǎn) // unsigned char ll[10]={0x40,0x79,0x24,0x30,0x19,0x12,0x02,0x78,0x00,0x10}。 } /*************************** 數(shù) 碼 管掃描 ***************************/ void x8led(unsigned long ddd) { unsigned char q,r=0。 else fT=fT0。i++) { fT = fT0 + (fR 100*(1 + A*fT0 + B*fT0*fT0)) / (100*(A + 2*B*fT0)) 。fR) { for(i=0。 } } else if(fR=100amp。 if(fabs(fTfT0)) break。i50。amp。 fT0=(fR/1001)/A。 unsigned char i。 x8led(c)。 } void timer2() interrupt 3 //顯示 { TH1=(6553640000)/256。 TR0=1。 TL1=(6553640000)%256。 TL0=216。 TMOD=0x12。 ET1=1。 c=100*pt100(getdata)。 OE=0。//等待轉(zhuǎn)換結(jié)束 OE=1。 ST=0。 while(1) { ST=0。 double c。 sbit P23=P2^3。 sbit P20=P2^0。 sbit CLK=P3^7。 sbit OE=P3^1。 void init()。 void delay882us(void)。 13（ GND）：地。要求時(shí)鐘頻率不高于 640KHZ。當(dāng) A/D 轉(zhuǎn)換結(jié)束時(shí)，此端輸入一個(gè)高電平，才能打開輸出三態(tài)門，輸出數(shù)字量。 7（ EOC）： A/D 轉(zhuǎn)換結(jié)束信號(hào)，輸出，當(dāng) A/D 轉(zhuǎn)換結(jié)束時(shí)，此端輸出一個(gè)高電平（轉(zhuǎn)換期間一直為低電平）。 22（ ALE）：地址鎖存允許信號(hào)，輸入，高電平有效。各引腳功能如下： 1～ 5 和 26～ 28（ IN0～ IN7）： 8 路模擬量輸入端。 圖 ADC0808 內(nèi)部結(jié)構(gòu) ADC0808 是 CMOS 單片型逐次逼近式 A/D 轉(zhuǎn)換器，它有 8 路模擬開關(guān)、地址鎖存與譯碼器、比較器、 8 位開關(guān)樹型 A/D 轉(zhuǎn)換器。 ADC0808是 ADC0809的簡(jiǎn)化版本，功能基本相同。 17 圖 八位共陽數(shù)碼管 AD 轉(zhuǎn)換模塊 這里采用的是 ADC0808， 是采樣分辨率為 8位的、以逐次逼近原理進(jìn)行模 /數(shù)轉(zhuǎn)換的器件。在輪流點(diǎn)亮掃描過程中，每位顯示器的點(diǎn)亮?xí)r間極為短暫，但由于人的視覺暫留現(xiàn)象及發(fā)光二極管的余暉效應(yīng)，給人的印象就是一組穩(wěn)定的顯示數(shù)據(jù)。 CPU 向字段輸出口送出字形碼時(shí)，所有顯示器接收到相同的字形碼，但究竟是哪個(gè)顯 示器亮，則取決于 COM 段，而這一段是由 I/O 控制的，由單片機(jī)決定何時(shí)顯示哪一位了。 另一種方法是動(dòng)態(tài)掃描顯示。這樣單片機(jī)只要把要顯示的字形代碼發(fā)送到接口電路，該字段就可以顯示發(fā)送的字形。靜態(tài)顯示的數(shù)據(jù)穩(wěn)定，占用的CPU 時(shí)間少。首先介紹靜態(tài)顯示方法。 作電壓范圍： ~ 。當(dāng)鎖存使能變低時(shí)，符合建立時(shí)間和保持時(shí)間的數(shù)據(jù)會(huì)被鎖存。 圖 74HC573 封裝 輸入是和標(biāo)準(zhǔn) CMOS 輸出兼容的；加上拉電阻，他們能和 LS/ALSTTL 輸出兼容。經(jīng)過計(jì)算， Ptl00恒流源在 、 、 三個(gè)不同電流檔位時(shí)放大電路的放大倍數(shù)分別為 20倍、 15倍、 10倍左右時(shí)可以滿足 A/D的要求。 圖 三線制接法橋式測(cè)溫電路 圖 圖 4 整體電路 放大電路設(shè)計(jì) 由于所測(cè)出的 Pt電阻溫度傳感器兩端的電壓信號(hào)非常微弱，所以此電壓在進(jìn)行 A／ D轉(zhuǎn)換之前必須經(jīng)過放大電路 (如圖 )的放大。 ④電阻 R R3的電阻值取得足夠大，以增大運(yùn)放的 U1B的輸入阻抗。 ③運(yùn)放采用單一 5V供電，如果測(cè)量的溫度波動(dòng)比較大，將運(yùn)放的供電改為177。 設(shè) 計(jì)及調(diào)試注意點(diǎn)： ① 電壓基準(zhǔn)源可以采用 TL431按圖 。 測(cè)溫原理：通過運(yùn)放 U1A將基準(zhǔn)電壓 ，電流流過 Pt100時(shí)在其上產(chǎn)生壓降，再通過運(yùn)放 U1B將該微弱壓降信號(hào)放大（圖中放大倍數(shù)為 10），即輸出 期望的電壓信號(hào)，該信號(hào)可直接連 AD轉(zhuǎn)換芯片。 ⑥電橋的正電源必須接穩(wěn)定的參考基準(zhǔn)，因?yàn)槿绻苯?VCC的話，當(dāng)網(wǎng)壓波動(dòng)造成 VCC發(fā)生波動(dòng)時(shí)，運(yùn)放輸出的信號(hào)也會(huì)發(fā)生改變，此時(shí)再到以 VCC未發(fā)生波動(dòng)時(shí)建立的溫度 電阻表中去查表求值時(shí)就不正確了。測(cè)量電位器的阻值時(shí)須在沒有接入電路時(shí)調(diào)節(jié)，這是因?yàn)榻尤腚娐泛鬁y(cè)量的電阻值發(fā)生了改變。 設(shè)計(jì)及調(diào)試注意點(diǎn)： ① 同幅度調(diào)整 R1和 R2的電阻值可以改變電橋輸出的壓差大??； ② 改變 R5/R3的比值即可改變電壓信號(hào)的放大倍數(shù)，以便滿足設(shè)計(jì)者對(duì)溫度范圍的要 13 求 ③ 放大電路必須接成負(fù)反饋方式，否則放大電路 不能正常工作。 測(cè)溫原理：電路采用 TL431和電位器 VR1調(diào)節(jié)產(chǎn)生 ；采用 R RVR Pt100構(gòu)成測(cè)量電 橋（其中 R1＝ R2， VR2為 100Ω精密電阻），當(dāng) Pt100的電阻值和 VR2的電阻值不相等時(shí)，電橋輸出一個(gè) mV級(jí)的壓差信號(hào)，這個(gè)壓差信號(hào)經(jīng)過運(yùn)放 LM324放大后輸出期望大小的電壓信號(hào)，該信號(hào)可直接連 AD轉(zhuǎn)換芯片。其中圖 ，圖 橋式測(cè)溫電路，圖 。 電橋測(cè)量方法 常用的 Pt電阻接法有三線制和兩線制，其中三線制接法的優(yōu)點(diǎn)是將 PT100的兩側(cè)相等的的導(dǎo)線長(zhǎng)度分別加在兩 側(cè)的橋臂上，使得導(dǎo)線電阻得以消除。由于鉑電阻的電阻值與溫度成非線性關(guān)系，所以需要進(jìn)行非線性校正。C ） 4] 鉑電阻溫度的測(cè)量方法 鉑電阻溫度傳感器是利用其電阻和溫度成一定函數(shù)關(guān)系而制成的溫度傳感器 ,由于其測(cè)量準(zhǔn)確度高、測(cè)量范圍大、復(fù)現(xiàn)性和穩(wěn)定性好等 ,被廣泛用于中溫 (200℃ — 650℃ )范圍的溫度測(cè)量中。C ] B= 103[1/（ 176。C — 650176。C — 0176。C 時(shí)的電阻值 ? — 導(dǎo)體材料的電阻溫度系數(shù)（ ? /176。C ） 當(dāng)溫度改變時(shí)， L、 S可以近似看作不變，導(dǎo)體的電阻可表示為： Rt=R0（ 1+? t） （ ） 式中 Rt— 導(dǎo)體材料在溫度為 t176。C 時(shí)的電阻率 ? 0— 導(dǎo)線材料在溫度為 0176。 熱電阻的電阻值不僅和制造熱電阻的材料和導(dǎo)線的物理形狀有關(guān)同時(shí)也和溫度有關(guān)系．即它不僅和 p、 L、 S有關(guān)還和溫度有關(guān)。金屬中的應(yīng)力狀態(tài)會(huì)改變它的電阻～溫度特性。鉑電阻應(yīng)采用無應(yīng)力結(jié)構(gòu)，也就是說，鉑絲受熱膨脹或冷卻時(shí)都不受支架的約束。鉑絲的直徑大小將直接影響鉑電阻的強(qiáng)度和它的熱惰性的大小，同時(shí)，由于鉑是貴金屬，也影響其成本。鉑熱電阻通常用直徑為 ～ 177。C (線性較好的溫度范用 )。而在工業(yè)上廣泛應(yīng)用的銅鉑電阻的測(cè)溫范圍為 50176。C— +200176。C，分別稱為中溫鉑電阻和高溫鉑電阻。C和 O176。桿式的上限溫度很高可使其溫度范圍在 183176。 （ 4）滿足對(duì)溫度傳感器的基本要求．如靈敏度大，線性好，復(fù)現(xiàn)性高，響應(yīng)時(shí)間小，價(jià)格便宜，物理化學(xué)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。C之間的平均溫度系數(shù)，如 ??pt= 103[1/K] ??Cm= 103[1/K] ??Nt= 103[1/K] （ 2）材料的電阻率大．這樣可以是熱電阻的體積做得更小，測(cè)溫時(shí)的熱慣性也?。毫硗怆娮杪瘦^大時(shí)，可用較短較粗的金屬絲制造 R0值較大的熱電阻體，從改善機(jī)械性能和穩(wěn)定性．如在 0176。 鉑電阻的特點(diǎn) 任何物體的