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正文內(nèi)容

八路智能搶答器的設(shè)計(jì)單片機(jī)外文翻譯單片機(jī)at89c(參考版)

2024-12-08 14:32本頁(yè)面
  

【正文】 。 AT89C51單片機(jī)中,有些屬于低電壓編程方式,而有些則是高電 壓編程方式,用戶可從芯片上的型號(hào)和讀取芯片內(nèi)的名字節(jié)獲得該信息 。編程接口可接收高電壓( +12V)或低電壓( Vcc)的允許編程信號(hào)。 為使單片機(jī)能正常工作,被鎖存的 EA 電平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致。 掉電模式: 在掉電模式下,振蕩器停止工作,進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令,片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。為了避免可能對(duì)端口產(chǎn)生意外寫(xiě)入,激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫(xiě)入指令。其二是通過(guò)硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止。終止空閑工作模式的方法有兩種,其一是任何一條被允許中斷的事件被激活, IDL( )被硬件清除,即刻終止空閑工作模式。此時(shí),片內(nèi) RAM和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變。如需同時(shí)進(jìn)入兩種工作模式,即 PD和 IDL同時(shí)為 1,則先激活掉電模式。 PD 是掉電模式,當(dāng) PD=1 時(shí),激活掉電工作模式,單片機(jī)進(jìn)入掉電工作狀態(tài)。空閑節(jié)電模式: AT89C51 有兩種可用軟件編程的省電模式,它們是空閑模式和掉電工作模式。 10pF 八路智能搶答器的設(shè)計(jì) 第 12頁(yè) 共 13頁(yè) 由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)一個(gè) 2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的,所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒(méi)有特殊要求,但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的 要求。 圖 1 內(nèi)部振蕩電路 圖 2外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路 石英晶體時(shí): C1, C2= 30pF177。采用外部時(shí)鐘的電路如圖 5右圖所示。 10F。對(duì)外接電容 C C2雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求,但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性,如果使用石英晶體,我們推薦電容使用 30pF177。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器,振蕩電路參見(jiàn)圖 5。 如 EA端為高電平(接 VCC端), CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。欲使 CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為 0000H— FFFFH),EA端必須保持低電平(接地)。 PSEN:程序儲(chǔ)存允許( PSEN)輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng) AT89C51 由第 11頁(yè) 共 13頁(yè) 外部程序存儲(chǔ)器取指令(或數(shù)據(jù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN有效,即輸出兩個(gè)脈沖。此外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置 ALE無(wú)效。如有必要,可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器( SFR)區(qū)中的 8EH單元的DO 位置位,可禁止 ALE 操作。要注意的是:每當(dāng)訪 問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè) ALE脈沖。 ALE/ PROG: 當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。當(dāng)振蕩器工作時(shí), RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 作輸入端時(shí),被外部拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流( IIL)。 P3 口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流) 4 個(gè) TTL邏輯門電路。 Flash編程或校驗(yàn)時(shí), P2亦接收高位地址和其它控制信號(hào) 在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或 16位地址的外部數(shù)據(jù)存八路智能搶答器的設(shè)計(jì) 第 10頁(yè) 共 13頁(yè) 儲(chǔ)器(例如執(zhí)行 MOVXDPTR指令)時(shí), P2口送出高 8位地址數(shù)據(jù)。 P2口: P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/ O口, P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流) 4個(gè) TTL邏輯門電路。 FIash編程和程序校驗(yàn)期間, P1接收低 8位地址。對(duì)端口寫(xiě)“ 1”,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口。 在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí),這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址(低8位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)用,在訪問(wèn)期間激活內(nèi)部上拉電阻。 P0 口: P0 口是一組 8 位漏極開(kāi)路型雙向 I/ O 口,也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。 Vcc:電源電壓 AT89C51是美國(guó) ATMEL公司生產(chǎn)的低電壓,高性能 CMOS的 8位單片機(jī),片內(nèi)含 4k bytes的可反復(fù)擦寫(xiě)的只讀程序存儲(chǔ)器( PEROM)和 128 bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器( RAM),器件采用 ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),兼容標(biāo)準(zhǔn) MCS51指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用 8位中央處理器( CPU)和 Flash存儲(chǔ)單元,功能強(qiáng)大 AT89C51單片機(jī)可為您提供許多高性價(jià)比的應(yīng)用場(chǎng)合,可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。空閑方式停止 CPU 的工作,但允許 RAM,定時(shí) /記數(shù)器,串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。第 1頁(yè) 共 13頁(yè) AT89C51 Features ? Compatible with MCS51? Products ? 4K Bytes of InSystem Reprogrammable Flash Memory ? Endurance: 1,000 Write/Erase Cycles ? Fully Static Operation: 0 Hz to 24 MHz ? Threelevel Program Memory Lock ? 128 x 8bit Internal RAM ? 32 Programmable I/O Lines ? Two 16bit Timer/Counters ? Six Interrupt Sources ? Programmable Serial Channel ? Lowpower Idle and Powerdown Modes Description The AT89C51 is a lowpower, highperformance CMOS 8bit microputer with 4Kbytes of Flash programmable and erasable read only memory (PEROM). The deviceis manufactured using Atmel’s highdensity nonvolatile memory technology and ispatible with the industrystandard MCS51 instruction set and pinout. The onchipFlash allows the pro
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