(1)gan外延生長流程(參考版)
2025-02-20 12:11本頁面
【正文】 XRD 分析 演講完畢，謝謝觀看！ 。 ?λ為 X射線的波長。 ?衍射理論所的中心問題 : 在衍射現(xiàn)象與晶體結(jié)構(gòu)之間建立起定性和定量的關(guān)系。 ?衍射線的空間分布規(guī)律，（稱之為衍射幾何），反應(yīng)晶胞的大小、形狀和位向等。 ?而另一些方向上的波則始終是互相是抵消 的，于是就沒有衍射線產(chǎn)生。 原理 二、 PL系統(tǒng) Source Shutter NDF Top Mirror Beam Splitter Objective Lens Sample Grating Filter Detector 1 Source: For 藍(lán)光－ UV266nm 2 Source: 白光 Slit X射線分析（ XRay） X射線衍射（ XRD）基本原理 ?當(dāng)一束 X射線照射到晶體上時(shí)，被電子散射。 原理 ? 當(dāng)激發(fā)光源照射在待測樣品上，利用入射光子能量大于半導(dǎo)體材料 的 能隙， 將 電子由 價(jià)帶 (valence band)激發(fā)到 導(dǎo) 帶 (conductionband)。當(dāng)然，也有 可能是以熱能或其他能量的方式放出。經(jīng)由能量高于樣品能隙的 外來光源激發(fā)，使得原本在價(jià)帶的電子，有機(jī)會躍遷 到更高能階；因此，在原本的價(jià)帶便留下一個(gè)電洞， 而形成 電子 電洞對 。 bis (cyclopentadienyl) magnesium (Cp2Mg)： Mg(C5H5)2 載氣（ H2） MOCVD法生長 GaN的主要技術(shù)要求 ? MOCVD技術(shù)最初是為制備 GaAs和 InP等化合物半導(dǎo)體材料而開發(fā)的，用于 GaN基材料外延生長時(shí)，采用的是 NH3氣源，危險(xiǎn)性降低，但對設(shè)備的要求不僅沒有降低，反而提出了更為特殊的要求： 生長溫度高，接近 1200度的高溫表面對氣體產(chǎn)生熱浮力，氣體難以到達(dá)襯底表面； NH3具有強(qiáng)腐蝕性，反應(yīng)器材料要能適應(yīng)； TMGa/TMIn/TMAl等對氧氣和水份特別敏感，要求氣體純度高，且與大氣隔離； 形成摻 Mg的 P型層后，要經(jīng)熱處理激活； TMGa和 NH3即使在低溫下也會預(yù)反應(yīng)形成新產(chǎn)物； 形成多層膜時(shí)，氣體成份要快速切換，以形成陡峭界面； 既要求膜厚均勻，又要求組分均勻。 ⒋降溫 爐溫降至 150℃ ，時(shí)間 30min。 ⒉長接觸層 爐溫降至 800℃ ,長GaN的同時(shí)摻 Mg(濃度1020/cm3),長 15nm厚 ,時(shí)間 2min。 藍(lán)寶石襯底 (430μm) GaN單晶 GaN外延生長流程 ㈤ 長 N型 GaN
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