設(shè)備工藝-真空及薄膜基礎(chǔ)(參考版)
2025-02-20 02:22本頁面
【正文】 ? CH4 做窗口層，提高帶隙，減少入射光在 p層的吸收，提高短路電流? H2 稀釋反應(yīng)氣體，載氣，填補懸鍵、減少缺陷? SH4 沉積非晶硅膜層? TMB P層摻雜? PH5 N層摻雜THE ENDTHANKS!演講完畢，謝謝觀看！。? 氣體的種類和混合比薄膜沉積用到特氣及作用? Ar 檢驗 RF電極是否接觸良好，觀測輝光放電是否正常穩(wěn)定，利用產(chǎn)生的等離子體實現(xiàn)對 TCO膜層的清洗。入氣口的分布，氣體的流速和流量、平板電極之間的間距、電場的分布等參數(shù)，對所制備薄膜的各項性能如：平面的均勻性、厚度的均勻性等有很大的影響。? 稀釋氣體：在薄膜制備中，常常會通入 H惰性氣體等稀釋氣體，稀釋氣體一方面起到保護工藝環(huán)境的目的，另一方面少量的稀釋氣體摻雜到所制備的薄膜當中，提高薄膜品質(zhì)。? 氣壓：反應(yīng)室內(nèi)工藝過程中的氣體壓力的大小，會直接影響到輝光放電的效果，同事對反應(yīng)速度也有一定的影響，反應(yīng)室內(nèi)的氣體壓力也要適中。? 襯底溫度：襯底溫度對制備的薄膜性質(zhì)的影響很大，一般而言襯底溫度越高，各種反應(yīng)粒子能夠在襯底表面進行充分反映，得到品質(zhì)優(yōu)異的薄膜，但是太高的溫度會造成單位玻璃能耗太高，電費還是很貴的 ~ 造成產(chǎn)品生產(chǎn)成本過高，所以合適的襯底溫度很重要。PECVD主要工藝參數(shù)? 生長速率：沉積太快會導致反應(yīng)物沒有充分反映即沉積在襯底上，會造成制備的薄膜膜質(zhì)疏松，各種性能品質(zhì)下降。3） 到達生長表面的各種初級及次級反應(yīng)的產(chǎn)物被表面吸附并發(fā)生反應(yīng)，生成薄膜。? Pecvd成膜一般包括三個基本過程：1） 電子獲得能量撞擊反應(yīng)氣體，使其分解電離生成含有離子和活性基團的混合物。Pecvd設(shè)備? 等離子體增強化學氣相沉積（ PECVD）技術(shù) 是基于通過輝光放電方式得到的低溫等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種薄膜制備技術(shù)。 除此之外，等離子體的存在還有其特征的空間和時間限度 。只要絕對溫度不為零，任何氣體中總存在有少量的分子和原子電離。而電子在損失掉能量以后又會被電場加速，他們不斷地反復著被加速 與分子原子碰撞的過程，于是氣體便很快地電離而成為等離子體發(fā)生放電現(xiàn)象。這些高速電子與中性的原子、分子碰撞后，便會失去部分能量，如果所發(fā)生的是彈性碰撞，就會增加中性原子，分子的動能，于是氣體的溫度便會相應(yīng)地升高，如果發(fā)生的是非彈性碰撞，那么就會發(fā)生離解、離化、激發(fā)等現(xiàn)象，因而產(chǎn)生出大量的各種離子，游離基。? 常用方式：氣體放電，即在平板電容結(jié)構(gòu)的兩個平板電極上施加射頻或直流脈沖電壓，使處于真空環(huán)境下的氣體產(chǎn)生輝光放電，形成等離子體。? 物質(zhì)隨著能量的增加，通過熔化，蒸發(fā)，離子化的方式可實現(xiàn)固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、等離子體四種狀態(tài)的變化，宇宙中約 99%的物質(zhì)都處于等離子體狀態(tài)。 檢測部位? 腔門密封圈? 法蘭，拆卸過的重點檢測? 氣動閥門，拆卸過的重點檢測? 焊縫? 接口? 注： 每次檢漏都是有針對性的進行，各拆卸過的部件，密封圈及閥門是重點。? 關(guān)閉檢漏儀真空閥門，關(guān)機。? 打開檢漏儀上的閥門，使管路與檢漏儀聯(lián)通。? 按預抽閥預抽檢漏儀內(nèi)部真空。氦質(zhì)譜檢漏儀的工作原理燈絲發(fā)射出的電子在電離室來回震蕩，與電離室內(nèi)氣體和經(jīng)被檢件漏孔進入電離室的氦氣相互碰撞使其電離成正離子，這些離子在加速電場作用下經(jīng)縫隙進入磁場，由于洛倫茲力作用產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，形成圓弧形軌道，軌道半徑與粒子的荷質(zhì)比有關(guān)，調(diào)節(jié)電壓使氦離子正好通過縫隙被收集形成離子流經(jīng)放大器放大，通過輸出表及音響顯示出來。5 由于具有對人體無害性和不可燃爆性，因此使用安全方便；6 對分析管的分辨率要求并不高，容易實現(xiàn)高靈敏度；7 不存在環(huán)境污染問題。 3 氦質(zhì)譜檢漏儀是根據(jù)質(zhì)譜學原理，利用氦氣作為示蹤氣體，來對各種容器的泄漏、微漏和滲漏 (包括材料本身的 )進行檢測的儀器。氦質(zhì)譜檢漏儀 1 我們需要檢漏的主要地方：各鍍膜設(shè)備的真空系統(tǒng)，特氣管路等 2 檢漏方式很多，但工業(yè)普遍采用氦質(zhì)譜檢漏儀，其具有檢漏范圍廣 （103～ 108 Pa? 熱陰極需要加熱燈絲來釋放電子，冷陰極利用的是低壓空間殘留帶電粒子。熱陰極電離真空計原理圖 皮拉尼電阻? 冷陰極電離真空計是利用的潘寧放電原理。? 皮拉尼真空計： 利用電阻絲隨溫度的變化而電阻隨之變化的原理來測量，而電阻絲溫度的變化又與其周圍氣體的熱導率有關(guān)（用平衡電橋的方式來測出待測電阻）。真空計? 真空計（規(guī)）就是對真空狀態(tài)計真空度進行測量的器件，常用的是熱偶真空計、皮拉尼真空計潘寧冷陰極真空計和熱陰極真空計四種。在抽取含粉塵比較多的氣體或危險特氣的時候可以逐級往泵腔通 N2來防止粉塵的沉積，及稀釋特氣至安全氛圍以下。為獲得低壓大抽速，通常羅茨級設(shè)計的要比爪式大 50%以上，防止級間過壓，羅茨與中間爪式之間有較大的氣體傳輸空間來緩沖壓力，為了抽出蒸汽，在出氣級設(shè)置氣鎮(zhèn)。d轉(zhuǎn)子進行到下一次吸氣的位置，排氣孔還沒有打開，氣體仍被壓縮。 爪式泵排氣步驟從這個圖我們可以看出爪式泵集中了旋片泵與羅茨泵的優(yōu)點，但是壓縮比要比羅茨泵高很多，極限真空等各方面也優(yōu)于羅茨泵。螺桿的各級間可形成壓力梯度，以分散壓差和提高壓縮比。 螺桿結(jié)構(gòu)根據(jù)螺桿壓縮機原理制成，空壓機中的螺桿在一圈以內(nèi)，而干泵的螺桿在兩圈以上，這樣的設(shè)計可以減小返流量，提高壓縮比，但是圈數(shù)太多，會使得氣體路徑變長，影響抽速，所以萊寶有一種中間進氣，兩邊出氣的設(shè)計，加上氣鎮(zhèn)可以減少氣體粉塵的沉積。多級羅茨結(jié)構(gòu)各轉(zhuǎn)子有中間壁來隔離構(gòu)成各級的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)子直徑和形狀相同，有時寬度不同，向高壓側(cè)方向變窄。擴散泵常見故障? 極限真空變低 :
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