cmos工藝(參考版)
2025-02-12 21:28本頁面
【正文】 2023/1/31 18:27:3918:27:3931 January 2023v 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 31 一月 20236:27:39 下午 18:27:39一月 21v 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。勝人者有力，自勝者強。 一月 2118:27:3918:27Jan2131Jan21v 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023v 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023/1/31 18:27:3918:27:3931 January 2023v 1空山新雨后，天氣晚來秋。 。 一月 21一月 2118:27:3918:27:39January 31, 2023v 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 一月 2118:27:3918:27Jan2131Jan21v 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023v 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 2023/1/31 18:27:3918:27:3931 January 2023v 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 。 一月 21一月 2118:27:3918:27:39January 31, 2023v 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 一月 2118:27:3918:27Jan2131Jan21v 1故人江海別，幾度隔山川。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023v 雨中黃葉樹，燈下白頭人。他們回對高頻信號產(chǎn)生顯著的影響。v 電感存在于集成電路的任何地方，每根導(dǎo)線都存在電感。 N阱電阻圖 電容（ a）多晶硅 —— 擴散層（ b）多晶硅 —— 多晶硅（ c）金屬 —— 多晶硅電容互連線的平板電容和邊緣電容 復(fù)雜的互連結(jié)構(gòu)的電容 電感v 無論何時，只要有電流流過導(dǎo)線，在導(dǎo)線的周圍就會產(chǎn)生磁場，如果在導(dǎo)線的附近存在磁場，就會在導(dǎo)線內(nèi)感應(yīng)出電流。 電阻v N阱、 P+與 N+有源區(qū)、多晶硅和金屬層都可以作為電阻，且它們的薄層電阻值也按這個順序減小。m的幾何圖形 ,其電阻 R=10X(20/2)=100Ω 。例如，若薄層電阻為 10Ω ，則對于 W=2181。常用的電阻材料是多晶硅。首先在硅片上熱生長一層氧化硅，并用 CVD淀積一層氮化硅，通過光刻定義出隔離槽的位置，然后用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)刻蝕出比較深的隔離槽，并在隔離槽壁上熱生長一層氧化硅，用 CVD氧化硅或多晶硅回填隔離槽。 工藝改進v 輕摻雜漏區(qū) MOS管通過提供輕摻雜的漏區(qū)源區(qū)結(jié)構(gòu)來降低溝道區(qū)的電場強度，以抑制短溝道器件的熱電子效應(yīng)，從而提高管子的可靠性。v 鋁是最常用的金屬互連引線材料，因為鋁具有電阻率較低，有很好的粘附特性并且很容易做成圖案形狀。這時，金屬可能會吃掉和透過摻雜區(qū)，最終穿過 PN結(jié)到達襯底將二極管短路。出于可靠性的考慮，每個接觸孔或通孔的尺寸都是固定的，由設(shè)計規(guī)則決定，版圖設(shè)計人員不能增加或減小其尺寸。 v 通孔（ via） ：金屬層之間的接觸窗口。最后，用鈍化掩模版進行光刻工序后，僅在壓焊點上方的鈍化層刻出窗口，用于芯片與外部環(huán)境的連接 。 在所有的金屬層形成之后，整個芯片表面被覆蓋一層鈍化介質(zhì)層，以避免在后續(xù)的機械加工和切片時損傷表面。 用同樣的方式加入更多的金屬層。 在多晶硅和有源區(qū)上做接觸窗口 接觸孔和金屬制造用 CVD方法在硅表面上先覆蓋一層相對比較厚的氧化層，然后用接觸掩模版進行光刻，用等離子體刻蝕來形成接觸孔。 制備金屬硅化物 （ a） 氧化物側(cè)墻 ；（ b）硅化物在多晶硅上覆蓋一層難熔金屬薄膜，實際工藝中，為了降低源 /漏區(qū)的薄層電阻，在 S/D區(qū)、襯底接觸孔以及 N阱接觸孔也覆蓋一薄層難熔金屬薄膜。雙阱 CMOS工藝v使用雙阱工藝不但可以 提高器件密度 ，還可以有效的控制寄生晶體管的影響，抑制閂鎖現(xiàn)象。N阱 CMOS芯片剖面示意圖N阱 CMOS芯片剖面示意圖雙阱 CMOS工藝v 隨著工藝的不斷進步，集成電路的線條尺寸 不斷縮小，傳統(tǒng)的單阱工藝有時已不滿足要求，雙阱工藝應(yīng)運而生。N阱 CMOS工藝 早期的 CMOS工藝的 N阱工藝和 P阱工藝兩者并存發(fā)展。因為 N溝道器件是在 P型襯底上制成的。P阱 CMOS工藝 P阱 CMOS芯片剖面示意圖 電連接時， P阱接最負(fù)電位， N襯底接最正電位，通過反向偏置的 PN結(jié)實現(xiàn)
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