開關(guān)電源設(shè)計全過程(參考版)
2024-10-06 19:17本頁面
【正文】 后者(范圍由30M 300MHz,則因廠內(nèi)無設(shè)備必須到實驗室驗証,Conduction,Radiation測試資料請參考附件) . 機構(gòu)尺寸: 設(shè)計階段即應(yīng)對機構(gòu)尺寸驗証,驗証的項目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….,若設(shè)計階段無法驗証,則必須在樣品階段驗証. 樣品驗証: 樣品製作完成后,除溫昇記錄、EMI測試外(是否需重新驗証,視情況而定),每一臺樣品都應(yīng)經(jīng)過驗証(包括電氣及機構(gòu)尺寸),此階段的電氣驗証可以以ATE(Chroma)測試來完成,ATE測試必須與電氣規(guī)格相符. QE驗証: QE針對工程部所提供的樣品做驗証,工程部應(yīng)提供以下交件及樣品供QE驗証.。 Radiation(幅射干擾)216。 輸入為2 Pin(無FG者),HIPOT test為3000Vac/1216。電容放小會使增益變快,電阻的特性則剛好與電容相反,電阻放大增益變快。若使用電容值較大者,也許會有輕載不開機及短路Pin過大的問題. R9(Q1 Gate電阻 ): R9電阻的大小,會影響到EMI及溫昇特性,一般而言阻值大,Q1 turn on / turn off的速度較慢,EMI特性較好,但Q1的溫昇較高、效率較低(主要是因為turn off速度較慢)。 決定Ip值:l l 決定輔助電源的圈數(shù): 假設(shè)輔助電源=12V NA1= 可繞圈數(shù)= 若NA1=6Tx2P,則輔助電源= 決定MOSFET及二次側(cè)二極體的Stress(應(yīng)力):l MOSFET(Q1) =最高輸入電壓(380V)+ = = Diode(D5)=輸出電壓(Vo)+ x最高輸入電壓(380V) = = Diode(D4)= = = 其它:l ,若再加上photo ,將使得輸出電壓無法推動Photo coupler及TL431,所以必須另外增加一組線圈提供迴授路徑所需的電壓. 假設(shè)NA2 = ,則 可繞圈數(shù)= ,所以可將NA2定為4Tx2P l 變壓器的接線圖:l 零件選用: 零件位置(標(biāo)注)請參考線路圖: (DA14B33 Schematic) FS1: 由變壓器計算得到Iin值,以此Iin值()可知使用公司共用料2A/250V,設(shè)計時亦須考慮Pin(max)時的Iin是否會超過保險絲的額定值. TR1(熱敏電阻): 電源啟動的瞬間,由于C1(一次側(cè)濾波電容)短路,導(dǎo)致Iin電流很大,雖然時間很短暫,但亦可能對Power產(chǎn)生傷害,所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻,以限制開機瞬間Iin在Spec之內(nèi)(115V/30A,230V/60A),但因熱敏電阻亦會消耗功率,所以不可放太大的阻值(否則會影響效率),一般使用SCK053(3A/5Ω),若C1電容使用較大的值,則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在大瓦數(shù)的Power上). VDR1(突波吸收器): 當(dāng)雷極發(fā)生時,可能會損壞零件,進而影響Power的正常動作,所以必須在靠AC輸入端 (Fuse之后),加上突波吸收器來保護Power(一般常用07D471K),但若有價格上的考量,可先忽略不裝. CY1,CY2(YCap): YCap一般可分為Y1及Y2電容,若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2 Cap , AC Input若為2Pin(只有L,N)一般使用Y1Cap,Y1與Y2的差異,除了價格外(Y1較昂貴),絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為雙重絕緣,絕緣耐壓約為Y2的兩倍,且在電容的本體上會有“回”符號或注明Y1),此電路因為有FG所以使用Y2Cap,YCap會影響EMI特性,一般而言越大越好,但須考慮漏電及價格問題,漏電(Leakage Current )必須符合安規(guī)須求(3Pin公司標(biāo)準(zhǔn)為750uA max). CX1(XCap)、RX1: XCap為防制EMI零件,EMI可分為Conduction及Radiation兩部分,Conduction規(guī)范一般可分為: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 兩種 ,
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