1章-半導體(參考版)
2025-08-07 09:14本頁面
【正文】 （ 3）動態(tài)電阻 ZZVZ Ir???若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會因功耗過大而損壞，因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！ 發(fā)光二極管 有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。 （ 4） 穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流Izmax、 Izmin。 + VZ 動態(tài)電阻： ZZVZ Ir???rz越小，穩(wěn)壓性能越好。 ui=0時直流電源作用 小信號作用 靜態(tài)電流 RL vi vo vi vo t t 二極管的應(yīng)用舉例： 二極管半波整流： 例 如圖所示電路中 ， 當開關(guān) S閉合后 ，H H2兩個指示燈 ， 哪一個可能發(fā)光 ？ 解 由電路圖可知，開關(guān) S閉合后，只有二極管 V1正極電位高于負極電位，即處于正向?qū)顟B(tài)，所以 H1指示燈發(fā)光。 四、二極管的等效電路 實際二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V，正向壓降 ?(硅二極管 ) 死區(qū)電壓 =0 .1V，正向壓降 ?(鍺二極管 ) 理想模型： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 恒壓降模型： 外加正向電壓時， 硅二極管正向壓降 保持為 ，鍺二極管正向壓降 保持為 微變等效電路 DTDDd IUiur ????根據(jù)電流方程， Q越高， rd越小。 溫度對二極管伏安特性的影響： 溫度升高，正向特性曲線 左移 ，反向特性曲線 下移 。顯然， rd與工作電流的大小有關(guān)，即 rd =?UF /?IF i D / mA1 . 00. 5– 0. 5– 1 . 0 0. 50 1 . 0 ? D /VPN結(jié)的伏安特性 i D = – I S––半導體二極管的溫度特性 溫度對二極管的性能有較大的影響，溫度升高時， 反向電流 將呈指數(shù)規(guī)律 增加 。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約 ～ ；鍺二極管約 ～ 。 IR越小，單向?qū)щ娦栽胶谩? (3) 反向電流 IR 在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下，一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。 + i D v D R (2) 反向擊穿電壓 UBR和最大反向工作電壓 UR i O U BR U UR = 為了保證二極管安全工作： 二極管反向電流 急劇增加時對應(yīng)的反向 電壓值稱為反向擊穿 電壓 UBR。 三、 二極管的參數(shù) 半導體二極管的參數(shù)包括最大整流電流 IF、 反向擊穿電壓UBR、 最大反向工作電壓 UR、 反向電流 IR、 最高工作頻率 fM和結(jié)電容 Cj等 。 從擊穿的機理上看， 硅二極管若 |UBR|≥7V時 ,主要是雪崩擊穿； 若 |UBR|≤4V 時 , 則主要是齊納擊穿。 在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。 反向區(qū)也分兩個區(qū)域： 當 UBR＜ V＜ 0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱 反向飽和電流 IS 。 正向區(qū)又分為兩段： 當 V＞ Uon時，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。與 導通電壓 區(qū)別。 耗盡層電勢不同引起。 具有單向?qū)щ娦浴? (b)面接觸型 (c)平面型 陰極引線陽極引線PNP 型支持襯底(4) 二極管的代表符號 ( d ) 代表符號k 陰極陽極 a 二、 二極管的伏安特性 二極管的伏安特性曲線可用 PN結(jié)電流方程表示 0 ?D/ V0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8? 10? 20? 3 0? 4 05101 520? 10? 20? 3 0? 40iD/? AiD/ mA死區(qū)VthVBR硅二極管 2CP10的 VI 特性 0?D/ V0 .2 0 . 4 0 . 6? 2 0? 4 0? 605101 520? 10? 20? 3 0? 40iD/? AiD/ mA②①
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