emi濾波器設(shè)計原理(參考版)
2025-07-31 08:42本頁面
【正文】 (2)用“玻璃珠”(Glass beads)膠合劑粘結(jié)磁心,效果更好。 (3)有屏蔽體時,考慮屏蔽體的縫隙和孔洞,按照泄漏場的數(shù)學(xué)模型進行分析處理. 在開關(guān)電源中,電壓和電流的突變,即高dv/dt和di/dt,: (1)盡量減小電源本身所產(chǎn)生的干擾源,利用抑制干擾的方法或產(chǎn)生干擾較小的元器件和電路,并進行合理布局。二極管、電容、功率開關(guān)管可以假設(shè)為電偶極子,電感線圈可以假設(shè)為磁偶極子。開關(guān)電源EMI設(shè)計小結(jié) 開關(guān)電源的EMI干擾源集中體現(xiàn)在功率開關(guān)管、整流二極管、高頻變壓器等,外部環(huán)境對開關(guān)電源的干擾主要來自電網(wǎng)的抖動、雷擊、外界輻射等.(1)功率開關(guān)管 功率開關(guān)管工作在OnOff快速循環(huán)轉(zhuǎn)換的狀態(tài),dv/dt和di/dt都在急劇變換,因此,功率開關(guān)管既是電場耦合的主要干擾源,也是磁場耦合的主要干擾源. (2)高頻變壓器 高頻變壓器的EMI來源集中體現(xiàn)在漏感對應(yīng)的di/dt快速循環(huán)變換,因此高頻變壓器是磁場耦合的重要干擾源. (3)整流二極管 整流二極管的EMI來源集中體現(xiàn)在反向恢復(fù)特性上,反向恢復(fù)電流的斷續(xù)點會在電感(引線電感、雜散電感等)產(chǎn)生高dv/dt,從而導(dǎo)致強電磁干擾. (4)PCB 準(zhǔn)確的說,PCB是上述干擾源的耦合通道,PCB的優(yōu)劣,直接對應(yīng)著對上述EMI源抑制的好壞.Lg可實測獲得。 由圖2可知，共模電感Lc的漏感Lg也可抑制差模噪聲，有時為了簡化濾波器，也可以省去LD。將Cy代入步驟（2）中求得fR,CM值，再將fR,CM代入式（6）中可得 Lc= 在本例中，Vc是電容Cy上的壓降，f=50Hz，C=2Cy，Vc=220/2=110V，則 Cy= （a）實線為共模目標(biāo)衰減；虛線為斜率為40dB/dec切線 （b）實線為差模目標(biāo)衰減；虛線為斜率為60dB/dec切線 圖6 fR,DM與fR,CM的確定 （3）濾波器元件參數(shù)設(shè)計 ——共模參數(shù)的選取 Cy接在相線和大地之間，該電容器容量過大將會造成漏電流過大，安全性降低。 (Vreq,CM)dB=(Vmeasure,CM)－(Vstandard,CM)＋3dB (Vreq,DM)dB=(Vmeasure,DM)－(Vstandard,DM)＋3dB（9） （2）由圖3可知，斜率分別為40dB/dec和60dB/dec的兩條斜線與頻率軸的交點即為fR,CM和fR，DM。 （1）依照式（9）計算濾波器所需要的共模、差模衰減，并做出曲線Vmeasure，CM－f和Vmeasure，DM－f，其中Vmeasure，CM和Vmeasure，DM已經(jīng)
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