開(kāi)關(guān)電源emi濾波器原理與設(shè)計(jì)研究(參考版)
2025-07-01 18:45本頁(yè)面
【正文】 。 作者簡(jiǎn)介 本文的論述是基于低通濾波器的低頻模型分析。 3Lg可實(shí)測(cè)獲得。 由圖2可知，共模電感Lc的漏感Lg也可抑制差模噪聲，有時(shí)為了簡(jiǎn)化濾波器，也可以省去LD。 由式（8）可知，Cx1，Cx2，以及LD的選取沒(méi)有唯一解，允許設(shè)計(jì)者有一定的自由度。 Lc=（12） Cy=（11） ，可求得Cy≈2200pF。 EMI對(duì)地漏電流Iy計(jì)算公式為 對(duì)漏電流要求越小越好，安全標(biāo)準(zhǔn)通常為幾百μA到幾mA。 ——共模參數(shù)的選取 fR,DM與fR,CM的確定 作Vmeasure，CM－f和Vmeasure，DM－f的切線，切線斜率分別為40dB/dec和60dB/dec，比較可知，只要測(cè)量他們與頻率軸的交點(diǎn)，即可得出fR,CM和fR，DM，圖6所示為其示意圖。 (Vreq,DM)dB=(Vmeasure,DM)－(Vstandard,DM)＋3dB（9） （1）依照式（9）計(jì)算濾波器所需要的共模、差模衰減，并做出曲線Vmeasure，CM－f和Vmeasure，DM－f，其中Vmeasure，CM和Vmeasure，DM已經(jīng)測(cè)得，Vstandard，CM和Vstandard，DM可參照傳導(dǎo)EMI干擾國(guó)標(biāo)設(shè)定。 接著就可以進(jìn)行實(shí)際的設(shè)計(jì)了，仍以本文中提出的濾波器模型為例，步驟如下。 2）測(cè)量出未加濾波器前的干擾噪聲頻譜，并利用噪聲分離器將共模噪聲VMEASUREE,CM和差模噪聲Vmeasure,CM分離，做出相應(yīng)的干擾頻譜。實(shí)際過(guò)程中往往是依靠理論和經(jīng)驗(yàn)的指導(dǎo)，先作出電源的PCB板，這是因?yàn)楣材?、差模的噪聲源和干擾途徑互不相同，電路板走線的微小差異都可能導(dǎo)致很大EME變化。 EMI濾波器設(shè)計(jì)往往要求在實(shí)現(xiàn)抑制噪聲的同時(shí)，自身體積要盡可能小，成本要盡可能低廉。 這涉及到EMC高頻建模等諸多問(wèn)題，模型的參數(shù)往往較難確定，所以，本文僅考慮EMI濾波器的低頻抑制特性，而高頻建模可參看文獻(xiàn)[8]等。 在前述設(shè)計(jì)過(guò)程中，EMI濾波器元件（電感、電容）均被看作是理想的。 典型反激式開(kāi)關(guān)電源及其噪聲源等效電路 圖5因而噪聲源差模等效阻抗Zsource以2倍工頻頻率在上述兩種狀態(tài)切換[2]。 以典型的反激式開(kāi)關(guān)電源為例，如圖4（a）所示，其全橋整流電路電流為斷續(xù)狀態(tài)，電流電壓波形如圖5所示
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