如何看懂mosfet規(guī)格書(shū)(參考版)
2024-08-04 05:28本頁(yè)面
【正文】 選擇這類MOS時(shí)，我們應(yīng)該主要考慮Rds(on)，而不去關(guān)心其他參數(shù)。因此在這一類拓?fù)渲校覀冃枰x擇trr，Qrr小，也就是選擇帶有快恢復(fù)特性的體二極管的MOSFET。而Qg的大小直接影響到MOSFET的開(kāi)關(guān)速度，選擇較小Qg的MOSFET有利于減小硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞拈_(kāi)關(guān)損耗3). LLC諧振、移相全橋等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌篖LC、移相全橋等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞能涢_(kāi)關(guān)是通過(guò)諧振，在MOSFET開(kāi)通前讓MOSFET的體二極管提前開(kāi)通實(shí)現(xiàn)的。2). PFC、雙管正激等硬開(kāi)關(guān)：a) 對(duì)于PFC、雙管正激等常見(jiàn)硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?，MOSFET沒(méi)有像反激那么高的VDS尖峰，通常MOSFET耐壓可以選500V, 600V。通常對(duì)于全電壓的輸入，MOSFET耐壓(BVDSS)得選600V以上，一般會(huì)選擇650V。雪崩發(fā)生時(shí)，如果流過(guò)RB的雪崩電流達(dá)到一定的大小，VBE大于三極管VBE的開(kāi)啟電壓，寄生三極管開(kāi)通，這樣將會(huì)引起MOSFET無(wú)法正常關(guān)斷，從而損壞MOSFET。在MOSFET的設(shè)計(jì)中也會(huì)采取各種措施去讓寄生三極管不起作用，如減小P+Body中的橫向電阻RB。MOSFET要工作在SOA，即要讓MOSFET的結(jié)溫不超過(guò)Tj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC為瞬態(tài)熱阻.SOA圖中，D=0，即為single pulse，紅線附近的那條線上時(shí)間是10us即10^5s，從瞬態(tài)熱阻曲線上可以得到ZthJC=*10^2從以上得到的參數(shù)可以計(jì)算出：1處的Tj約為：25+88*59**10^2=℃2處的Tj約為：25+600***10^2=℃MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃時(shí)的SOA，但實(shí)際應(yīng)用中不會(huì)剛好就是在Tc=25或者80℃，這時(shí)候就得想辦法把25℃或者80℃時(shí)的SOA轉(zhuǎn)換成實(shí)際Tc時(shí)的曲線。怎樣轉(zhuǎn)換呢？有興趣的可以發(fā)表一下意見(jiàn)......2).最大脈沖電流限制，如下圖紅色線附近部分此部分為MOSFET的最大脈沖電流限制，). VBR(DSS)擊穿電壓限制，如下圖紅色線附近部分此部分為MOSFET VBR(DSS)的限制，最大電壓不能超過(guò)VBR(DSS) ==所以在雪崩時(shí)，SOA圖是沒(méi)有參考意義的4). 器件所能夠承受的最大的損耗限制，如下圖紅色線附近部分上述曲線是怎么來(lái)的？這里以圖中紅線附近的那條線（10us）來(lái)分析。因此選擇在 VDS 在低壓時(shí) Coss 較小的 MOSFET 可以讓 LLC 更加容易實(shí)現(xiàn) ZVS，死區(qū)時(shí)間也可以適當(dāng)減小，從而提升效率。但對(duì)于低壓
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