正弦波發(fā)生電路(參考版)
2025-07-22 20:48本頁面
【正文】 。 圖 15為在電容三點(diǎn)式電路中加入了由Re與石英晶體組成的正反饋支路，使原來由 C1 和 C2比值決定的起振幅值條件中又加入了 Re與 Z(jω)的分壓比 : 圖 15 ? ? ????????? ?jZRRee并設(shè)計(jì) Re的大小，使只有 ω=ωs時(shí)，該分壓比近似為 1，使之滿足起振幅度條件，而在 ω≠ωs時(shí)，則不滿足。 圖 14（ a） 圖 14（ b） ② 利用 Z(jω)=0的阻抗特性，使石英晶體成為選頻反饋網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)反饋元件，用以控制反饋量 |Vf|的大小，使 ω=ωs時(shí)才滿足振蕩要求的幅度條件，形成正弦振蕩。 石英晶體振蕩器 ① 利用 Z(jω)呈高 Q值電感特性，替代 LC三點(diǎn)式振蕩器中的電感，組成振蕩頻率為石英晶體并聯(lián)諧振頻率 ωp的正弦振蕩器。 ? ??jX?s?p?o② 當(dāng) ωsωωp時(shí)，石英晶體相當(dāng)于一個(gè)高 Q值電感。 從圖 12（ b）可求出石英晶體的端口等效阻抗： ? ? ? ?10 111CjLjCjjZjY?????????1201120 11LCCCLCCj???????? ?0112120 111CCLCLCCjjZ????????即 : 通常定義兩種諧振頻率： ① 串聯(lián)諧振頻率 11LCs ??② 并聯(lián)諧振頻率 10101CCCCLp???由于 C0C1,可以有 : 0101010101 1CCCCCCCCCLLCsp ????????即 ωp略大于 ωs，但兩者十分接近。 ?bbr采用圖 11(b)進(jìn)行分析的時(shí)，若能忽略hie的分流作用，即 3Xhie ??則圖 11（ b）電路分析與圖 8電路完全相同，其結(jié)論完全適用圖 11。 圖 10 振蕩頻率 ??????????21011LLC?由式（ 9）得電路的起振條件 2139。2139。 電容三點(diǎn)式振蕩器 X1和 X3取電容， X2取電容，如圖 9所示。例如X X3為電感時(shí) X2必須為電容。即 X1和 X3必須是同類電抗。XXRgDm ?（ 9） 從（ 8）式和（ 9）式可得到三點(diǎn)式 LC振蕩器形成及產(chǎn)生振蕩的一些重要必備條件： 039。 323???DmRXXXg33239。13231111XXjRjXgVXXXVVVVVTDmoogsfdf111 39。13239。 X X X3表示電感或電容元件，其電抗為 jX,若 X0 為
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