【正文】 利用上述的兩個(gè)特性，可以組成兩類石英晶體正弦振蕩器。 ?DR① 由于場(chǎng)效應(yīng)管的 gm0，以及電阻 因此式（ 9）中須有 。 FA1?③ B點(diǎn)以上的部分，有 ，即 |AF|1，這時(shí)信號(hào)會(huì)經(jīng)閉合循環(huán) FA1?變得越來(lái)越小，直至平衡點(diǎn) B。 1?AF由于 A,F為復(fù)數(shù)形式，故自激振蕩條件又可以表示為： 1?AF?nAF 2??及 n=0,1,2… Z為整數(shù) 上式中第一項(xiàng)為自激振蕩的幅度條件，第二項(xiàng)為自激振蕩的相位條件。選頻特性的 Q值越高，則電路產(chǎn)生的正弦波越純、越好。但 A比 3大得多了會(huì)導(dǎo)致輸出正弦波形變差。 電容三點(diǎn)式振蕩器 X1和 X3取電容， X2取電容，如圖 9所示。 圖 15為在電容三點(diǎn)式電路中加入了由Re與石英晶體組成的正反饋支路，使原來(lái)由 C1 和 C2比值決定的起振幅值條件中又加入了 Re與 Z(jω)的分壓比 : 圖 15 ? ? ????????? ?jZRRee并設(shè)計(jì) Re的大小，使只有 ω=ωs時(shí)，該分壓比近似為 1，使之滿足起振幅度條件，而在 ω≠ωs時(shí)，則不滿足。 ?bbr采用圖 11(b)進(jìn)行分析的時(shí)，若能忽略hie的分流作用，即 3Xhie ??則圖 11（ b）電路分析與圖 8電路完全相同，其結(jié)論完全適用圖 11。13231111XXjRjXgVXXXVVVVVTDmoogsfdf111 39。 oXdXOA fXoXFO圖 3(a) 圖 3(b) 由于自激振蕩器是閉合環(huán)路， F網(wǎng)絡(luò)的輸入 Xo就是 A放大器的輸出，F(xiàn)網(wǎng)絡(luò)的輸出 Xd就是 A的輸入，因此，可以將圖 3(a)和 (b)合并畫在同一個(gè)圖上，如圖（ 4），這樣便于分析閉合環(huán)路中放大、反饋、放大 …… 的反復(fù)循環(huán)過程。正弦波發(fā)生電路 不需要外加激勵(lì)信號(hào)，電路就能產(chǎn)生輸出信號(hào)的電路稱為信號(hào)發(fā)生電路或波形振蕩器。一般，反饋網(wǎng)絡(luò)的傳輸特性為線形的，如圖 3(b)。11110XXjRjXgVVXXjVVgRVjXVDmogsogsmDoo及 由式（ 5）或式（ 7）的自激振蕩條件： T=AF=1 有 ： ? ? ????????????????3239。LLRgDm ?由雙極型晶體管（ BJT）構(gòu)成的三點(diǎn)式振蕩器分析 圖 11（ a） 圖 11（ a）為交流電路，圖 11（ b）為晶體管用低頻等效電路替代的交流等效電路，其中設(shè) eie rh ??039。 圖 15特性的晶體振蕩中，三點(diǎn)式的三個(gè)電抗器件的設(shè)計(jì)必須按三點(diǎn)