鈑金產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)資料(參考版)
2025-07-02 18:17本頁面
【正文】 ， 以免ESD對內(nèi)部造成輻射干擾.3. 在塑料外殼的縫隙設(shè)計(jì)上， 應(yīng)盡量拉長縫隙長度， 以免ESD放電或造成ESD輻射4.26 / 26。 人體所能感應(yīng)的ESD電壓下限為3~4kV3. 能量W=1/2 *CV2典型的ESD能量約在17 milijoules, 即當(dāng)C=150 pfd, V=15kV時(shí)W=1/2 * 150 *1012 * (15 * 103)2 =17 * 103 joules (焦耳)4. 極性物體所帶的靜電有正負(fù)之分， 當(dāng)某極性促使該組件趨向Reverse Bias時(shí)， 則該組件較易被破壞.5. RISE TIME ( tr )RISE TIMEESD起始脈沖(PULSE)10%到90%ESD電流的尖峰值所須的時(shí)間.Duration ESD起始脈沖50%到落下脈沖50%之間所經(jīng)過的的時(shí)間使用尖銳的工具放電， 產(chǎn)生的ESD Rise time最短， 而電流最大.ESD產(chǎn)生可分為五個(gè)階段進(jìn)行:1. 先期電暈放電（Corona Discharge） , 產(chǎn)生RF輻射波.2. 先期電場放電（Prediscahrge EField）3. 電場放電崩潰（Collapse）4. 磁場放電(Discharge HField)5. 電流釋出， 并產(chǎn)生瞬時(shí)電壓（Transient Voltage）82 電子裝備之ESD問題1. 直接放電到電子組件由電壓導(dǎo)致的破壞(1) 以MOS（Metal Oxide Semiconductar）DEVICE為主(2) 當(dāng)ESD電壓超過氧化層（如SiO2）的Breakdown Voltage時(shí)， 即造成組件破壞.(3) 由電場引起 由電流導(dǎo)致的破壞(1) 以BIPOLAR ( Schottky , TTL) DEVICE 為主(2) 當(dāng)ESD電流達(dá)到2~5A時(shí)， 因焦耳效應(yīng)產(chǎn)生的高熱（I2t）, 將IC JUNCTION燒壞.(3) 由磁場引起2. 直接放電到電子設(shè)備外殼當(dāng)帶靜電的人體接觸電子裝備的金屬外殼時(shí)， 若該裝備有接地， 則ESD電流會直接流至地線， 否則有可能流經(jīng)電子組件再流至GROUND, 造成組件的破壞。 通常女人的電容比男人高， 一般人體的電容介于80pfd~500pfd之間.2. 電壓ESD所釋放的電壓， 時(shí)造成IC組件故障的主要原因之一。非電導(dǎo)體電阻大，電荷不宜中和（Rebination）,故造成電荷累積.兩接觸材料（非導(dǎo)電體）之間的相對電介常數(shù)（Dielectric Constant）越大， 越容易帶靜電。非導(dǎo)電體由于摩擦，加熱或與其它帶靜電體接觸而產(chǎn)生靜電荷， 當(dāng)靜電荷累積到一定的電場梯度時(shí)（Gradient of Field）時(shí)， 便會發(fā)生弧光(Arc), 或產(chǎn)生吸力（Mechanical Attraction）. 此種因非導(dǎo)電體靜電累積而以電弧釋放出能量的現(xiàn)象就稱為ESD。選擇電子組件時(shí)， 要注意選擇具有必要最小限度上升時(shí)間的組件。1） 使得驅(qū)動(dòng)天線的源電壓（通常接地電壓）最小2） 在電纜中串聯(lián)插入共態(tài)方式扼流圈3） 將電流短路到接地(系統(tǒng)接地)上4） 屏蔽電纜抑制共態(tài)方式輻射的第一步時(shí)最大限度地降低驅(qū)動(dòng)天線的共態(tài)方式電壓。削減共態(tài)方式輻射， 和差動(dòng)方式時(shí)相同， 最好是抑制信號的上升時(shí)間和頻率。 在電路圖上將傳輸高頻（500kHz）周期性信號的全部軌跡找出來， 使其路徑盡量短地配置組件， 并在驅(qū)動(dòng)這高速周期性軌跡的組件附近個(gè)別地配置分流電容器.共態(tài)方式輻射是當(dāng)系統(tǒng)的某個(gè)部分的共態(tài)方式電位比真正的地線電位高時(shí)發(fā)生的， 當(dāng)外部電纜與系統(tǒng)連接而被共態(tài)方式所驅(qū)動(dòng)時(shí)， 即形成輻射電場的天線。 該信號電流回路在電路動(dòng)作中是必要的， 但為抑制輻射，必須在設(shè)計(jì)過程中限制其大小。 同一厚度的鐵的吸收損失比銅的吸收損失大.9 如何抑制電磁波干擾 首先要明確了解需要什么規(guī)格， 各個(gè)規(guī)格所限制的頻帶及其級別不同， 其對策也不盡相同. 抑制EMI的發(fā)生，首先必須抑制其發(fā)生源， 然后再極力防止其感應(yīng)到成為其傳播，輻射天線的I/O, 電源電纜上， 并避免信號電纜和數(shù)據(jù)通過框體的縫隙附近， 這樣就可以減少電路的直接輻射和從電纜， 框體縫隙的二次輻射。2. 接縫重疊寬度要比縫大5倍。 Lens的截面應(yīng)比燈的截面小， 并將其表面霧狀處理， 以使燈光線均勻透出. 第七章 防電磁波干擾設(shè)計(jì)1. EMI (Electro Magnetic Interference) 即電磁干擾。 由于是材料最后會合的地方， 故其強(qiáng)度較弱， 應(yīng)避開成品承受負(fù)載的地方.欲加裝LED或其它配合物的孔或開口時(shí)， 開口四周應(yīng)有倒角或圓角以利裝配.若有前后殼或上下蓋配合的地方， 盡量做后殼（下蓋）是嵌入前殼（上蓋）， 以防止使用者可看到間隙.設(shè)計(jì)按鈕時(shí)， 避免直接套在電源開關(guān)上， 應(yīng)采用浮動(dòng)設(shè)計(jì)或間接傳動(dòng)設(shè)計(jì)， 避免因尺寸誤差或開關(guān)的傳動(dòng)桿偏擺造成的卡鍵現(xiàn)象。 為避免根部外觀面
數(shù)學(xué)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1