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集成光電子學(xué)進(jìn)展(參考版)

2025-07-01 00:30本頁面
  

【正文】 1.3.1 微鏡移動(dòng)型 瑞士納沙泰爾大學(xué)開發(fā)了一種22光開關(guān),通過雙面反射鏡移動(dòng)實(shí)現(xiàn)22光交叉連接,反射鏡通過60V電壓形成靜電驅(qū)動(dòng)位移20μm。 這種開關(guān)多采用靜電驅(qū)動(dòng)微平面鏡陣列來改變自由空間傳輸?shù)墓馐较?,以進(jìn)行輸入光與輸出光之間的多路轉(zhuǎn)換.由于目前微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)體系結(jié)構(gòu)的限制,自由空間光開關(guān)只能利用光纖或光波導(dǎo)作為傳光材料。因而其兩種開關(guān)狀態(tài)之間的反射光最大角度差為18176。前兩種結(jié)構(gòu)的光開關(guān)中微鏡的轉(zhuǎn)動(dòng)角度為177。當(dāng)A、B兩個(gè)線圈中的一個(gè)施加電流后,驅(qū)動(dòng)頭由開關(guān)電流驅(qū)動(dòng)而被吸向一邊,實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能。梁主要用來側(cè)向移動(dòng)輸入波導(dǎo),使其與兩個(gè)輸出波導(dǎo)中的一個(gè)對(duì)準(zhǔn)。在穩(wěn)態(tài)Ⅰ,輸入光纖定位于輸出光纖的左側(cè),光纖夾在雙金屬的驅(qū)動(dòng)下張開,此時(shí)處于自由狀態(tài)的光纖在側(cè)向熱驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)下移動(dòng)到另一個(gè)開關(guān)狀態(tài),然后,雙金屬光纖夾閉合,此后處于穩(wěn)態(tài)的光開關(guān)不再需要能量維持開關(guān)狀態(tài).光纖靠與單模光纖直徑125μm大小一致的V型槽精確定位,達(dá)到穩(wěn)態(tài)Ⅱ。0.5dB)、交叉串?dāng)_小于60dB、驅(qū)動(dòng)功率700mW。1.2 光纖移動(dòng)對(duì)接 光纖移動(dòng)對(duì)接是目前研究較多、較為活躍的一種光開關(guān)技術(shù)。魏仁選,男,1965年出生,副研究員,博士,研究方向?yàn)镸EMS、微光開關(guān)等. 圖1 朗訊公司研制的光驅(qū)動(dòng)光開關(guān) 圖2 具有一個(gè)雙金屬光纖夾的12光開關(guān)開關(guān) 過程(只示出下半部) 該開關(guān)是由遠(yuǎn)端的光信號(hào)控制,所以光開關(guān)本身是無源的。如無光信號(hào),光發(fā)電機(jī)無電壓輸出,遮光片下降,光開關(guān)關(guān)閉。材料由金、氮化硅、多晶硅層組成。而國內(nèi)在這方面的研究則與國外存在較大的差距.我國 MEMS光開關(guān)的研究水平處于1214光開關(guān)原理樣機(jī)水平。MEMS光開關(guān)所用材料大致有:?jiǎn)尉Ч?、多晶硅、氧化硅、氮氧化硅和氮化硅等硅基材料;Au、A1等金屬材料;壓電材料及有機(jī)聚合物等其他材料.目前微機(jī)械光開關(guān)中的連接材料主要是光纖或光波導(dǎo)管。1 MEMS光開關(guān)研究現(xiàn)狀。關(guān)鍵詞 微電子機(jī)械系統(tǒng);光開關(guān);光通信 光開關(guān)在系統(tǒng)通信保護(hù)、系統(tǒng)監(jiān)測(cè)及全光交換技術(shù)中具有重要的作用.在光通信網(wǎng)絡(luò)中直接使用光開關(guān)切換光信號(hào)可避免光/電和電/光的轉(zhuǎn)換過程,從而提高光通信容量和開關(guān)速度,并可保持光波長(zhǎng)不變。MEMS本文取自《光通信技術(shù)》2003年 第3期 p49~52.微光開關(guān)研究與發(fā)展現(xiàn)狀魏仁選 姜德生 周祖德(武漢理工大學(xué)光纖傳感技術(shù)國家重點(diǎn)工業(yè)性實(shí)驗(yàn)基地,武漢 430070)摘 要 光開關(guān)是光通信的關(guān)鍵部件,是近年來通信領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。SCM。IM/DD。相位差的改變由外加電場(chǎng)控制。圖 10表示由兩個(gè)Y形波導(dǎo)構(gòu)成的馬赫—曾德爾11光開關(guān),它與圖4的幅度調(diào)制器類似,在理想的情況下,輸入光功率在C點(diǎn)平均分配到兩個(gè)分支傳輸,在輸出端D干涉,其輸出幅度與兩個(gè)分支光通道的相位差有關(guān)。這類器件的插入損耗小于IdB、消光比大于60dB、切換功率為 2mW,其開關(guān)速度約10ms,比波導(dǎo)開關(guān)慢。微反射鏡的旋轉(zhuǎn)由控制電壓完成,通常為100~200V。襯底上有一個(gè)寬約50μm的溝渠,以便讓懸臂上的微反射鏡插入。當(dāng)懸臂升起來時(shí),入射光可以直通過去,開關(guān)處于平行連接狀態(tài),如圖7(a)所示;當(dāng)懸臂放下時(shí),開關(guān)處于交叉連接狀態(tài),如圖7(b)所示。這種器件的特點(diǎn)是體積小、消光比大(60dB左右)、對(duì)偏振不敏感、成本低、開關(guān)速度適中(約5ms)、插人損耗小于1dB。它是一種在半導(dǎo)體襯底材料上,用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝制造出可以前傾后仰、上下移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)的微反射鏡陣列,在驅(qū)動(dòng)力的作用下,對(duì)輸入光信號(hào)可切換到不同輸出光纖的微機(jī)電系統(tǒng)。光開關(guān)有1lN和MN等幾種。圖6(a)表示lxN移動(dòng)光纖式機(jī)械光開關(guān),它用電磁鐵驅(qū)動(dòng)活動(dòng)臂移動(dòng),切換到不同的固定臂光纖。聲光開關(guān)雖然沒有這些缺點(diǎn),但開關(guān)的操作需要較大的驅(qū)動(dòng)電功率。最近出現(xiàn)的微機(jī)械光開關(guān),采用機(jī)械光開關(guān)的原理,但又能象波導(dǎo)開關(guān)那樣,集成在單片硅基底上,所以很有發(fā)展前途。 光開關(guān)可以分為兩大類:一類是利用電磁鐵或步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)光纖或透鏡來實(shí)現(xiàn)光路轉(zhuǎn)換的機(jī)械式光開關(guān)。3 光開關(guān) 光開關(guān)的功能是轉(zhuǎn)換光路,實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的交換。用戶可以按照ITUT關(guān)于DWDM的標(biāo)準(zhǔn)選擇波長(zhǎng)。目前已有將EA調(diào)制器和λ/4相移的 MQW DFB激光器集成在一起的器件,工作波長(zhǎng)為1.5μm、調(diào)制速率為2.5Gb/s,內(nèi)置光隔離器、檢測(cè)光電二極管、熱敏電阻和熱電制冷器。i層對(duì)光的吸收損耗與外加的調(diào)制電壓有關(guān),當(dāng)調(diào)制電壓使pin反向偏置時(shí),入射光完全被i層吸收,換句話說,因勢(shì)壘的存在,入射光不能通過i層,相當(dāng)于輸出“0”碼;反之,當(dāng)偏置電壓為零時(shí),勢(shì)壘消失,入射光不被i層吸收而讓其通過,相當(dāng)于輸出“1”碼,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)入射光的調(diào)制,如圖5所示。LiNbO3調(diào)制器的消光比大于20,調(diào)制帶寬可達(dá) 20GHz。于是Eout(φ)/Eout(0)=cos2φ (2)圖4 馬赫曾德爾幅度調(diào)制器 圖5 電吸收波導(dǎo)調(diào)制器的工作原理 由于外加電場(chǎng)控制著兩個(gè)分支中干涉波的相位差,所以外加電場(chǎng)也控制著輸出光的強(qiáng)度,雖然它們并不成線性關(guān)系。由于加在兩個(gè)分支中的電場(chǎng)方向相反,如圖4(b)表示(a)圖的截面圖所示,所以在兩個(gè)分支中的折射率和相位變化也相反,例如若在A分支中引入π/2的相位變化,那么在B分支則引入π/2相位的變化,因此 A、B分支將引入相位π的變化。在圖4(a)表示的由兩個(gè)Y形波導(dǎo)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)中,在理想的情況下,輸入光功率在C點(diǎn)平均分配到兩個(gè)分支傳輸,在輸出端D干涉,所以該結(jié)構(gòu)扮演著一個(gè)干涉計(jì)的作用,其輸出幅度與兩個(gè)分支光通道的相位差有關(guān)。 最常用的幅度調(diào)制器是在LiNbO3晶體表面用鈦擴(kuò)散波導(dǎo)構(gòu)成的馬赫—曾德爾(MZ)干涉型調(diào)制器,如圖4所示。圖2 LD的強(qiáng)度調(diào)制 圖3 幾種直接強(qiáng)度光調(diào)制(IM/DD)方式的實(shí)現(xiàn)和示意圖解2 調(diào)制器2.1 電光調(diào)制器 電光調(diào)制基于晶體和各向異性聚合物中的線性電光效應(yīng),即電光材料的折射率n隨施加的外電場(chǎng)E而變化,即n=n(E)。副載波又有模擬和數(shù)字之分,有時(shí)將副載波調(diào)制簡(jiǎn)稱為載波調(diào)制。最有用的調(diào)制器是電光調(diào)制器和電吸收調(diào)制器。 在高速直接檢測(cè)接收機(jī)中,激光器可能出現(xiàn)的線性調(diào)頻使輸出線寬增大,信道能量損失,并產(chǎn)生對(duì)鄰近信道的串?dāng)_,從而成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)的主要限制。圖1 調(diào)制方式比較理與模擬強(qiáng)度調(diào)制相同,只要用脈沖波取代正弦波即可,如圖2(b)所示。模擬強(qiáng)度光調(diào)制是模擬電信號(hào)線性地直接調(diào)制光源(LED或LD)的輸出光功率,如圖2(a)所示。光纖通信常用IM/DD方式,即用電信號(hào)直接調(diào)制光載波的強(qiáng)度(1M),在接收端用光電二極管直接檢測(cè)(DD)光信號(hào),恢復(fù)發(fā)射端的電信號(hào)。調(diào)制有直接調(diào)制和外調(diào)制兩種方式。關(guān)鍵詞 光調(diào)制;IM/DD;MZ調(diào)制器;SCM;電吸收調(diào)制器;微機(jī)械光開關(guān)1 光調(diào)制調(diào)制是用數(shù)字或模擬信號(hào)改變載波的幅度、頻率或相位的過程。97,1997, 32 Maiti C K, Armstrong G A, Applications of silicongermanium heterostructure devices, published by Institute of physics publishing Bristol and Philadelphia, 2001,33 Harame D, Joseph A, Coolbaugh D,Freeman G,Newton K, Parker S M,Groves R, Erturk M, Stein K, Volant R, Dickey C, Dunn J, Subbanna S, Zamat H, Marangos V S, Doherty M M, Schreiber O, Janji T, Herman D A and Meyerson B S ,The emerging role of SiGe BICMOS technology in wired and wireless munications, Fourth IEEE International Devices, Circuits and Systems, Aruba, April ,2001,34 M. Soyuer, J. N. Burghartz, K. A. Jenkins, S. Ponnapalli, J. F. Ewen, and W. E. Pence, Multilevel monolithic inductors in silicon technology, Electron. Lett., March 1995,vol. 31, no. 5, pp. 35936035 C. and S. , Onchip spiral inductors with patterned ground shields for SIbased RF ICs, IEEE J. Solid State circuits, May 1998,vol. 33, pp. 743752, 36 J. N. Burghartz, D. C. Edelstein, K. A. Jenkins, C. Jahnes, C. Uzoh, . O39。uppen A and Erben U ,SiGekey technology for economic solutions in high frequency, GaAs 98 Conf. Proc. (London: Miller Freeman) 1998: 19920412 Cressler J D, SiGe HBT technology: a new contender for Sibased RF and microwave circuit applications, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1998,46: 57289 13 Patton ,Iyer , Delage ,Tiwari Stork, ,Silicongermanium base heterojunction bipolar transistors by molecular beam epitaxy IEEE Electron Device Letters , Apr 1988,Vol. 9 : 165 167 14 King ,Hoyt , Gronet ., Gibbons ,Scott M and Turner J,Si/Si1xGex heterojunction bipolar transistors produced by limited reaction processing, IEEE Electron Device Letters , Feb 1989Volume: 10 Issue: 2 pp. 52 5415 Harame D L, Comfort J H, Cressler J D, Crabb′e E F, Sun J YC, Meyerson B S and Tice T,Si/SiGe epitaxialbase transistors: part Imaterials, physics, and circuits, IEEE Trans. Electron Devices,1995, 40 :4556816 Harame D L, Comfort J H, Cressler J D, Crabb′e E F, Sun J YC, Meyerson B S and Tice T,Si/SiGe epitaxialbase transistors: part Ⅱprocess integration and analog applications, IEEE Trans. Electron Devices,1995 : 4698217 Gotzfried R,Beisswanger F.,Gerlach S,Schuppen A, Dietrich H,Seiler U, Bach and Albers J,RFIC39。uppen A, Erben U, Gruhle A, Kibbel H, Schumacher H and K168。s and related noise equations applied to microwave bipolar transistors, and a new expression for the frequency and current dependent noise figure, SolidState Electron., 1977, 20: 19168 Jain S C,Decoutere S,Willander M and Maes H E, SiGe HBT for application in BiCMOS technology:Ⅱ.Design,technology and performance,. 2001,16:6785,9 K168。VCO參考文獻(xiàn):1 Kroemer H, Theory of
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