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正文內(nèi)容

常見芯片引腳圖(參考版)

2025-06-30 15:01本頁(yè)面
  

【正文】 (由基準(zhǔn)電壓VR決定),抗干擾能力強(qiáng),轉(zhuǎn)換精度高,但轉(zhuǎn)換速度慢(約每秒1~10次)。1/512,適用于多路數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。Vcc:主電源,一般為+5V。GND:接地引腳27256芯片介紹:27256是32K*8字節(jié)的紫外線镲除、電可編程只讀存儲(chǔ)器,單一+5V供電,工作電流為100mA,維持電流為40mA,讀出時(shí)間最大為250nS,28腳雙列直插式封裝。2764芯片介紹:2764是8K*8字節(jié)的紫外線镲除、電可編程只讀存儲(chǔ)器,單一+5V供電,工作電流為75mA,維持電流為35mA,讀出時(shí)間最大為250nS,28腳雙列直插式封裝。其引腳功能如下: A0~A14:地址輸入線 O0~O7:雙向三態(tài)數(shù)據(jù)線,有時(shí)用D0~D7表示 :片選信號(hào)輸入端,低電平有效 :讀選通信號(hào)輸入線,低電平有效 :寫選通信號(hào)輸入線,低電平有效 Vcc:工作電源輸入引腳,+5V GND:線路地2716片介紹:2716是2K*8字節(jié)的紫外線镲除、電可編程只讀存儲(chǔ)器,單一+5V供電,工作電流為75mA,維持電流為35mA,讀出時(shí)間最大為250nS,24腳雙列直插式封裝。 四、存儲(chǔ)器6116芯片介紹:6116是2K*8位靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片,采用CMOS工藝制造,單一+5V供電,額定功耗160mW,典型存取時(shí)間200ns,24線雙列直插式封裝,其引腳功能說(shuō)明如下: A0~A10:地址輸入線 O0~O7:雙向三態(tài)數(shù)據(jù)線,有時(shí)用D0~D7表示 :片選信號(hào)輸入端,低電平有效 :讀選通信號(hào)輸入線,低電平有效 :寫選通信號(hào)輸入線,低電平有效 Vcc:工作電源輸入引腳,+5V GND:線路地6264芯片介紹:6264是8K*8位靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片,采用CMOS工藝制造,單一+5V供電,額定功耗200mW,典型存取時(shí)間200ns,28線雙列直插式封裝。74LS377芯片介紹:74LS377是一種8D觸發(fā)器,它可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的保持或鎖存,當(dāng)它片選信號(hào)E為低電平且時(shí)鐘CLK端輸入正跳變時(shí),D0~D7端的數(shù)據(jù)北鎖存到8D觸發(fā)器中。當(dāng)用74LS373作為地址鎖存器時(shí),它們的G端可直接與單片機(jī)的鎖存控制信號(hào)端ALE相連,在ALE下降沿進(jìn)行地址鎖存。三、鎖存器74LS373芯片介紹:74LS373是帶有三態(tài)門的八D鎖存器,當(dāng)使能信號(hào)線OE為低電平時(shí),三態(tài)門處于導(dǎo)通狀態(tài),允許1Q8Q輸出到OUT1OUT8,當(dāng)OE端為高電平時(shí),輸出三態(tài)門斷開,輸出線OUT1OUT8處于浮空狀態(tài)。AA0:地址線,用來(lái)選擇8255內(nèi)部端口。PC0PC7:C口輸入/輸出線。PA0PA7:A口輸入/輸出線。WR:寫入信號(hào)線,低電平有效,控制數(shù)據(jù)的寫入。CS:片選信號(hào)線,低電平有效,表示芯片被選中。三種工作方式由工作方式控制字決定,方式控制字由CPU通過輸入/
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