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正文內(nèi)容

低功耗數(shù)字多功能表的設計論文(參考版)

2025-06-30 12:55本頁面
  

【正文】 由于知識水平有限、時間倉促,我們的作品還有待于繼續(xù)完善,希望老師多多指點。五、總結在緊張而又忙碌的競賽期間內(nèi),我們小組成員團結協(xié)作、分工明確,經(jīng)過了 4 天 3 夜的努力,最終完成題目要求的全部基本功能和大部分的發(fā)揮功能。(5)晶體三極管測試 表 5 β 參數(shù)測試結果待測 NPN β 值 實際測量結果 誤差(%)90 88 166 167 270 273 583 591 結果分析:β 參數(shù)精度177。(4)電容測量表 4 電容測量表檔 位 待測電容 實測電容 誤 差(%)33nF 66nF 10 uF 47 uF 結果分析:電容誤差在精度177。(3)電阻測量表 3 電阻測量表檔 位 待測電阻 實測阻值 誤 差 (%)47Ω 200Ω148Ω kΩ 2kΩ1kΩ kΩ 5kΩ kΩ 20kΩ10kΩ kΩ 精度要求為177。表 2 交流電壓測量表檔 位 輸入電壓 實際電壓 誤 差(%)50mV mV 100mV mV V V V V V V 結果分析:交流電壓:~20V ,精度177。測量結果基本滿足設計要求。表 1 直流電壓測量表檔 位 輸入電壓 實際電壓 誤差(%)50 mV 100 mV 2 V V 1 V 5 V 20 V10 V 結果分析:測量誤差大部分在精度177。測試儀器: 勝利 VC9808 、F10 型數(shù)字合成函數(shù)信號發(fā)生器/計數(shù)器、SK1730SBP 直流穩(wěn)壓電源。只要用 AD 采該電壓即可。 電阻測量電路(見附圖) 用 TL431 產(chǎn)生一個基準電壓,給標準電阻和被測電阻 Rx 供電,測量待測電阻上的分壓,經(jīng)過 AD 采集,單片機的運算處理,輸出電阻值。(2)直流信號經(jīng)衰減后可直接進行 A/D 采集,但是交流信號需要經(jīng)過AD637 之后再進行采集。系統(tǒng)總體設計框圖見圖 1 所示。再將該電流轉換為電壓信號用 AD 進行采集。 晶體三極管 β 測量要求基極電流約 10μA,U CE 約 3V。 電阻量程選擇根據(jù)不同的電阻量程,選擇不同的標準電阻與其分壓,TLC431 產(chǎn)生的基準電壓輸出 。二、理論分析與計算 交直流電壓衰減利用 MSP430F2616 自帶的 12 位 A/D 采集電壓,使用內(nèi)部基準時,ADC 的量程是 0V 到 ,需要將電壓信號衰減到此范圍內(nèi)。方案二:采用 12864 液晶顯示,易操作,顯示方便。 正弦波信號產(chǎn)生電路采用單片集成芯片 ICL8038 產(chǎn)生正弦波,進行外部電路和單片機控制,進行頻率達到 10Hz~100kHz 可調。 通過采集 Ic 流經(jīng)的一個電阻的電壓進行轉換。 晶體三極管 β 參數(shù)測試模塊將變化的 β 值轉
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