【正文】 輸入電壓，經(jīng)VIN端送入，經(jīng)Q01的eb，經(jīng)參考電壓，與運(yùn)算器到地線，Q1導(dǎo)通，此時(shí)電流經(jīng)Q1ec，由VOUT端輸出，送負(fù)載，由R1R2分壓，取出終點(diǎn)電壓，反饋到運(yùn)算放大器同相入端，控制Q01b極電位，從而控制ec的導(dǎo)通電流，穩(wěn)定輸出電壓，過(guò)熱保護(hù)經(jīng)溫傳感器進(jìn)行變換，將對(duì)應(yīng)溫度裝換的電壓進(jìn)入同相入端，從而控制ec的輸出端，過(guò)熱時(shí)，ec阻值增大，切斷輸出壓降。二．常用形式三．集成運(yùn)算放大器的工作過(guò)程以及極性當(dāng)同相入端的電位高于反相入端時(shí)，OUT端輸出高電頻。要用同型號(hào)來(lái)代換。四．晶振使用注意事項(xiàng)一般具有晶振的電路，機(jī)器在移動(dòng)時(shí)，震動(dòng)不能過(guò)大，摔擊會(huì)使晶振內(nèi)部的晶片摔碎，晶振不能受潮，焊接時(shí)溫度不能過(guò)高，要避開靜電。二．晶振的作用用來(lái)和時(shí)鐘電路配合產(chǎn)生精密度相當(dāng)相當(dāng)高的高頻振蕩信號(hào)，這個(gè)振蕩信號(hào)在經(jīng)分頻器進(jìn)行放大、整形、信頻以及分頻之后，產(chǎn)生所需信號(hào)。測(cè)量三個(gè)電極時(shí)，如果表針沒有直接打到右零，而存在一個(gè)PN結(jié)的形式；蜂鳴檔測(cè)量時(shí)，任意測(cè)量蜂鳴器不叫，基本處于完好，如果在電路中使用時(shí)不能工作，就證明性能不好，此時(shí)應(yīng)當(dāng)代換對(duì)應(yīng)型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管。首先測(cè)量判斷出漏源柵三極，然后再測(cè)量是否具有觸發(fā)能力，如果有觸發(fā)能力，就證明管子可以使用，若測(cè)量時(shí)漏源柵三極可以判斷出來(lái)，但是測(cè)量觸發(fā)時(shí)，表針無(wú)反應(yīng)，證明該管子失去觸發(fā)能力，若測(cè)量三個(gè)極時(shí)，表針都從左偏向右零，證明三極擊穿。四． 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的極性判斷首先用R1K或R100Ω或蜂鳴檔，判斷時(shí)首先先將黑表筆假定某一電極為柵極，紅表筆分別接另外兩極，如果此時(shí)表針從左向右偏轉(zhuǎn)，兩次阻值都很小，證明黑表筆假定柵極正確，而且被測(cè)管子是N溝道，否則是P溝道。漏源柵三電極之間相互絕緣，給柵源極加反向電場(chǎng)，漏源極加正向電場(chǎng)，在柵源電場(chǎng)作用下使漏源之間的內(nèi)電阻減小，主要吸引襯底底部電子，將漏源之間接通，改變柵源電場(chǎng)，改變襯底底部吸引的數(shù)量，從而改變漏源之間的內(nèi)電阻值。給N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管漏源極加正向電場(chǎng)，給柵源極加反向電場(chǎng)，當(dāng)改變柵源極電場(chǎng)強(qiáng)弱，便可以改變兩個(gè)PN結(jié)結(jié)面大小，從而改變漏源極內(nèi)阻力大小，改變漏源溝道的導(dǎo)通電流強(qiáng)弱，在靜態(tài)工作正常建立后，給柵源極輸入交流信號(hào)，控制溝道內(nèi)阻力大小，隨柵源極信號(hào)的強(qiáng)弱改變而改變，將柵極輸入的交流信號(hào)進(jìn)行放大。場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）一． 什么稱場(chǎng)效應(yīng)管在半導(dǎo)體硅或鍺的基礎(chǔ)上摻雜元素，構(gòu)成電場(chǎng)控制元件，而且導(dǎo)通速度快，功率損耗小，將此管稱為場(chǎng)效應(yīng)管。，用1K或1Ω檔或蜂鳴檔，測(cè)量時(shí)如果某兩支引腳正向阻值小，反向阻值大，相當(dāng)于內(nèi)部由PN結(jié)形式，此端為入端，另一端測(cè)量時(shí)無(wú)任何反應(yīng)，為出端。圖4：收光器采用復(fù)合管，加快了導(dǎo)通速度，增強(qiáng)了ce之間的導(dǎo)通電流。五支引腳：五支引腳中由一支是空腳，其他工作方式與四腳相同。在顯示器電路電源中做反饋控制，在針打激光燈打印機(jī)電源中做光控元件。光電耦合器（IC）一． 什么稱光電耦合器采用光媒傳播控制信號(hào)的媒介，由發(fā)光器、收光器兩大部分組成，用塑料封裝構(gòu)成光電耦合器。如果三個(gè)電極都偏轉(zhuǎn)，證明內(nèi)部擊穿。八． 可控硅的好壞判別首先測(cè)量判斷管子使可控硅還是三極管，測(cè)量時(shí)，先判斷出陽(yáng)陰門三極，然后觸發(fā)的方式判斷能否觸發(fā)，如果能，即是可控硅，而且性能良好可使用。用1K檔時(shí)，將黑表筆假定某一電極為門極，紅表筆分別接別的兩極，如果此時(shí)表針從左向右偏轉(zhuǎn)，那么黑表筆接的為門極，紅表筆接的為陰極，另一個(gè)為陽(yáng)極。使V1的Ib建立，Rec減小，此時(shí)E2正極經(jīng)V1的ec回E2的負(fù)端，V1導(dǎo)通給V2的b極供電，V2導(dǎo)通給V1發(fā)射結(jié)提供回路，V1V2相互導(dǎo)通，陽(yáng)陰內(nèi)阻減小導(dǎo)通，此時(shí)斷開門極電壓，陽(yáng)陰正常導(dǎo)通。陽(yáng)陰兩端電壓高，門陰兩端電壓低，一般門陰加觸發(fā)電壓，由cpu或其他芯片提供。四． 可控硅的導(dǎo)通實(shí)驗(yàn)圖1 2 3，實(shí)驗(yàn)證明：可控硅達(dá)不到導(dǎo)通條件，圖4證明了可控硅的導(dǎo)通條件，要使可控硅正向?qū)ǎ?yáng)陰必須加正向電壓，門陰加正向電壓，此時(shí)，可控硅方可導(dǎo)通，串聯(lián)燈燈亮。二． 可控硅作用由于可控硅控制速度快，一般用在電源開關(guān)電路，過(guò)壓過(guò)流保護(hù)電路，同時(shí)用在弱電控制強(qiáng)電電路。無(wú)論NPN或PNP管，只要發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，~，~，此時(shí)處于放大態(tài)。單一的飽和或截止在電路中只能做電子開關(guān)控制。（ube=uec）當(dāng)瞬間給NPN的b端輸入高電頻脈沖，b端電位上升，ube增大，Ib增大，Rec減小，uec下降，b端電位越高，Rec越小，uec越小，當(dāng)uec降到等于ube時(shí)，飽和。一般是由人為所致，斷開發(fā)射結(jié)PN結(jié)正向供電，使Ib=0時(shí)，此時(shí)Rec很大，ce幾乎沒有電流通過(guò)，截止。③.由Ic芯片產(chǎn)生方波信號(hào)，經(jīng)R送三極管的b端，高電頻三極管飽和，低電頻三極管截止，飽和截止不斷轉(zhuǎn)換，使三極管工作在開關(guān)狀態(tài)。十． 三極管在電路中的作用 ①.三極管可以放大信號(hào)源送來(lái)的交流信號(hào)，此時(shí)三極管在電路中起放大作用。一般只測(cè)ec之間的阻值，要求阻值越大越好。②.測(cè)量集電結(jié)反向電阻，如果此時(shí)反向阻值很小，Ib失去對(duì)Ic控制，Iceo很大。（Si）鍺（Ge）管測(cè)量極電結(jié)與發(fā)射結(jié)兩個(gè)PN結(jié)的正向阻值，如果正向阻值在5K~15K或3K~15K之間是硅管，在1K~3K或1K~5K之間是鍺管。機(jī)械表在路R1Ω，非在路R1K，測(cè)量時(shí)先將黑表筆假定某一極為g極，紅表筆分別接另外兩極，如果此時(shí)表針從左向右偏轉(zhuǎn)，量此阻值大約相等，證明假定g極正確，該管是NPN管，否則是PNP管。②.大功率塑封管判斷時(shí)，管腳向下，管殼向上，字面對(duì)自己，左b右e中間c。八． 無(wú)論使NPN還是PNP，只要三極管發(fā)射極正偏，集電結(jié)反偏，~、~，就證明三極管的工作點(diǎn)正常。七． 三極管內(nèi)部放大的原理給be加上正向電場(chǎng)，ce加反向電場(chǎng)，使三極管滿足be正向偏轉(zhuǎn)，bc反偏，達(dá)到三極管的工作條件，此時(shí)be外加電場(chǎng)，電源正電荷經(jīng)電位器送基區(qū)，排斥基區(qū)正電荷，越過(guò)PN結(jié)，到達(dá)N區(qū)，吸引N區(qū)負(fù)電子，使發(fā)射極向基區(qū)發(fā)射負(fù)電荷，此時(shí)發(fā)射極送來(lái)的負(fù)電荷與基區(qū)的正電荷產(chǎn)生復(fù)合，將沒有復(fù)合完的剩余負(fù)電子繼續(xù)向上擴(kuò)散，到達(dá)集電結(jié)的邊緣，此時(shí)ec之間外加電場(chǎng)的正電荷將吸引N區(qū)負(fù)電子與基區(qū)剩余的負(fù)電子向電源正極流近，此時(shí)ce之間內(nèi)阻下降，使ce之間導(dǎo)通電流Ic、Ie增大，當(dāng)改變be之間的導(dǎo)通電流，調(diào)整W時(shí)，此時(shí)改變發(fā)射極送往基極電荷的數(shù)量，從而改變基區(qū)復(fù)合量大小，從而改變基區(qū)未復(fù)合完的電子數(shù)量，從而改變集電區(qū)收集的電荷數(shù)量，改變ec之間的內(nèi)阻，改變Ic、Ie。改變Ib使發(fā)射極發(fā)射數(shù)量改變，使基區(qū)復(fù)合數(shù)量改變，集電區(qū)收集數(shù)量改變，從而改變Rec的阻值，改變uec兩端電位差，從而改變uc。（b）是控制發(fā)射極送往集電極之間的電荷數(shù)量，