半導體物理學(劉恩科)第六第七版第一章到第八章完整課后題答案(參考版)
2025-06-27 19:38本頁面
【正文】 s1，試求表面的空穴濃度以及流向表面的空穴流密度是多少？第六章答案第七章答案。①計算體壽命，擴散長度和表面復合速度。 18. 一塊摻雜施主濃度為2180。試計算：（1）單位時間單位表面積在表面復合的空穴數(shù)。s1。計算從這個表面擴散進入半導體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠處過剩空穴濃度等于1012cm3？ 17. 光照1W 16. 一塊電阻率為3W 15. 在電阻率為1Ws)。試求電子的擴散長度。 13. 室溫下，p型半導體中的電子壽命為t=350us，電子的遷移率un=3600cm2/(V（2）在只有少數(shù)載流子別耗盡（例如，pnpn0，而nn=nn0）的半導體區(qū)域。 10. 一塊n 型硅內(nèi)摻有1016cm3的金原子 ，試求它在小注入時的壽命。8. 在一塊p型半導體中，有一種復合產(chǎn)生中心，小注入時，被這些中心俘獲的電子發(fā)射回導帶的過程和它與空穴復合的過程具有相同的概率。EcEiEvEcEFEiEvEFpEFn光照前光照后7. 摻施主濃度ND=1015cm3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子Dn=Dp=1014cm3。計算無光照和有光照的電導率。今用光照射該樣品，光被半導體均勻的吸收，電子空穴對的產(chǎn)生率是1022cm33. 有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時電阻率是10W2. 用強光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為,空穴壽命為t。這時電子的實際平均漂移速度和遷移率應為多少？ 20. 試證Ge的電導有效質(zhì)量也為 第五章習題 1. 在一個n型半導體樣品中，過?？昭舛葹?013cm3, 空穴的壽命為100us。如將S i置于10V/cm的電場中，證明電子的平均漂移速度小于熱運動速度，設電子遷移率為15000cm2/( V 19. 假設S什么導電類型的材料電阻率可達最大。S), 180。查表41，可知室溫下硅和鍺較純樣品的遷移率Si: Ge: 18. ( V解：令因此，為最小點的取值②試求300K時Ge1017cm3 ,，查圖414（a）知，17. ①證明當un185。1015cm3+鎵原子1180。1016cm3+180。1016cm3+180。①硼原子3180。1017cm3。1015cm3+鎵原子1180。1016cm3+180。1016cm3+180。1015cm3。解：電阻為 15. 施主濃度分別為1014和1017cm3的兩個Ge樣品，設雜質(zhì)全部電離： ①分別計算室溫時的電導率； ②若于兩個GaAs樣品，分別計算室溫的電導率。解：室溫下，Si的本征載流子濃度有效雜質(zhì)濃度為：，屬強電離區(qū)多數(shù)載流子濃度少數(shù)載流子濃度總的雜質(zhì)濃度，查圖414（a）知， 電阻率為14. 、長為1cm的 n型GaAs樣品，設un=8000 cm2/( V1016硼原子cm3和9180。再從圖415分別求他們的電阻率。解：①查表415（b）知室溫下，濃度為1013cm3的p型Si樣品的電阻率為，則電導率為。解：查看圖37，可知，在473K時，Si的本征載流子濃度，在這個濃度下，查圖413可知道， 11. 截面積為103cm2,摻有濃度為1013cm3的p型Si樣品，樣品內(nèi)部加有強度為103V/cm的電場，求； ①室溫時樣品的電導率及流過樣品的電流密度和電流強度。9. 試從圖413求雜質(zhì)濃度為1016cm3和1018cm3的Si，當溫度分別為50OC和+150OC時的電子和空穴遷移率。解：，查圖414（b）可知，這個摻雜濃度下，Ge的遷移率為1500 cm2/( ),又查圖37可知，室溫下Ge的本征載流子濃度，屬強電離區(qū)，所以電導率為電阻為摻入5180。再摻入5180。S),Si 的電導有效質(zhì)量m
范文總結(jié)相關推薦
鄂ICP備17016276號-1