弱光性能參數(shù)優(yōu)化(參考版)
2025-06-27 01:39本頁(yè)面
【正文】 PVsyst軟件給設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了很多幫助，但筆者覺(jué)的模型還有待完善之處，如串聯(lián)電阻對(duì)弱光是一個(gè)關(guān)鍵因素，相關(guān)研究文獻(xiàn)已提到串聯(lián)電阻值和輻照的變化關(guān)系，但在PVsyst6模型中對(duì)兩者之間的關(guān)系還尚未提及，筆者相信以后隨著版本的更新會(huì)得到解決。文中介紹了四個(gè)弱光參數(shù)Rs（module）、Rsh（Gref）、Rsh(0)和Rsh（exp）的優(yōu)化方法，并根據(jù)現(xiàn)有的樣本實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)某組件的Rs進(jìn)行了優(yōu)化，有助于提高該組件在弱光性能預(yù)測(cè)時(shí)的準(zhǔn)確性。) Pmpp（W）Vmpp（V）Impp(A)Voc(V)Isc(A)200 300 400 500 600 700 800 900 1000 緊接著基于南京地區(qū)的氣象數(shù)據(jù)，使用該組件對(duì)優(yōu)化前后的兩種情況進(jìn)行發(fā)電量模擬，如圖14和圖15所示，%，%，這個(gè)值的大小也和當(dāng)?shù)氐娜贻椪涨闆r有關(guān)，在不同的地區(qū)會(huì)有差異，參考表9。表7第三方測(cè)試機(jī)構(gòu)提供的低輻照測(cè)試結(jié)果Module typeT=25℃，輻照條件200w/m2Pmpp(W)Vmpp(V)Impp(A)Voc(V)Isc(A)XXX24060p圖13 Rs（module）優(yōu)化結(jié)果優(yōu)化后不同輻照下的電性能模擬結(jié)果和弱光損失比例上文對(duì)XXX24060P多晶組件的弱光參數(shù)優(yōu)化，Rsh缺少相關(guān)數(shù)據(jù)仍保留為默認(rèn)值，根據(jù)第三方測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)Rs（module）進(jìn)行了優(yōu)化，表8為優(yōu)化后該組件在不同輻照度下和25℃條件的模擬結(jié)果，200W/m2時(shí)的數(shù)據(jù)基本上和第三方的測(cè)試結(jié)果較為吻合。條件），第二種模式是輸入具體的光強(qiáng)、溫度、Isc、Voc、Impp和Vmpp值，參考圖12。圖10 電池并聯(lián)電阻值和串聯(lián)電阻值隨輻照變化關(guān)系[3] （單位：1 suns代表200mW/m2）Rs（module）的調(diào)整參考圖11定義窗口，默認(rèn)提供了兩種輸入模式，第一種只需要輸入組件在不同光強(qiáng)和溫度下的相對(duì)STC條件轉(zhuǎn)換效率（可選 800, 600, 400 and 200 W/m178。由于缺乏實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)，對(duì)XXX24060P組件，Rsh仍采用默認(rèn)值，這里介紹其調(diào)整方法，具體操作可參考PVsyst用戶(hù)手冊(cè)[2]。圖7 250個(gè)樣品組件Rsh測(cè)試值分布（STC）圖8為XXX24060P組件在PVsyst模型中默認(rèn)的值以及Rsh和輻照度的變化關(guān)系，Rsh(0) 和Rsh (exp)是根據(jù)不同輻照下的Rsh值進(jìn)行擬合得到。目前對(duì)于Rsh(Gref)的實(shí)際測(cè)試有太陽(yáng)能模擬器的IV測(cè)試法（STC）、DarkReverse IV測(cè)試法、External Parallel Resistance測(cè)試法等，從行業(yè)相關(guān)研究文獻(xiàn)[1]可知，一般使用太陽(yáng)能模擬器測(cè)試出來(lái)的結(jié)果會(huì)明顯偏低，原因是電流微小變化時(shí)，從IV曲線上獲取Rsh(Gref)，太陽(yáng)能模擬器缺乏足夠的測(cè)試和計(jì)算精度。圖6為Rsh(exp)取不同的值
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