弱光性能參數(shù)優(yōu)化(參考版)
2025-06-27 01:39本頁面
【正文】 PVsyst軟件給設計人員帶來了很多幫助，但筆者覺的模型還有待完善之處，如串聯(lián)電阻對弱光是一個關鍵因素，相關研究文獻已提到串聯(lián)電阻值和輻照的變化關系，但在PVsyst6模型中對兩者之間的關系還尚未提及，筆者相信以后隨著版本的更新會得到解決。文中介紹了四個弱光參數(shù)Rs（module）、Rsh（Gref）、Rsh(0)和Rsh（exp）的優(yōu)化方法，并根據(jù)現(xiàn)有的樣本實測數(shù)據(jù)對某組件的Rs進行了優(yōu)化，有助于提高該組件在弱光性能預測時的準確性。) Pmpp（W）Vmpp（V）Impp(A)Voc(V)Isc(A)200 300 400 500 600 700 800 900 1000 緊接著基于南京地區(qū)的氣象數(shù)據(jù)，使用該組件對優(yōu)化前后的兩種情況進行發(fā)電量模擬，如圖14和圖15所示，%，%，這個值的大小也和當?shù)氐娜贻椪涨闆r有關，在不同的地區(qū)會有差異，參考表9。表7第三方測試機構提供的低輻照測試結果Module typeT=25℃，輻照條件200w/m2Pmpp(W)Vmpp(V)Impp(A)Voc(V)Isc(A)XXX24060p圖13 Rs（module）優(yōu)化結果優(yōu)化后不同輻照下的電性能模擬結果和弱光損失比例上文對XXX24060P多晶組件的弱光參數(shù)優(yōu)化，Rsh缺少相關數(shù)據(jù)仍保留為默認值，根據(jù)第三方測試數(shù)據(jù)對Rs（module）進行了優(yōu)化，表8為優(yōu)化后該組件在不同輻照度下和25℃條件的模擬結果，200W/m2時的數(shù)據(jù)基本上和第三方的測試結果較為吻合。條件），第二種模式是輸入具體的光強、溫度、Isc、Voc、Impp和Vmpp值，參考圖12。圖10 電池并聯(lián)電阻值和串聯(lián)電阻值隨輻照變化關系[3] （單位：1 suns代表200mW/m2）Rs（module）的調(diào)整參考圖11定義窗口，默認提供了兩種輸入模式，第一種只需要輸入組件在不同光強和溫度下的相對STC條件轉換效率（可選 800, 600, 400 and 200 W/m178。由于缺乏實際測試數(shù)據(jù)，對XXX24060P組件，Rsh仍采用默認值，這里介紹其調(diào)整方法，具體操作可參考PVsyst用戶手冊[2]。圖7 250個樣品組件Rsh測試值分布（STC）圖8為XXX24060P組件在PVsyst模型中默認的值以及Rsh和輻照度的變化關系，Rsh(0) 和Rsh (exp)是根據(jù)不同輻照下的Rsh值進行擬合得到。目前對于Rsh(Gref)的實際測試有太陽能模擬器的IV測試法（STC）、DarkReverse IV測試法、External Parallel Resistance測試法等，從行業(yè)相關研究文獻[1]可知，一般使用太陽能模擬器測試出來的結果會明顯偏低，原因是電流微小變化時，從IV曲線上獲取Rsh(Gref)，太陽能模擬器缺乏足夠的測試和計算精度。圖6為Rsh(exp)取不同的值
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