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電子科技大學成果介紹(參考版)

2025-06-24 16:48本頁面
  

【正文】 3成果名稱:Esc OPT 1300型光纖CATV光發(fā)射機系列成果簡介:OPT 1300系列光發(fā)射機采用美國ORTEL公司專為CATV光傳輸。2成果名稱:X成果簡介:X3成果名稱:Esc OPR 13155型光纖CATV光接收機系列成果簡介:OPR 13155系列光接收機采用美國ORTEL公司專為CATV光傳輸設(shè)備制造的光接收機模塊作為核心部件,配置該公司自行開發(fā)生產(chǎn)的監(jiān)測、顯示、告警功能塊和高可靠主、備電源,構(gòu)成普及型和標準型的系列機。2成果名稱:X 所獲獎種:國防科學技術(shù)獎(04年)獲獎等級:三等 成果簡介:26.成果名稱:X成果簡介:X。設(shè)計師可在計算機上完整模擬電子從發(fā)射、成形、聚焦、傳輸、能量交換,直至被收集的全過程,計算精度基本滿足工程設(shè)計需要。2成果名稱:XXXX輻射振蕩器所獲獎種:全軍武器裝備科學技術(shù)獎“863”計劃軍口科技成果專項獎(07年)獲獎等級:三等 成果簡介:2成果名稱:X波段高功率高斯饋源所獲獎種:全軍武器裝備科學技術(shù)獎“863”計劃軍口科技成果專項獎(07年)獲獎等級:三等 成果簡介:首次提出了利用內(nèi)壁光滑的分段變張角結(jié)構(gòu)進行饋源內(nèi)的模式控制的方案,實現(xiàn)了饋源的軸對稱輻射,避免了波紋結(jié)構(gòu)對功率容量的限制; 2成果名稱:8mm高功率回旋速調(diào)管技術(shù)研究 所獲獎種:國防科學技術(shù)進步獎(07年)獲獎等級:三等 成果簡介:建立理論模型,解決了高頻系統(tǒng)低Q腔技術(shù)、輸出腔設(shè)計問題、中間群聚腔計算問題、輸入調(diào)制腔冷腔的三維模擬問題;發(fā)展與建立了回旋速調(diào)管自洽大信號理論和從輸入腔至輸出腔完整的注波互作用非線性軟件,解決了整管輸出功率、增益、效率及帶寬問題;完善了原有磁控注入電子槍設(shè)計軟件,設(shè)計出了雙陽極磁控注入電子槍;設(shè)計出更好結(jié)構(gòu)的輸出窗和收集極,減少窗損耗功率,改進水冷系統(tǒng),增強冷卻散熱能力,解決了高平均功率問題;吸收原有回旋管研制經(jīng)驗,設(shè)計出更合理的整管結(jié)構(gòu);建立了完善的熱測、冷測條件,研制出了在國際上處于先進地位的高功率回旋速調(diào)管。成果名稱:八毫米三次諧波永磁包裝回旋管 所獲獎種:國防科學技術(shù)獎(02年)獲獎等級:二等 成果簡介: 建立和發(fā)展了漸變與突變兩種結(jié)構(gòu)復(fù)合腔分析計算的理論、多模耦合幾多模駐波互作用自洽非線性理論、多因素自動優(yōu)化動態(tài)顯示數(shù)值模擬軟件包,解決了模式競爭問題,開發(fā)了計算電子槍程序軟件,設(shè)計了性能優(yōu)良的電子槍,設(shè)計了便于永磁包裝的小型化整管結(jié)構(gòu)等,這些工作都具有創(chuàng)新性。在國內(nèi)外學術(shù)刊物上發(fā)表的57篇論文組成。提出并解決了利用特殊反射曲面得到理想場形分布的高效準光模式變換器。1成果名稱:X所獲獎種:全軍武器裝備科學技術(shù)獎“863”計劃軍口科技成果專項獎(07年)獲獎等級:二等 成果簡介:1成果名稱:高次諧波回旋管相關(guān)問題研究 所獲獎種:教育部提名國家獎自然科學獎(04年)獲獎等級:二等 成果簡介:本項目是研究新型大功率高次諧波回旋脈塞(回旋管)相關(guān)理論,屬物理電子學。1成果名稱:溫濕度一體化傳感器 所獲獎種:國防科學技術(shù)獎(04年)獲獎等級:三等 成果簡介:本項目分別采用鉑金屬材料和聚酰亞胺作為溫度和濕度敏感材料,并分別采用磁控濺射工藝和旋涂法制研制出溫度傳感器和濕度傳感器芯片,研究了成膜工藝對傳感器性能的影響,并設(shè)計了溫濕度傳感器整體結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上,對溫濕度傳感器的變送電路進行了研究,最后研制出了溫濕度一體化傳感器。(3)該項目采用的薄膜工藝具有一致性、重復(fù)性好的特點。其水平與國際近期水平相當,配合恒溫槽可在-45℃~+70℃范圍內(nèi)正常工作。具有長壽命、高效率、高亮度、寬視角、低功耗、驅(qū)動電壓低、響應(yīng)速度快、抗震性能好等特點。1成果名稱:X成果簡介:X1成果名稱:X 所獲獎種:四川省科學技術(shù)獎(05年)獲獎等級:二等成果簡介:1成果名稱:有機電致發(fā)光顯示器所獲獎種:國防科學技術(shù)進步獎(07年)獲獎等級:三等 成果簡介:項目對以有機電致發(fā)光材料為基礎(chǔ)的新型顯示器件進行了研究,重點研究提高顯示器發(fā)光亮度的方法,器件設(shè)計制作與封裝技術(shù),顯示驅(qū)動技術(shù),器件的老化機理等。(2)基波注入鎖定3mm諧波振蕩器結(jié)構(gòu)簡單、調(diào)試方便的基波注入鎖定3mm諧波振蕩器。(1)基波鎖相3mm諧波振蕩器基于基波和二次諧波相互作用的理論,設(shè)計了在基波回路采用雙金屬溫度補償TE013圓柱腔的基波鎖相3mm諧波振蕩器。在此基礎(chǔ)上研制成功非相干脈沖收發(fā)組件,脈沖發(fā)射功率大于8W,脈沖寬度26ns,重復(fù)頻率11KHz,接收機中頻1GHz,射頻—中頻變頻損耗11dB。(2)“3mm脈沖雪崩振蕩器及收發(fā)組件”采用了適用于國內(nèi)外器件的振蕩器結(jié)構(gòu)。0成果名稱:三毫米雪崩振蕩系列成果簡介:(1)“3mm連續(xù)波雪崩振蕩器及注入鎖定放大器”采用連續(xù)波雪崩振蕩器的電路設(shè)計,采用了適用于國內(nèi)外器件的振蕩結(jié)構(gòu)。其性能指標為:工作頻率2—20GHz,增益25dB,輸出功率P1dB179??刂栖浖捎昧烁呔阮l率預(yù)置,線性補償和模擬消磁程序。0成果名稱:八毫米頻率綜合器成果簡介:采用對八毫米頻率的基波鎖相方法,—,利用諧波混頻,直接鎖定八毫米。C~+60176。0成果名稱:X波段雷達頻率合成器成果簡介:實用化X波段雷達頻率綜合器,通過軍方的環(huán)境試驗。0成果名稱:LX頻段高速跳頻頻率合成器 成果簡介:TIS系統(tǒng)每秒3萬8千余跳的跳頻任務(wù),是目前跳頻速率最高的頻率合成器。本項目研制的環(huán)境介質(zhì)組合傳感器具有多功能、小型化、高精度、高靈敏度的優(yōu)點。0成果名稱:環(huán)境介質(zhì)組合傳感器技術(shù)研究 所獲獎種:國防科學技術(shù)獎(06年)獲獎等級:二等 成果簡介:項目采用鉑金屬材料、聚酰亞胺作為敏感材料分別制作了溫度傳感器、濕度傳感器,并研制了一種由鉛為陽極、氧陰極(金)、弱酸性電解液組成的為鉛-氧電池型新型氧傳感器,分別對研制的溫度、濕度、氧傳感器的敏感性能進行了系統(tǒng)研究,同時,對檢測環(huán)境介質(zhì)的組合傳感器的整體變送電路進行了研究,設(shè)計了組合傳感器的封裝外殼,最后研制出了環(huán)境介質(zhì)組合傳感器樣品。0成果名稱:超高壓力傳感器及其陣列技術(shù) 所獲獎種:國防技術(shù)發(fā)明獎(07年)獲獎等級:二等 成果簡介:本項目研制的超高壓力傳感器在國際上率先將壓力的測量上限提高到100GPa以上,并實現(xiàn)了2040ns的快速響應(yīng),精度177。本項目基于國產(chǎn)工業(yè)原材料及自主技術(shù)首次實現(xiàn)了表面層半導體陶瓷電容器的規(guī)模化生產(chǎn),填補了國內(nèi)表面層電容器生產(chǎn)領(lǐng)域的空白。表面層半導體陶瓷電容器的關(guān)鍵技術(shù)在于瓷料及被銀瓷片的制作,對于瓷料而言,通過對BaTiO3基材料組成、工藝性能的系統(tǒng)研究,尤其是稀土雜質(zhì)的添加改性,成功開發(fā)出了具有自主技術(shù)的晶粒細小,均勻,結(jié)構(gòu)致密的Y5V、Y5U、Y5P全系列表面層電容器瓷料,對被銀片而言,采用液氨分解所得N2:H2=1:3的混合氣體替代國際上通用的高純N2加高純H2作為表面層半導體陶瓷電容器還原熱處理所需的氣氛燒結(jié)條件,解決了表面層半導體陶瓷電容器成本高,規(guī)模生產(chǎn)安全性差的普遍難題。這些專利已被美國PMT公司購買,這是目前我國在IT業(yè)向發(fā)達國家輸送為數(shù)極少的重要成果,受到中國貿(mào)促會的密切關(guān)注。=20~7;磁性纖維吸收劑具有分散性好,工藝穩(wěn)定,應(yīng)用于吸波涂層,明顯改善其低頻吸收性能等特點。=50~30,e162。max=,m178。形成了國內(nèi)新一代片狀納米晶復(fù)合吸收劑,所研制的吸波涂料,達到國際領(lǐng)先水平,形成企軍標10余項,為大幅度提升我軍武器平臺的隱身化水平提供了關(guān)鍵材料技術(shù)支撐。該電路正在長虹集團試用,可滿足軍用和民用高壓PDP顯示驅(qū)動的需求。電路工作電壓80V,輸出電流20mA,時鐘頻率40MHz。每套裝備需12顆該芯片,需求量大。其技術(shù)指標達到國際同步水平,因采用SOI技術(shù),故在抗輻照特性等方面更適用于軍事裝備。0成果名稱:新型SOI高壓集成電路實用化研究 成果簡介:軍用高壓SOI大電流控制電路,其功能是提供高電壓和大電流驅(qū)動。0成果名稱:具有A/D、D/A轉(zhuǎn)換的功率驅(qū)動集成電路實用化研究 成果簡介:D/A高速轉(zhuǎn)換器主要性能指標有:分 辨 率 8 bits建 立 時 間 ≤150ns積/微分非線性 177。其指標如下(25℃條件下):常溫方阻值:15KΩ/A~20 KΩ/A;電阻率:~;溫度系數(shù):%/K~%/K;薄膜厚度:900~1200A;均勻度:<9%。本項目的特點主要是成功解決了兩大技術(shù)難題:(1)用La、Al、Ga等離子對YIG進行取代,調(diào)整飽和磁化強度在1250-1750Gs范圍,材料的ΔH控制在較低水平;(2)通過正負溫度系數(shù)的YIG薄膜的雙層膜耦合方法,提高了材料的溫度穩(wěn)定性。并具備小批量生產(chǎn)能力。用該材料制作的開關(guān)電源變壓器,取得了滿意的效果。0成果名稱:新型聚合物電極材料 所獲獎種:國防科學技術(shù)獎(05年)獲獎等級:二等成果簡介:采用化學原位聚合方法,通過調(diào)整和優(yōu)化聚合工藝條件以及控制氧化、還原摻雜程度,提高PEPT聚合物薄膜的致密性和電導率,重點研究了聚合反應(yīng)速率的控制以及高電導率薄膜的制備技術(shù),解決了以聚合物作陰極的固體鉭電解電容器的技術(shù)難題,掌握了聚合物陰極材料制備的關(guān)鍵技術(shù)。首次設(shè)計和研發(fā)出E型初/次級交叉耦合的高頻薄膜變壓器,印制板型薄膜變壓器,電感器和DC/DC變換器。0成果名稱:高性能膜狀軟磁材料與旋磁薄膜材料及應(yīng)用研究 所獲獎種:國防科學技術(shù)獎(05年)獲獎等級:二等成果簡介:在軟糍薄膜和旋磁薄膜研究方面解決了壓靶濺射,納米晶化和旋鍍中溫熱解工藝等技術(shù)難點,成功研制出了性能優(yōu)良的薄膜材料。產(chǎn)品綜合性能超過該廠從美國Ferro公司得到的MLCC瓷料試生產(chǎn)的同類產(chǎn)品,突破了MLCC生產(chǎn)用關(guān)鍵骨干材料受制于人的技術(shù)瓶頸,具有很好的社會經(jīng)濟效益。解決了微量摻雜劑的分散均勻性及瓷料批量化制備的技術(shù)難題,填補了國內(nèi)高介高可靠X7R MLCC瓷料的生產(chǎn)領(lǐng)域的空白。的試驗現(xiàn)象;2)發(fā)現(xiàn)了ZnO 納米線陣列基于激子-激子碰撞過程的輻射復(fù)合發(fā)光效應(yīng)、具有拉比(Rabi)振蕩輔助的雙光子吸收二次非線性效應(yīng)、ZnO六棱單晶微管管壁和管端面的量子限制和諧振反射等系列新現(xiàn)象與新效應(yīng);3)采用SSCVD技術(shù),制備了具有ab軸取向的非極性ZnO薄膜,其發(fā)光強度遠大于極性ZnO的發(fā)光強度;4)采用重摻雜的ZnO薄膜,研制了MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器原型器件、“日盲”紫外光電陰極及新一代微光成像儀用“日盲”紫外光電管。0成果名稱:納米電子信息功能材料重大基礎(chǔ)研究所獲獎種:國防科學技術(shù)進步獎(07年)獲獎等級:二等 成果簡介:項目通過開展納米電磁功能薄膜材料的生長控制方法、電磁特性與尺度效應(yīng)變化規(guī)律和微區(qū)檢測與表征方法等三個方面的集中研究,形成了納米電子薄膜微區(qū)和單晶粒電磁性能可視化檢測方法、電磁薄膜單原胞生長模式、界面應(yīng)力調(diào)控方法與界面誘導效應(yīng)。研制了單靶、對靶、四靶三套氧化物薄膜沉積系統(tǒng);首次研制出熱釋電系數(shù)高于國內(nèi)外報導的數(shù)據(jù)的1英寸BST薄膜,已應(yīng)用于非致冷紅外探測器的研制;首次在國內(nèi)研制出3英寸YBCO雙面超導薄膜,其關(guān)鍵指標Rs≤,達到當前國外用其它比較復(fù)雜的方法所制備樣品同樣的水平;首次在國內(nèi)研制出高質(zhì)量的STO薄膜樣品,并已成功應(yīng)用于壓控微波濾波器、諧振器中。發(fā)明了基片雙軸旋轉(zhuǎn)的特殊運動方式,大大改善了3英寸薄膜的厚度均勻性。五、 先進電子材料技術(shù)0成果名稱:多元氧化物電子薄膜的倒筒式濺射沉積技術(shù)研究 所獲獎種:教育部提名國家獎技術(shù)發(fā)明獎(05年)獲獎等級:一等成果簡介:本項目基于氧化物薄膜材料的倒筒式濺射方法,提出在余輝等離子區(qū)沉積薄膜,成功地將薄膜成份調(diào)整在化學計量比范圍內(nèi)。研究中采用的新一類型坐標變換發(fā)展了經(jīng)典電磁理論,具有重要的科學價值。2成果名稱:橫電磁傳輸室及其應(yīng)用成果簡介:采用解析方法全面系統(tǒng)地研究了橫電磁傳輸室的特性阻抗、場分布、加載情況、單模工作頻率上限、過渡段特性等。網(wǎng)絡(luò)模型分解法:提出分析大規(guī)模電磁邊值問題的網(wǎng)絡(luò)型分解法,通過建立原問題的拓樸模型和網(wǎng)絡(luò)模型,將邊界問題轉(zhuǎn)化成電路問題,然后采用電路理論中的撕裂技術(shù)對網(wǎng)絡(luò)進行求解,最終得到原問題的解。牛曼級數(shù)解法:當頻率很低時用邊界元法分析導體柱的散射問題會出現(xiàn)數(shù)值不穩(wěn)定性。首次分析并指出混合自由電子激光回旋管工作機理,給出其效率低的原因,提出混合自由電子激光潘尼管,給出其工作機理,指出它是高效率高頻率器件。首次完成和準確地解決了大電流所帶來的密集厚電子束等三維問題。實驗研究了光陰極,得到了延長壽命增大電流的技術(shù)。首次得出解釋的雙脊波導場,發(fā)現(xiàn)TE30模式電磁場與電子束在第三次回旋諧波相互作用時具有高達51%的效率,大的增長率和低磁場。2成果名稱:自由電子相干輻射新機理和器件的研究成果簡介:(1)潘尼管的機理:首次準確和嚴密地導出了矩形波導潘尼管的色散方程和特征,發(fā)現(xiàn)潘尼管不穩(wěn)定系數(shù)由其相鄰回旋振蕩項的系數(shù)構(gòu)成,而其本身項的系數(shù)為零。(5)提出了環(huán)繞微帶共形陣模型。(3)基于自適應(yīng)天線理論,提出了一種可計入陣元間互耦影響的綜合任意陣列形狀和間距的天線陣方向圖的新方法。2成果名稱:自適應(yīng)陣列天線與微帶共形天線的理論及應(yīng)用研究成果簡介:(1)弄清了陣元間互耦和相干干擾使自適應(yīng)陣列天線系統(tǒng)性能下降的機制,修正了傳統(tǒng)自適應(yīng)陣列天線的最佳權(quán)矢量表達式,提出一種互耦補償方法。建立了完善的可用于實驗研究的微粒光學俘獲實驗裝置,成功地實現(xiàn)了單個和多個微粒的光學俘獲和穩(wěn)定懸浮。1成果名稱:寬帶毫米波全向天線成果簡介:
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