最新整理)基于gprs的遠(yuǎn)程醫(yī)療系統(tǒng)終端的設(shè)計(jì)(參考版)
2024-11-10 05:15本頁(yè)面
【正文】 所以， 0w 就是電路的中心頻率。雙Ｔ電路的傳遞函數(shù) 0 1 222( ) 1 ()() 2()14 ()iU s Z sR CWs U s Z Z sR C sR C?? ? ?? ??， 所以雙Ｔ電路是帶阻濾波電路。 雙 T 電路實(shí) 際上 是兩個(gè)星形接法阻抗電路的并聯(lián)。 R / 2 R C C 2C R u1 uo1 圖 雙 T網(wǎng)絡(luò)電路圖 對(duì)雙 T網(wǎng)絡(luò)電路進(jìn)行等效變換，變換的等效電路圖如圖 所示。 雙 T 網(wǎng)絡(luò)電路圖 圖 為雙 T網(wǎng)絡(luò)示意電路圖 [25]。 雙 T 陷波電路 雙 T 陷波電路是濾除某 一特定頻率的濾波器。實(shí)際電路中，為了滿(mǎn)足通過(guò) RT 電流大小的需要，常要再并聯(lián)上一個(gè)電阻分流，其大小由通過(guò)的電流大小決定，此電阻與 TR 的值相差很大，基本不影響 TR 與溫度的線(xiàn)性關(guān)系。 山東科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 移動(dòng)醫(yī)療相關(guān)理論與技術(shù) 16 r1r2 rTRT 圖 串并聯(lián)電阻實(shí)現(xiàn)熱敏電阻線(xiàn)性化 由圖 33 可知， RT =r1 +rr rr TT?22 ，解出： rT =Rrr rrrR TT ?? ?21 212 （ ） 當(dāng)補(bǔ)償溫度范圍為 T1~T2 時(shí)，可在三個(gè)溫度點(diǎn)上測(cè)量 rT 值，即 T0、T T2， T0取 T1 與 T2 之間的溫度，一般常選 2 5 ℃，熱敏電阻阻值分別為 rT0 、 rT1 、 rT2 ，而 RT0 、 RT1 、 RT2 是線(xiàn)性化處理后理想直線(xiàn)上 T TT3 溫度時(shí)對(duì)應(yīng)的阻值。 如圖 所示，當(dāng)溫度變化時(shí)，要使 TR 線(xiàn)性變化，其中， r1 為要串聯(lián)的電阻， r2 為要并聯(lián)的電阻， rT 為 NT C 熱敏電阻。 熱敏電阻的線(xiàn)性化 熱敏電阻的主要優(yōu)點(diǎn)是電阻溫度系數(shù)大，靈敏度高，響應(yīng)速度快，能進(jìn)行精密溫度測(cè)量。 熱電特性 熱敏電阻在其自身溫度變化 1℃時(shí)，電阻值的相對(duì)變化量稱(chēng)為 熱敏電阻的溫度系數(shù)，其值為：21 dRT BRT dT T? ? ? ? () 由式（ ）可以看出， NTC 熱敏電阻的溫度系數(shù)是負(fù)值，且與溫度變化有關(guān)。 NTC 熱敏電阻的熱電溫度特性分析 溫 度特性方程 [11] 熱敏電阻的溫度特性可用下面經(jīng)驗(yàn)公式表示： TR = 0TR exp(0BBTT? ) （ ） 其中， TR 溫度為 T時(shí)的熱敏電阻阻值； 0TR 溫度為 0T 時(shí)的熱敏電阻阻值， 一般常取 0T 為 20℃； 山東科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 移動(dòng)醫(yī)療相關(guān)理論與技術(shù) 15 B熱敏電阻常數(shù)， B=1365ln 20100RR ，其中 20R 和 100R 為 20℃ 和 100℃ 時(shí)的電阻值。 NTC 型熱敏電阻及其線(xiàn)性化 NTC 熱敏電阻 NTC 熱敏電阻是一種氧化物的燒結(jié)體，具有負(fù)溫度系數(shù)，與金屬熱 電阻相比，電阻溫度系數(shù)大，靈敏度約為金屬熱電阻的 10倍，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電阻率小，適于動(dòng)態(tài)測(cè)量，在測(cè)試和自動(dòng)控制領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 2．繪圖 RAM（ GDRAM） 繪圖顯示 RAM 提供 64 32 個(gè)位元組的記憶空間，最多可以控制 25664 點(diǎn)的二維繪圖緩沖 空間，在更改繪圖 RAM 時(shí)，先連續(xù)寫(xiě)入垂直與水平的坐標(biāo)值，再寫(xiě)入兩個(gè) 8位元的資料到繪圖 RAM，而地址計(jì)數(shù)器（ AC）會(huì)自動(dòng)加 1；在寫(xiě)入繪圖 RAM 的期間，繪圖顯示必須關(guān)閉，整個(gè)寫(xiě)入繪圖 RAM 的步驟如下： 1）關(guān)閉繪圖顯示功能； 山東科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 移動(dòng)醫(yī)療相關(guān)理論與技術(shù) 14 2）先將垂直的坐標(biāo)（ Y）寫(xiě)入繪圖 RAM 地址； 3）再將水平的位元組坐標(biāo)（ X）寫(xiě)入繪圖 RAM 地址； 4）將 D15—— D8 寫(xiě)入到 RAM 中； 5）將 D7—— D0寫(xiě)入到 RAM 中； 6）打開(kāi)繪圖顯示功能。 顯示控制的步驟 1．字符 RAM（ DDRAM） 顯示資料 RAM 提供 64 2 個(gè)位元組的空間，最多可以控制 2 行 7 個(gè)半漢字的中文字型顯示，當(dāng)寫(xiě)入顯示資料 RAM 時(shí)，可以分別顯示 CGROM、 HCGROM與 CGRAM 的字型； ST7920A 可以顯示三種字型，分別是半寬的 HCGROM 字型、 CGRAM 字型及中文 CGROM 字型，三種字型的選擇，由在 DDRAM 中寫(xiě)入的編碼選擇，在 0000H— 0006H 的編碼中將自動(dòng)的結(jié)合下一個(gè)位元組，組成兩個(gè)位元組的 編碼達(dá)成中文字型的編碼（ A140— D75F），各種字型詳細(xì)編碼如下： 1）顯示半寬字型：將 8位元資料寫(xiě)入 DDRAM 中，范圍為 02H— 7FH 的編碼； 2）顯示 CGRAM 字型：將 16 位元資料寫(xiě)入 DDRAM 中，總共有 0000H， 0002H，0004H， 0006H 四個(gè)編碼； 3）顯示中文字形：將 16 位元資料寫(xiě)入 DDRAM ，范圍為 A1A1H— F7FEH的編碼。 山東科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 移動(dòng)醫(yī)療相關(guān)理論與技術(shù) 12 P 3 . 2P 3 . 1P 3 . 0/ R S TS C L KS T DC SP S BB L KB LA5 V0 V+ 5 VR = 2 0 歐 姆SMG12564G3ZK8051MCU 圖 串行連接方式 （ 2） 8051 系列并行連接方式 并行連接方式如圖 所示。 （ 1） 8051 系列串行連 接方式 串行連接方式如圖 所示。 SMG12864G3ZK 的連接方式 液晶顯示模塊 SMG12864G3ZK 可與單片機(jī)直接連接，有并行和串行兩種連接方式。一方面 ST7920 繼承了 HD44780 顯示字符的優(yōu)點(diǎn)， ST7920 還增加了中文字庫(kù)、圖形顯示 RAM、 3 線(xiàn)式串 行接口電路、 2 倍升壓電路，從而使ST7920 可以直接顯示中文字符、圖形和字符的混合顯示，還可以與單片機(jī)方面簡(jiǎn)單的 3 線(xiàn)式串行連接，另外使用內(nèi)部自帶的 2 倍升壓電路，減少了外部的 LCD 電源需求，減小了外部電路元件的數(shù)量和所占 PCB 的面積，從而節(jié)約了成本和空間。 其接口定義如表 所示。SMG12864G3ZK 是標(biāo)準(zhǔn)中文字符及圖形點(diǎn)陣型液晶顯示模塊 (LCM)，采用點(diǎn)陣型液晶顯示器 (LCD)，可顯示 128X64 點(diǎn)陣 或 8 個(gè) X4 行漢字，點(diǎn)尺寸為(WXH)mm，內(nèi)置 ST7920 接口型液晶顯示控制器，內(nèi)帶 GB2312 碼簡(jiǎn)體中文字庫(kù)（ 16X16 點(diǎn)陣），可與 MCU 單片機(jī)直接連接，具有 8 位并行及串行兩種連接方式。 MSP430C1351的各引腳定義、中斷和寄存器的詳細(xì)內(nèi)容見(jiàn)參考文獻(xiàn) 8。 山東科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 移動(dòng)醫(yī)療相關(guān)理論與技術(shù) 10 單片機(jī) MSP430C1351 MSP430C1351 是 MSP430 系列單片機(jī)中 ROM 型、 64 腳的單片機(jī)。 3）系統(tǒng)整合豐富實(shí)用。在超低功耗方面，其處理器功耗（ ~， ， 250uA/MIPS）和口線(xiàn)輸入漏電流（最大 50nA）遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其他系列單片機(jī)； 2）運(yùn)算性能強(qiáng)大。 MSP430 系列單片機(jī)的迅速發(fā)展和應(yīng)用范圍的
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