半導(dǎo)體復(fù)習(xí)提綱(i)(參考版)
2025-06-10 17:17本頁面
【正文】 解： 已知：。⑵ l＝185nm的紫外光光子能量為：發(fā)射出來的電子的能量：s1，試求表面的空穴濃度以及流向表面的空穴流密度是多少？第6章 ：第7章 ：①計(jì)算體壽命，擴(kuò)散長度和表面復(fù)合速度。18. 一塊摻雜施主濃度為2180。s)。s1,試計(jì)算光照下樣品的電阻率，并求電導(dǎo)中少數(shù)在流子的貢獻(xiàn)占多大比例？ 10. 一塊n 型硅內(nèi)摻有1016cm3的金原子 ，試求它在小注入時(shí)的壽命。cm。1017cm3+砷原子1180。1016cm ,，查圖414（a）知，④磷原子3180。1016cm3 ,，查圖414（a）知，③180。1015cm3 查圖414（a）知，②180。解：室溫下，Si的本征載流子濃度，硅的雜質(zhì)濃度在10151017cm3范圍內(nèi)，室溫下全部電離，屬強(qiáng)電離區(qū)。1017cm3+砷原子1180。1016cm ④磷原子3180。1016cm3 ③180。 ②180。解：查表415(b)可知，室溫下，,查表32或圖37可知，室溫下Si的本征載流子濃度約為,16. 分別計(jì)算摻有下列雜質(zhì)的Si，在室溫時(shí)的載流子濃度、遷移率和電阻率： ①硼原子3180。本征情況下，金鋼石結(jié)構(gòu)一個(gè)原胞內(nèi)的等效原子個(gè)數(shù)為個(gè)，則其原子密度為。當(dāng)摻入百萬分之一的As后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計(jì)算其電導(dǎo)率。計(jì)算①99%電離；②90%電離；③50%電離時(shí)溫度各為多少？18. 摻磷的n型硅，求室溫下雜質(zhì)一半電離時(shí)費(fèi)米能級(jí)的位置和濃度。第3章 ：5. 利用表32中的m*n，m*p數(shù)值，計(jì)算硅、鍺、砷化鎵在室溫下的NC , NV以及本征載流子的濃度。第2章 ：7. 銻化銦的禁帶寬度Eg=，相對(duì)介電常數(shù)er=17，電子的有效質(zhì)量 =, m0為電子的慣性質(zhì)量，求①施主雜質(zhì)的電離能，②施主的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑。 本征躍遷：導(dǎo)帶電子躍遷到價(jià)帶，與價(jià)帶空穴相復(fù)合，伴隨著發(fā)射光子，稱為本征躍遷2 非本征躍遷：電子從導(dǎo)帶躍遷到雜質(zhì)能級(jí)，或雜質(zhì)能級(jí)上的電子躍遷到價(jià)帶，或電子在雜質(zhì)能級(jí)之間的躍遷，都可以引起發(fā)光，這種躍遷稱為非本征躍遷2 激光的發(fā)射要滿足的3個(gè)條件：形成分布反轉(zhuǎn)，使受激輻射占優(yōu)勢(shì)；具有共振腔，以實(shí)現(xiàn)光量子放大；至少達(dá)到閾值電流密度，使增益至少等于損耗。1 光電導(dǎo)靈敏度一般定義為單位光照度所引起的光電導(dǎo)。本征吸收引起的光電導(dǎo)稱為本征光電導(dǎo)。電子可以吸收光子躍遷到導(dǎo)帶能級(jí)，空穴也可以吸收光子而躍遷到價(jià)帶，這種光吸收稱為雜質(zhì)吸收。1 激子吸收：光子能量不足以使價(jià)帶電子受激進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電子，而仍然受到空穴的庫倫場(chǎng)作用，形成新的系統(tǒng)——激子，這樣的光吸收稱為激子吸收1 自由載流子吸收：光子能量不足以使電子處帶與帶之間躍遷或形成激子時(shí)，仍然存在著吸收，自由載流子在同一帶內(nèi)的躍遷所引起的吸收稱為自由載流子吸收。1 導(dǎo)帶極小值和價(jià)帶極大值對(duì)應(yīng)于相同的波矢k，常稱為直接帶隙半導(dǎo)體。11 調(diào)制摻雜：在形成異質(zhì)結(jié)是一邊摻雜一邊不摻雜的摻雜方式。 激子：半導(dǎo)體中電子和空穴因庫侖力相互作用可形成束縛的電子空穴對(duì)，稱為激子。 異質(zhì)結(jié)也可以分為突變型異質(zhì)結(jié)和緩變型異質(zhì)結(jié)。 反型異質(zhì)結(jié)：導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié)。 [111 110 100]晶面的比較 ？？？ 第9章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 考概念 Pn結(jié)是由導(dǎo)電類型相反的同一種半導(dǎo)體單晶材料組成的，通常稱為同質(zhì)結(jié)?？蓺w納為多子積累，耗盡，反型，深耗盡四種情況 CV曲線 存在一些因素影響著MIS的CV特性，如：金屬和半導(dǎo)體之間的功函數(shù)的差、絕緣層中的電荷等。退火可以有效降低界面態(tài)密度。2理想表面：是指表面層中原子排列的對(duì)稱性與體內(nèi)原子完全相同，且表面上不附著任何原子或分子的半無限晶體表面。肖特基勢(shì)壘二極管比pn結(jié)二極管有更好的高頻特性；有較低的正向?qū)妷?。因此，肖特基?shì)壘二極管比pn結(jié)二極管有更好的高頻特性。 整流接觸－肖特基勢(shì)壘 非整流接觸－歐姆接觸
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